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W25Q16CVZPIG Winbond Electronics W25Q16CVZPIG -
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ECAD 3253 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q128FWPIF TR Winbond Electronics W25Q128FWPIF TR -
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ECAD 4408 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWPIFTR 쓸모없는 5,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q32FVZEJQ TR Winbond Electronics W25Q32FVZEJQ TR -
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ECAD 6458 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32FVZEJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q16JWUXIM TR Winbond Electronics W25Q16Jwuxim tr -
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ECAD 3096 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16Jwuximtr 귀 99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W29N01HVBINF TR Winbond Electronics W29N01HVBINF TR 2.8748
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ECAD 1868 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W29N01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N01HVBINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 1gbit 20 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
W25Q128BVEJP TR Winbond Electronics W25Q128BVEJP TR -
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ECAD 1096 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128BVEJPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q128FWSIF TR Winbond Electronics W25Q128FWSIF TR -
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ECAD 4282 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWSIFTR 쓸모없는 2,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q32FWSFIG Winbond Electronics W25Q32FWSFIG -
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ECAD 4774 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W97BH6MBVA1E Winbond Electronics W97BH6MBVA1E 6.3973
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ECAD 2319 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97BH6 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97BH6MBVA1E 귀 99 8542.32.0036 168 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 HSUL_12 15ns
W631GG6MB09J Winbond Electronics W631GG6MB09J -
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ECAD 7072 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6MB09J 쓸모없는 198 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25Q80BVNB01 Winbond Electronics W25Q80BVNB01 -
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ECAD 2310 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 - - - W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVNB01 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32JVUUIQ TR Winbond Electronics W25Q32JVUUIQ TR 0.5808
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ECAD 8017 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25Q32JVUUIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W631GU8KB15I Winbond Electronics W631GU8KB15I -
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ECAD 8434 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-WBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W71NW10GF3FW Winbond Electronics W71NW10GF3FW -
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ECAD 3375 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - W71NW10 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W71NW10GF3FW 210 400MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 - - -
W25N02JWZEIC TR Winbond Electronics W25N02JWZEIC TR 4.5750
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ECAD 5166 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWZEICTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 166 MHz 비 비 2gbit 6 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 700µs
W25Q32FVZEJQ Winbond Electronics W25Q32FVZEJQ -
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ECAD 1498 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W631GG8NB-12 Winbond Electronics W631GG8NB-12 3.2692
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ECAD 9348 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8NB-12 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W25Q128FWPIQ TR Winbond Electronics W25Q128FWPIQ TR -
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ECAD 6433 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWPIQTR 쓸모없는 5,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W971GG8NB-18 Winbond Electronics W971GG8NB-18 2.9983
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ECAD 7396 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-VFBGA W971GG8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x9.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W971GG8NB-18 귀 99 8542.32.0032 264 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 350 ps 음주 128m x 8 SSTL_18 15ns
W634GU6QB11I Winbond Electronics W634GU6QB11I 6.7565
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ECAD 2921 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W634GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W634GU6QB11I 귀 99 8542.32.0036 198 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
W25Q128BVEJG Winbond Electronics W25Q128BVEJG -
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ECAD 3621 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25M02GVTBJR Winbond Electronics W25M02GVTBJR -
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ECAD 5822 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GVTBJR 쓸모없는 480 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W631GG6NB09I Winbond Electronics W631GG6NB09I 4.9700
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ECAD 198 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6NB09I 귀 99 8542.32.0032 198 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25Q16DWBYIG TR Winbond Electronics W25Q16DWBYIG TR -
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ECAD 6405 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-UFBGA, WLCSP W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-WLCSP (1.56x2.16) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,500 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 3ms
W25Q01JVTBIQ TR Winbond Electronics W25Q01JVTBIQ TR 9.2850
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ECAD 1089 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q01JVTBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 1gbit 7.5 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 3.5ms
W25Q80JVSVIQ Winbond Electronics W25Q80JVSVIQ -
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ECAD 7691 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVZPSM Winbond Electronics W25Q64JVZPSM -
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ECAD 2110 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZPSM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16JWUUAM Winbond Electronics W25Q16Jwuuam -
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ECAD 3878 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWUUAM 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q32DWZPIG TR Winbond Electronics W25Q32DWZPIG TR -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W25N04KVSFIR TR Winbond Electronics W25N04KVSFIR TR -
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ECAD 5042 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVSfirtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고