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통합 통합 (ICS) (2872)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
W25Q80BVSNIG Winbond Electronics W25Q80BVSNIG -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W987D2HBJX6I Winbond Electronics W987D2HBJX6I -
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W987D2 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
W25Q16DVZPAG Winbond Electronics W25Q16DVZPAG -
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DVZPAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q64JVSSSQ Winbond Electronics W25Q64JVSSSQ -
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVSSSQ 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W9864G6JB-6 TR Winbond Electronics W9864G6JB-6 TR 2.7335
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W9864G6 sdram 3V ~ 3.6V 60-VFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9864G6JB-6TR 귀 99 8542.32.0024 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 lvttl -
W9464G6KH-5 TR Winbond Electronics W9464G6KH-5 TR 1.2326
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9464G6 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 55 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
W631GU8NB-11 TR Winbond Electronics W631GU8NB-11 TR 3.0936
RFQ
 ECAD 7558 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU8NB-11TR 귀 99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
W25Q16JLSNIG TR Winbond Electronics W25Q16JLSNIG TR 0.4304
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JlSnigtr 귀 99 8542.32.0071 2,500 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W968D6DAGX7I Winbond Electronics W968D6DAGX7I -
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA W968D6 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W968D6DAGX7I 귀 99 8542.32.0041 480 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 70 ns psram 16m x 16 평행한 - 확인되지 확인되지
W25N04KWTBIR Winbond Electronics W25N04KWTBIR 6.5799
RFQ
 ECAD 7668 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N04KWTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 4gbit 8 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25N02KWZEIR Winbond Electronics W25N02KWZEIR 4.8000
RFQ
 ECAD 7450 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N02KWZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q128BVFBG Winbond Electronics W25Q128BVFBG -
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128BVFBG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 128mbit 7 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W631GG8MB15J Winbond Electronics W631GG8MB15J -
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8MB15J 쓸모없는 242 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W25Q128JVPIQ TR Winbond Electronics W25Q128JVPIQ TR 1.8100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W978H6KBVX2I TR Winbond Electronics W978H6KBVX2I TR 6.4200
RFQ
 ECAD 4545 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W978H6 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 3,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 16m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q16DVSSJG TR Winbond Electronics W25Q16DVSSJG TR -
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16DVSSJGTR 귀 99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W29GL256SH9T Winbond Electronics W29GL256SH9T -
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) W29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 256mbit 90 ns 플래시 16m x 16 평행한 90ns
W25Q128FWEIQ Winbond Electronics W25Q128FWEIQ -
RFQ
 ECAD 1904 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWEIQ 쓸모없는 8542.32.0071 63 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q64FVSFAQ Winbond Electronics W25Q64FVSFAQ -
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FVSFAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25P40VSNIG T&R Winbond Electronics W25P40VSNIG T & R -
RFQ
 ECAD 3109 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25P40 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 40MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 5ms
W25N01GVZEIR Winbond Electronics W25N01GVZEIR 2.8017
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N01GVZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 1gbit 7 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W631GG6NB-12 TR Winbond Electronics W631GG6NB-12 TR 4.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 3,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25Q64JVTBIQ Winbond Electronics W25Q64JVTBIQ 1.1865
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVTBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25N04KVZEIR Winbond Electronics W25N04KVZEIR 6.0522
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
W25Q40EWZPSG Winbond Electronics W25Q40ewzpsg -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q40 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q40ewzpsg 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
W25Q64JVWS Winbond Electronics W25Q64JVWS -
RFQ
 ECAD 2137 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) - - W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVWS 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25N02KWTCIR Winbond Electronics W25N02KWTCIR 4.3845
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N02KWTCIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25M02GVTCIT TR Winbond Electronics W25M02GVTCIT TR -
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 700µs
W25R64JWZPIQ Winbond Electronics W25R64JWZPIQ 2.2900
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25R64 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25R64JWZPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -
W632GG8MB12I TR Winbond Electronics W632GG8MB12I TR -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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