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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25Q128FVCIG TR | - |  | 3200 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W9751G6KB25I | - | | 5731 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W9751G6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q128JWBIQ TR | 1.7696 | | 5671 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWBIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | -, 3ms | ||
| W25M512JWCIQ TR | - | | 6120 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25M512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25M512JWCIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 512mbit | 7 ns | 플래시 | 64m x 8 | SPI | 5ms | |
| W9725G6KB25I | 2.4555 | | 9021 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W9725G6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 400 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q32FVZPIQ TR | - | | 8166 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q16DVWS | - | | 8214 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16DVWS | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q256FVEIP TR | - | | 3774 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W25N04KVSFIU TR | - | | 2415 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25N04 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 16- | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N04KVSFIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | spi-쿼드 i/o | 250µs | ||
| W25Q32JVSFJM | - | | 7212 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W25Q256JVEIM TR | 2.2650 | | 1801 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
 | W29GL032CL7T | - | | 9759 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29GL032 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
 | W631GU6MB-15 TR | - | | 1342 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||
| W25N512GVPIT TR | 1.6871 | | 8377 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N512GVPITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 166 MHz | 비 비 | 512mbit | 6 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
 | W25Q16FWSSAQ | - | | 7786 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16FWSSAQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
 | W972GG6JB-25 TR | - | | 8849 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W631GG8KB-15 TR | - | | 4129 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
 | W25Q256JVMIQ | 2.5322 | | 4855 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-WLGA 노출 ga | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-WFLGA (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q256JVMIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |
 | W9751G8KB-25 | 2.4400 | | 1 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W9751G8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | W948D2FBJX5I | - | | 8493 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | W948D2 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
| W25Q128FVPIF TR | - | | 5698 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
| W25Q64FWSFIG | - | | 5330 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 5ms | |||
 | W25Q32JVSTIQ | - | | 5903 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-VSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W29GL064CH7T | - | | 5310 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29GL064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
| W631GG6NB09J TR | - | | 5061 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG6NB09JTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | |
 | W29GL128CH9B TR | - | | 8927 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | W29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-LFBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
| W25M02GVZEIT | - | | 8162 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25M02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25M02GVZEIT | 쓸모없는 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 7 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | ||
| W632GG6MB-15 TR | - | | 9535 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W632GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
| W25Q257FVFIG | - | | 8870 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q257 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
| W25Q64FVSCB1 | - | | 7155 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms |
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