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통합 회로 (ICS) (2872)

제품 번호	가격 (USD)	수량	사용 가능한 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 상태	작동 온도	장착 유형	패키지 / 케이스	기본 제품 번호	기술	SIC 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 업체 장치 패키지	데이터 시트	ROHS 상태	수분 감도 수준 (MSL)	상태에 도달하십시오	다른 이름	ECCN	HTSUS	표준 패키지	시계 주파수	메모리 유형	메모리 크기	액세스 시간	메모리 형식	메모리 조직	메모리 인터페이스	쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
W631GG8MB-15	-	RFQ	9903	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 마운트	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3		1.425V ~ 1.575V	78-VFBGA (10.5x8)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0032	242	667 MHz	휘발성 물질	1gbit	20 ns	음주	128m x 8	평행한	-
W632GU8KB12I	-	RFQ	4722	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	SIC에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 마운트	78-TFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L		1.283V ~ 1.45V	78-WBGA (10.5x8)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0036	190	800MHz	휘발성 물질	2gbit	20 ns	음주	256m x 8	평행한	-
W25Q257FVFIF TR	-	RFQ	1009	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	W25Q257	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	16 -Soic	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	비 휘발성	256mbit		플래시	32m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	50µs, 3ms
W29N01HWSINF TR	-	RFQ	6613	윈 본드 전자 장치	-	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	W29N01	플래시 -Nand (SLC)		1.7V ~ 1.95V	48-tsop	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W29N01HWSINFTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 휘발성	1gbit	22 ns	플래시	64m x 16	onfi	25ns
W9864G6JT-6 TR	2.7989	RFQ	8713	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	새로운 디자인이 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 마운트	54-TFBGA	W9864G6	sdram		3V ~ 3.6V	54-TFBGA (8x8)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W9864G6JT-6TR	귀 99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	휘발성 물질	64mbit	5 ns	음주	4m x 16	lvttl	-
W25N02KWTCIU	4.3845	RFQ	1535	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	24-TBGA		플래시 -Nand (SLC)		1.7V ~ 1.95V	24-TFBGA (8x6)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)		256-W25N02KWTCIU	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	비 휘발성	2gbit	8 ns	플래시	256m x 8	SPI- 쿼드 I/O	700µs
W25Q256JVEIM TR	2.2650	RFQ	1801	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q256	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-wson (8x6)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 휘발성	256mbit		플래시	32m x 8	SPI- 쿼드 I/O	3ms
W632GU8MB-12 TR	-	RFQ	5813	윈 본드 전자 장치	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 마운트	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3		1.283V ~ 1.45V	78-VFBGA (8x10.5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 물질	2gbit	20 ns	음주	128m x 16	평행한	-
W25Q128FVPIF TR	-	RFQ	5698	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	SIC에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q128	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-wson (6x5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104 MHz	비 휘발성	128mbit		플래시	16m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	50µs, 3ms
W25Q256FVFJQ TR	-	RFQ	1752	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 마운트	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	W25Q256	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	16 -Soic	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	W25Q256FVFJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	비 휘발성	256mbit		플래시	32m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	50µs, 3ms
W948D6FKB-6G	-	RFQ	6521	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	마지막으로 구매									-		3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W948D6FKB-6G			1
W979H2KBVX2I	7.2800	RFQ	31	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	새로운 디자인이 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	134-VFBGA	W979H2	SDRAM- 모바일 LPDDR2		1.14V ~ 1.95V	134-VFBGA (10x11.5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0028	168	400MHz	휘발성 물질	512mbit		음주	16m x 32	평행한	15ns
W29GL032CB7	-	RFQ	3090	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	W29GL032	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	96		비 휘발성	32mbit	70 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	70ns
W66Cl2nquagj	9.5630	RFQ	7642	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	새로운 디자인이 아닙니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 마운트	200-WFBGA	W66CL2	SDRAM- 모바일 LPDDR4		1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-WFBGA (10x14.5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W66Cl2nquagj	귀 99	8542.32.0036	144	1.866 GHz	휘발성 물질	4gbit	3.5 ns	음주	128m x 32	LVSTL_11	18ns
W25Q32BVZPJG TR	-	RFQ	8425	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q32	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-wson (6x5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	W25Q32BVZPJGTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	비 휘발성	32mbit		플래시	4m x 8	SPI- 쿼드 I/O	50µs, 3ms
W25X20VSNIG T & R.	-	RFQ	3777	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	W25X20	플래시		2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 휘발성	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	3ms
W25Q128FVAIQ TR	-	RFQ	4318	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	SIC에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 통해	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	W25Q128	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	비 휘발성	128mbit		플래시	16m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	50µs, 3ms
W25Q32FVSSJF	-	RFQ	3490	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	W25Q32	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	1	104 MHz	비 휘발성	32mbit		플래시	4m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	50µs, 3ms
W25Q80BLSNIG TR	-	RFQ	3299	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	SIC에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	W25Q80	플래시 - NO		2.3V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0071	4,000	80MHz	비 휘발성	8mbit		플래시	1m x 8	SPI- 쿼드 I/O	800µs
W947D6HBHX5E	3.6600	RFQ	2	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 마운트	60-TFBGA	W947d6	SDRAM- 모바일 LPDDR		1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0024	312	200MHz	휘발성 물질	128mbit	5 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
W25Q64FWZPIF TR	-	RFQ	2698	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q64	플래시 - NO		1.65V ~ 1.95V	8-wson (6x5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W25Q64FWZPIFTR	쓸모없는	8542.32.0071	5,000	104 MHz	비 휘발성	64mbit		플래시	8m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	60µs, 5ms
W971GG6NB-18	3.8000	RFQ	310	윈 본드 전자 장치	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 마운트	84-TFBGA	W971GG6	SDRAM -DDR2		1.7V ~ 1.9V	84-TFBGA (8x12.5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W971GG6NB-18	귀 99	8542.32.0028	209	533 MHz	휘발성 물질	1gbit	350 ps	음주	64m x 16	SSTL_18	15ns
W25Q32JVSTIQ TR	-	RFQ	3538	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	W25Q32	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-VSOP	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	133 MHz	비 휘발성	32mbit		플래시	4m x 8	SPI- 쿼드 I/O	3ms
W29GL064CH7B	-	RFQ	3492	윈 본드 전자 장치	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	64-lbga	W29GL064	플래시 - NO	확인되지 않았습니다	2.7V ~ 3.6V	64-LFBGA (11x13)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		3A991B1A	8542.32.0071	171		비 휘발성	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
W98AD2KBJX6I TR	-	RFQ	4222	윈 본드 전자 장치	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는									-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0032	2,500
W25Q80DVSVIG	-	RFQ	5796	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	W25Q80	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-VSOP	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0071	100	104 MHz	비 휘발성	8mbit		플래시	1m x 8	SPI- 쿼드 I/O	3ms
W25Q256JVEJM TR	-	RFQ	8179	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q256	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	8-wson (8x6)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	W25Q256JVEJMTR	3A991B1A	8542.39.0001	4,000	133 MHz	비 휘발성	256mbit		플래시	32m x 8	SPI- 쿼드 I/O	3ms
W25Q01NWZEIM TR	10.1700	RFQ	8864	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8-WDFN 노출 패드	W25Q01	플래시 - NO		1.7V ~ 1.95V	8-wson (8x6)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	256-W25Q01NWZEIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 휘발성	1gbit	7 ns	플래시	128m x 8	SPI- 쿼드 I/O, QPI	3ms
W25X40AVSSIG	-	RFQ	5490	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	W25x40	플래시		2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.32.0071	90	100MHz	비 휘발성	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	3ms
W25Q512JVBIQ TR	5.0850	RFQ	9927	윈 본드 전자 장치	Spiflash®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 마운트	24-TBGA	W25Q512	플래시 - NO		2.7V ~ 3.6V	24-TFBGA (6x8)	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	W25Q512JVBIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 휘발성	512mbit		플래시	64m x 8	SPI- 쿼드 I/O	-

2000+
Daily average RFQ Volume
30,000,000
Standard Product Unit
2800+
Worldwide Manufacturers
15,000 m²
In-stock Warehouse

통합 회로 (ICS) (2872)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²