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W631GU6MB-11 TR Winbond Electronics W631GU6MB-11 TR -
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ECAD 6048 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W978H2KBVX2E TR Winbond Electronics W978H2KBVX2E TR 4.3650
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ECAD 2238 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W978H2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W978H2KBVX2etr 귀 99 8542.32.0024 3,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 HSUL_12 15ns
W631GU6MB12J TR Winbond Electronics W631GU6MB12J TR -
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ECAD 8169 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU6MB12JTR 쓸모없는 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
W66BP6NBUAGJ Winbond Electronics W66bp6nbuagj 5.1712
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ECAD 4579 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66bp6 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BP6NBUAGJ 귀 99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25X05CLUXIG TR Winbond Electronics W25x05Cluxig tr -
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ECAD 2802 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25x05 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 800µs
W25N02JWTBIF Winbond Electronics W25N02JWTBIF 5.4771
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ECAD 5128 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWTBIF 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr 700µs
W632GU6AB-15 Winbond Electronics W632GU6AB-15 -
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ECAD 5084 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - W632GU6 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W631GG6KB-15 Winbond Electronics W631GG6KB-15 -
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ECAD 9821 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W631GG6KB15 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W29N02KZDIBF TR Winbond Electronics W29n02kzdibf tr 4.5238
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ECAD 8738 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA W29N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (8x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N02KZDIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 비 비 2gbit 22 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
W25Q64FWZPIG Winbond Electronics W25Q64FWZPIG -
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ECAD 1972 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 5ms
W25Q64JVTBIQ Winbond Electronics W25Q64JVTBIQ 1.1865
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ECAD 2187 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVTBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W948D2FBJX5E TR Winbond Electronics W948D2FBJX5E TR 4.0800
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ECAD 2 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-TFBGA W948D2 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
W25N04KVZEIR TR Winbond Electronics W25n04kvzeir tr 5.5500
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ECAD 8312 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVZEIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
W25Q32JVSSIQ Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ 0.7600
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ECAD 147 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64CVSSJG Winbond Electronics W25Q64CVSSJG -
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ECAD 6638 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W948D2FBJX5I Winbond Electronics W948D2FBJX5I -
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ECAD 8493 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W948D2 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
W25X32VSSIG T&R Winbond Electronics W25X32VSSIG T & R. -
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ECAD 4936 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25x32 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 3ms
W25Q16JWSNSQ Winbond Electronics W25Q16JWSNSQ -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWSNSQ 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W71NW20GF3FW Winbond Electronics W71NW20GF3FW -
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ECAD 6473 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - W71NW20 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W71NW20GF3FW 210 400MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 - - -
W25Q32FVTCJF Winbond Electronics W25Q32FVTCJF -
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q01JVZEIQ Winbond Electronics W25Q01JVZEIQ 11.4500
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ECAD 3 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q01JVZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 3.5ms
W25N512GVEIR TR Winbond Electronics W25N512GVEIR TR 1.9405
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ECAD 2767 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVEIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 166 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W632GU6MB11I Winbond Electronics W632GU6MB11I -
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ECAD 6994 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GU6 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W97BH2MBVA1E TR Winbond Electronics W97BH2MBVA1E TR 5.6550
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ECAD 6801 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97BH2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97BH2MBVA1etr 귀 99 8542.32.0036 3,500 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
W632GU6MB-15 TR Winbond Electronics W632GU6MB-15 TR -
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ECAD 9917 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GU6 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 3,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q16JVSSJQ Winbond Electronics W25Q16JVSSJQ -
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ECAD 1046 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVZPJQ Winbond Electronics W25Q64JVZPJQ -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128JVSIM TR Winbond Electronics W25Q128JVSIM TR 1.8100
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ECAD 211 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W9812G6KB-6I Winbond Electronics W9812G6KB-6I 3.5402
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ECAD 6613 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-TFBGA sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W9812G6KB-6I 319 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 lvttl -
W9412G6JB-5 TR Winbond Electronics W9412G6JB-5 TR -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA W9412G6 sdram 2.7V ~ 2.3V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9412G6JB-5TR 귀 99 8542.32.0002 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 lvttl 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고