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W972GG6JB-3I Winbond Electronics W972GG6JB-3I -
RFQ
ECAD 8266 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W972GG6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W972GG6JB3I 귀 99 8542.32.0032 144 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
W25Q257FVEIF TR Winbond Electronics W25Q257FVEIF TR -
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q257 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q128FVEIG TR Winbond Electronics W25Q128FVEIG TR -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q32JWBYIQ TR Winbond Electronics W25Q32JWBYIQ TR 0.7341
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-UFBGA, WLCSP W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 12-WLCSP (2.31x2.03) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32JWBYIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W25Q02JVTBIM TR Winbond Electronics W25Q02JVTBIM TR 23.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q02 플래시 3V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 2gbit 7.5 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3.5ms
W9864G6JB-6I Winbond Electronics W9864G6JB-6I 3.0164
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ECAD 1757 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W9864G6 sdram 3V ~ 3.6V 60-VFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9864G6JB-6I 귀 99 8542.32.0024 286 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 lvttl -
W631GU8MB12I TR Winbond Electronics W631GU8MB12I TR -
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ECAD 3195 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W631GG8MB-15 TR Winbond Electronics W631GG8MB-15 TR -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W25Q512NWBIQ TR Winbond Electronics W25Q512NWBIQ TR 5.5500
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ECAD 7489 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q512 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q512NWBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q64FVSTIM Winbond Electronics W25Q64FVSTIM -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 90 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q128FVTIG Winbond Electronics W25Q128FVTIG -
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W967D6HBGX7I TR Winbond Electronics W967D6HBGX7I TR -
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA W967d6 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 5,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 -
W25Q16BVSSIG TR Winbond Electronics W25Q16BVSSIG TR -
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25M121AWEIT TR Winbond Electronics W25M121aweit tr -
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ECAD 1734 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25M121 플래시- NAND, FLASH -NOR 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M121AWEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 128mbit (Flash-Nor), 1gbit (Flash-Nand) 플래시 16m x 8 (Flash-Nor), 128m x 8 (Flash-Nand) spi-쿼드 i/o -
W25Q128FVPIQ TR Winbond Electronics W25Q128FVPIQ TR -
RFQ
ECAD 4728 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W632GU6MB-12 Winbond Electronics W632GU6MB-12 -
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ECAD 4023 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GU6 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q256JVFIM Winbond Electronics W25Q256JVFIM 2.8089
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ECAD 9369 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W19B320BTT7H Winbond Electronics W19B320BTT7H -
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ECAD 4849 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) W19B320 플래시 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
W972GG6JB25I TR Winbond Electronics W972GG6JB25I TR -
RFQ
ECAD 4597 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W972GG6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
W631GG8KB15I Winbond Electronics W631GG8KB15I -
RFQ
ECAD 8339 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-WBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W9412G6KH-5 TR Winbond Electronics W9412G6KH-5 TR 1.5720
RFQ
ECAD 6168 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9412G6 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 50 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
W9864G2JB-6 TR Winbond Electronics W9864G2JB-6 TR 3.8212
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ECAD 9378 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W9864G2 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
W25Q256JVFAQ Winbond Electronics W25Q256JVFAQ -
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ECAD 2327 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q256JVFAQ 1 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128FVTIG TR Winbond Electronics W25Q128FVTIG TR -
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ECAD 4806 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W948D6KBHX5E Winbond Electronics W948D6KBHX5E 2.0847
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W948D6 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 312 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q256JVBJQ TR Winbond Electronics W25Q256JVBJQ TR -
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ECAD 2068 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q256JVBJQTR 3A991B1A 8542.39.0001 2,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W29GL128PH9T Winbond Electronics W29GL128PH9T -
RFQ
ECAD 7947 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) W29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
W25Q128FVSJQ Winbond Electronics W25Q128FVSJQ -
RFQ
ECAD 3624 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W29GL064CB7A Winbond Electronics W29GL064CB7A -
RFQ
ECAD 8426 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA W29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
W25Q32FWZEIG TR Winbond Electronics W25Q32FWZEIG TR -
RFQ
ECAD 7403 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고