전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W631GG6NB12J TR | - | ![]() | 2534 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG6NB12JTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | ||
![]() | W25Q64JVZESQ | - | ![]() | 3361 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64JVZESQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
W25X16VZPIG T & R. | - | ![]() | 2554 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25x16 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI | 3ms | ||||
![]() | W63AH2NBVADE TR | 4.1409 | ![]() | 3602 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 178-VFBGA | W63AH2 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 178-VFBGA (11x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W63AH2NBVADET | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5.5 ns | 음주 | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | W66cp2nquagj tr | 6.6300 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | W66CP2 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W66CP2NQUAGJTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W25Q16FWSNSQ | - | ![]() | 1699 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16FWSNSQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
![]() | W25N01GWTBIT | - | ![]() | 9715 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N01GWTBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 1gbit | 8 ns | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
![]() | W25Q81ewsssg | - | ![]() | 6779 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q81 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q81EWSSSG | 1 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||||
W25Q40EWZPBG | - | ![]() | 7608 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q40 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q40EWZPBG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 6 ns | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 30µs, 800µs | ||||
![]() | W66Bl6nbuagj | 6.8078 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | W66BL6 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W66BL6NBUAGJ | 귀 99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W25Q128JWSIQ | 1.5927 | ![]() | 1700 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWSIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | -, 3ms | ||
W74M25JWZPIQ TR | 3.7350 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W74M25 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W74M25JWZPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | - | - | |||
![]() | W956d8mbya5i tr | 1.6344 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 24-TBGA | W956D8 | 하이퍼 하이퍼 | 1.7V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W956D8MBYA5ITR | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 35 ns | 음주 | 8m x 8 | hyperbus | 35ns | |
![]() | W97BH6MBVA2I | 6.3460 | ![]() | 6060 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W97BH6 | sdram -모바일 lpddr2 -s4b | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W97BH6MBVA2I | 귀 99 | 8542.32.0036 | 168 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
W631GG6MB12J TR | - | ![]() | 1498 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG6MB12JTR | 쓸모없는 | 3,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | |||
![]() | W25N512GVEIR | 2.1715 | ![]() | 2821 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N512GVEIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 비 비 | 512mbit | 6 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
![]() | W25M02GWTBIG | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25M02 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25M02GWTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 8 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
![]() | W631GU8NB-15 TR | 2.9626 | ![]() | 1507 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU8NB-15TR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | W25N512GWBIT | - | ![]() | 7410 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N512GWBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 512mbit | 7 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
![]() | W632GU8NB-15 | 4.6611 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W632GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W29n01hwdinf | - | ![]() | 5730 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | W29N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-VFBGA (8x6.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W29N01HWDINF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 비 비 | 1gbit | 25 ns | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | 25ns | ||
W25Q64FWZPBQ | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64FWZPBQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | ||||
![]() | W631GG8MB09J TR | - | ![]() | 3872 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG8MB09JTR | 쓸모없는 | 2,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | sstl_15 | 15ns | ||
![]() | W29GL128CL9C | - | ![]() | 9678 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFBGA | W29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-TFBGA (7x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 비 비 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
![]() | W71NW20GD3GW | - | ![]() | 2478 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | W71NW20 | 플래시 -Nand, dram -lpddr | 1.7V ~ 1.95V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W71NW20GD3GW | 136 | 비 비, 휘발성 | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR) | 플래시, 램 | - | - | - | |||||
![]() | W25Q64FWZEIG | - | ![]() | 4111 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64FWZEIG | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | ||
![]() | W988D6FBGX6E | - | ![]() | 1269 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W988D6 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 312 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
W25x10Clzpig tr | - | ![]() | 5638 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25X10 | 플래시 | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 800µs | ||||
![]() | W25N01GVSFIT | 2.7741 | ![]() | 9842 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N01GVSFIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | ||
![]() | W972GG6KB-18 | 10.0484 | ![]() | 5609 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 144 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 350 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고