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W25Q80BLSSIG Winbond Electronics W25Q80BLSSIG -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 80MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
W66BQ6NBUAGJ Winbond Electronics W66BQ6NBUAGJ 5.1712
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66BQ6 sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BQ6NBUAGJ 귀 99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q128JVFSM Winbond Electronics W25Q128JVFSM -
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JVFSM 1 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q80BVSNSG Winbond Electronics W25Q80BVSNSG -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVSNSG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W29N04GWBIBA Winbond Electronics W29N04GWBIBA -
RFQ
ECAD 6067 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W29N04 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 4gbit 35 ns 플래시 512m x 8 평행한 35ns
W25Q256JVFIQ TR Winbond Electronics W25Q256JVFIQ TR 2.3663
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ECAD 8391 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W29GL128CL9B Winbond Electronics W29GL128CL9B -
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ECAD 1872 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga W29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 171 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
W978H2KBVX1E Winbond Electronics W978H2KBVX1E 5.1184
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ECAD 9299 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W978H2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W978H2KBVX1E 귀 99 8542.32.0024 168 533 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 HSUL_12 15ns
W631GU6MB15J TR Winbond Electronics W631GU6MB15J TR -
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ECAD 1100 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU6MB15JTR 쓸모없는 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
W25Q41EWUXAE Winbond Electronics W25Q41ewuxae -
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ECAD 5418 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q41 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q41ewuxae 1 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
W25Q64JVTBIQ TR Winbond Electronics W25Q64JVTBIQ TR 1.1439
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ECAD 4668 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVTBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W29N01HWDINF TR Winbond Electronics W29n01hwdinf tr -
RFQ
ECAD 5315 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA W29N01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (8x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N01HWDINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 비 비 1gbit 22 ns 플래시 64m x 16 onfi 25ns
W25Q16JLSNIG Winbond Electronics W25Q16JLSNIG 0.5100
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ECAD 595 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JLSNIG 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128FVCJF TR Winbond Electronics W25Q128FVCJF TR -
RFQ
ECAD 7646 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128FVCJFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q64BVZEIG Winbond Electronics W25Q64BVZEIG -
RFQ
ECAD 8371 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 63 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 3ms
W978H2KBQX2E Winbond Electronics W978H2KBQX2E -
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA W978H2 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 168 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 8m x 32 평행한 15ns
W25Q64JWUUIQ TR Winbond Electronics W25Q64JWUUIQ TR 0.8975
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ECAD 7605 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64Jwuuiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q80BVUXAG Winbond Electronics W25Q80BVUXAG -
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVUXAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32DWSSIG TR Winbond Electronics W25Q32DWSSIG TR -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W25N02JWTBIF TR Winbond Electronics W25N02JWTBIF TR 5.1250
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWTBIFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 비 비 2gbit 6 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 700µs
W25N512GVPIG TR Winbond Electronics W25N512GVPIG TR 1.6871
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ECAD 5021 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVPIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 166 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q16CVNA01 Winbond Electronics W25Q16CVNA01 -
RFQ
ECAD 1764 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 - - - W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16CVNA01 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W66CM2NQUAGJ TR Winbond Electronics W66cm2nquagj tr 9.0450
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ECAD 7756 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66CM2 sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66CM2NQUAGJTR 귀 99 8542.32.0036 2,500 1.866 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25N02JWSFIC TR Winbond Electronics W25N02JWSFIC TR 4.9664
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ECAD 2824 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWSFICTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 2gbit 6 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 700µs
W25Q40EWZPAG Winbond Electronics W25Q40ewzpag -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q40 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q40ewzpag 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 4mbit 7 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q64JVZESM Winbond Electronics W25Q64JVZESM -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZESM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16FWSNAQ Winbond Electronics W25Q16FWSNAQ -
RFQ
ECAD 9598 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWSNAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25X32VSFIG Winbond Electronics W25x32vsfig -
RFQ
ECAD 5495 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25x32 플래시 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 3ms
W631GG8MB11I TR Winbond Electronics W631GG8MB11I TR -
RFQ
ECAD 5665 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8MB11IT 귀 99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W632GG6NB-11 Winbond Electronics W632GG6NB-11 4.8018
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ECAD 4316 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고