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W631GG6NB12J TR Winbond Electronics W631GG6NB12J TR -
RFQ
ECAD 2534 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6NB12JTR 귀 99 8542.32.0032 3,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25Q64JVZESQ Winbond Electronics W25Q64JVZESQ -
RFQ
ECAD 3361 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZESQ 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25X16VZPIG T&R Winbond Electronics W25X16VZPIG T & R. -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25x16 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 3ms
W63AH2NBVADE TR Winbond Electronics W63AH2NBVADE TR 4.1409
RFQ
ECAD 3602 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA W63AH2 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 178-VFBGA (11x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W63AH2NBVADET 귀 99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 5.5 ns 음주 32m x 32 HSUL_12 15ns
W66CP2NQUAGJ TR Winbond Electronics W66cp2nquagj tr 6.6300
RFQ
ECAD 7321 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66CP2 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66CP2NQUAGJTR 귀 99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q16FWSNSQ Winbond Electronics W25Q16FWSNSQ -
RFQ
ECAD 1699 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWSNSQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25N01GWTBIT Winbond Electronics W25N01GWTBIT -
RFQ
ECAD 9715 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N01GWTBIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 1gbit 8 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q81EWSSSG Winbond Electronics W25Q81ewsssg -
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ECAD 6779 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q81 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q81EWSSSG 1 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o -
W25Q40EWZPBG Winbond Electronics W25Q40EWZPBG -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q40 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q40EWZPBG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 4mbit 6 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 30µs, 800µs
W66BL6NBUAGJ Winbond Electronics W66Bl6nbuagj 6.8078
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ECAD 1650 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66BL6 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BL6NBUAGJ 귀 99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q128JWSIQ Winbond Electronics W25Q128JWSIQ 1.5927
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ECAD 1700 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W74M25JWZPIQ TR Winbond Electronics W74M25JWZPIQ TR 3.7350
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ECAD 8226 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 W74M25 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W74M25JWZPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 - -
W956D8MBYA5I TR Winbond Electronics W956d8mbya5i tr 1.6344
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ECAD 6956 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 24-TBGA W956D8 하이퍼 하이퍼 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W956D8MBYA5ITR 귀 99 8542.32.0002 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 35 ns 음주 8m x 8 hyperbus 35ns
W97BH6MBVA2I Winbond Electronics W97BH6MBVA2I 6.3460
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97BH6 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97BH6MBVA2I 귀 99 8542.32.0036 168 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 HSUL_12 15ns
W631GG6MB12J TR Winbond Electronics W631GG6MB12J TR -
RFQ
ECAD 1498 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6MB12JTR 쓸모없는 3,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25N512GVEIR Winbond Electronics W25N512GVEIR 2.1715
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ECAD 2821 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVEIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25M02GWTBIG Winbond Electronics W25M02GWTBIG -
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ECAD 4370 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25M02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GWTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W631GU8NB-15 TR Winbond Electronics W631GU8NB-15 TR 2.9626
RFQ
ECAD 1507 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU8NB-15TR 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
W25N512GWBIT Winbond Electronics W25N512GWBIT -
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N512 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GWBIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W632GU8NB-15 Winbond Electronics W632GU8NB-15 4.6611
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W29N01HWDINF Winbond Electronics W29n01hwdinf -
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA W29N01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (8x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N01HWDINF 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
W25Q64FWZPBQ Winbond Electronics W25Q64FWZPBQ -
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FWZPBQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W631GG8MB09J TR Winbond Electronics W631GG8MB09J TR -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8MB09JTR 쓸모없는 2,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W29GL128CL9C Winbond Electronics W29GL128CL9C -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFBGA W29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-TFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 171 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
W71NW20GD3GW Winbond Electronics W71NW20GD3GW -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - W71NW20 플래시 -Nand, dram -lpddr 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W71NW20GD3GW 136 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR) 플래시, 램 - - -
W25Q64FWZEIG Winbond Electronics W25Q64FWZEIG -
RFQ
ECAD 4111 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FWZEIG 쓸모없는 8542.32.0071 63 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W988D6FBGX6E Winbond Electronics W988D6FBGX6E -
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-TFBGA W988D6 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 312 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25X10CLZPIG TR Winbond Electronics W25x10Clzpig tr -
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25X10 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 800µs
W25N01GVSFIT Winbond Electronics W25N01GVSFIT 2.7741
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25N01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N01GVSFIT 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W972GG6KB-18 Winbond Electronics W972GG6KB-18 10.0484
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ECAD 5609 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W972GG6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 144 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 350 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고