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영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 시계 주파수 | 메모리 유형 | 메모리 크기 | 액세스 시간 | 메모리 형식 | 메모리 조직 | 메모리 인터페이스 | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | W97AH2NBVA1I TR | 3.9000 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 134-VFBGA | W97AH2 | SDRAM- 모바일 LPDDR2 -S4B | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W97AH2NBVA1IT | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 533 MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | W971GG8KB25I | - | ![]() | 8516 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 60-TFBGA | W971GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 209 | 200MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W66BM6NBUAHJ | 7.3210 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 쟁반 | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM- 모바일 LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W66BM6NBUAHJ | 귀 99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133 GHz | 휘발성 물질 | 2gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
W25Q32BVZPJP TR | - | ![]() | 6760 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | W25Q32 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | W25Q32BVZPJPTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25X40AVDAIZ | - | ![]() | 1017 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 통해 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | W25x40 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 60 | 100MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 3ms | |||
![]() | W25Q256JWBIQ TR | 2.7445 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - NO | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W25Q256JWBIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 5ms | |
![]() | W987D2HBJX6I | - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 90-TFBGA | W987D2 | SDRAM- 모바일 LPSDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 휘발성 물질 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
W25Q32FWZPIG | - | ![]() | 9554 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | W25Q32 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 60µs, 5ms | ||||
![]() | W632GU8KB-12 | - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 쟁반 | SIC에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 78-TFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 800MHz | 휘발성 물질 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | W25Q80ewuxie tr | 0.4568 | ![]() | 4246 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-UFDFN 노출 패드 | W25Q80 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (2x3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 800µs | |||
![]() | W971GG6KB-18 TR | - | ![]() | 8520 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 350 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W25Q64JVXGJQ TR | - | ![]() | 6162 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xdfn 노출 패드 | W25Q64 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8- XSON (4x4) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | W25Q64JVXGJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 3ms | ||
![]() | W25Q256FVFIG TR | - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | SIC에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q256 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q128JVFIQ TR | 1.4460 | ![]() | 6824 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 3ms | |||
W632GU6MB-15 | - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 휘발성 물질 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | W25Q01JVTBIM | 9.2400 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 24-TBGA | W25Q01 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W25Q01JVTBIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 휘발성 | 1gbit | 7.5 ns | 플래시 | 128m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 3.5ms | |
![]() | W74M12JWSSIQ | 3.1100 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W74M12 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W74M12JWSSIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | - | - | ||
![]() | W25Q32JVSFJM | - | ![]() | 7212 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 3ms | |||
![]() | W94AD2KBJX5E TR | 3.9774 | ![]() | 5482 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 90-TFBGA | W94AD2 | SDRAM- 모바일 LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W29GL128CH9C TR | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 56-TFBGA | W29GL128 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 56-TFBGA (7x9) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 휘발성 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
![]() | W25x05Cluxig tr | - | ![]() | 2802 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-UFDFN 노출 패드 | W25x05 | 플래시 - NO | 2.3V ~ 3.6V | 8- 호스 (2x3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 512kbit | 플래시 | 64k x 8 | SPI | 800µs | |||
![]() | W25Q81DVSNSG | - | ![]() | 1194 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q81 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W25Q81DVSNSG | 1 | 80MHz | 비 휘발성 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | - | |||||
![]() | W972GG6JB-3I TR | - | ![]() | 5538 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (11x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 333 MHz | 휘발성 물질 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W25Q128FWEIQ TR | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | W25Q128 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W25Q128FWEIQTR | 쓸모없는 | 4,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 60µs, 5ms | |||
W25N512GVPIR | 1.9638 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 256-W25N512GVPIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 166 MHz | 비 휘발성 | 512mbit | 6 ns | 플래시 | 64m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 700µs | ||
![]() | W25x05Clsnig tr | - | ![]() | 9750 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25x05 | 플래시 - NO | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 비 휘발성 | 512kbit | 플래시 | 64k x 8 | SPI | 800µs | |||
W25Q20ewzpig tr | - | ![]() | 5043 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | W25Q20 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 800µs | ||||
![]() | W25Q64BVSFIG | - | ![]() | 9762 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 80MHz | 비 휘발성 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI | 3ms | |||
![]() | W97AH6KBVX2E TR | - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM- 모바일 LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | W25Q256JVFIQ | 3.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 윈 본드 전자 장치 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q256 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 3ms |
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