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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25X20VSNIG T & R. | - |  | 3777 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25X20 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 3ms | |||
 | W25Q128JWBIQ | 1.8798 | | 6086 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | -, 3ms | ||
 | W632GU8NB-12 | 4.7137 | | 4473 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W632GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q256JVFJM TR | - | | 3612 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q256JVFJMTR | 3A991B1A | 8542.39.0001 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
 | W25Q16CVSSIG TR | - | | 5531 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
| W25Q128JVSAQ | - | | 9342 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JVSAQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
 | W9725G6IB-25 | - | | 7881 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W9725G6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 209 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 400 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q256JWCIM TR | - | | 3191 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q256JWCIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 5ms | |
 | W25Q128FWSBQ | - | | 9442 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128FWSBQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | |||
| W25Q257FVFIG | - | | 8870 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q257 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W9825G6JH-6I | - | | 8327 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9825G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W9825G6JH6I | 귀 99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | |
 | W29GL064CT7 | - | | 8071 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29GL064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
 | W97BH2MBVA1E TR | 5.6550 | | 6801 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W97BH2 | sdram -모바일 lpddr2 -s4b | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W97BH2MBVA1etr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | W25Q128JVPIM TR | 1.8100 | | 37 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | |||
| W25Q128JWPIM TR | 1.4425 | | 3394 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWPIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | -, 3ms | ||
 | W25Q16DVDAIG TR | - | | 7809 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
| W77Q32JWSSIN | 1.1718 | | 3872 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W77Q32 | 플래시 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W77Q32JWSSIN | 90 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | - | spi-쿼드 i/o, qpi | - | ||||
| W25Q256JWFIM | - | | 6642 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q256JWFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 5ms | |
 | W25Q32JVTCIM | - | | 3260 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32JVTCIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | |
| W25Q16JWSNSQ | - | | 2088 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16JWSNSQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||||
 | W29GL128CH9B TR | - | | 8927 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | W29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-LFBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
| W25Q16JVZPJM | - | | 7298 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W9712G6KB25I TR | 1.8033 | | 9429 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W9712G6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 400 PS | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W947D2HBJX5I | - | | 2893 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | W947D2 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
 | W9816G6JH-6 TR | 1.3934 | | 2854 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9816G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
| W25Q64JVSFJQ | - | | 6735 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W29N01Hzsinf | 3.1271 | | 6476 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W29N01Hzsinf | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 1gbit | 25 ns | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | 25ns | ||
| W25Q16DWUUAG | - | | 7419 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (4x3) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16DWUUAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 7 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 40µs, 3ms | |||
| W9412G6JB-4 | - | | 2564 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W9412G6 | sdram -ddr | 2.4V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | - | 256-W9412G6JB-4 | 쓸모없는 | 1 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 650 ps | 음주 | 8m x 16 | sstl_2 | 12ns | |||||
| W25Q16DVWS | - | | 8214 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16DVWS | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms |
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