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W632GU8NB15I Winbond Electronics W632GU8NB15I 5.2744
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W25Q21EWXHAE Winbond Electronics W25Q21ewxhae -
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 W25Q21 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- Xson (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q21ewxhae 1 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o -
W25Q32BVSFJP TR Winbond Electronics W25Q32BVSFJP TR -
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ECAD 8910 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32BVSFJPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics W632GU6KB-15 TR -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W632GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25N512GVPIT Winbond Electronics W25N512GVPIT 1.9638
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVPIT 3A991B1A 8542.32.0071 570 166 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W97AH6KBQX2I Winbond Electronics W97AH6KBQX2I -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA W97AH6 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 168 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
W25Q64FVZEJQ Winbond Electronics W25Q64FVZEJQ -
RFQ
ECAD 2586 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W97AH6NBVA2I TR Winbond Electronics W97AH6NBVA2I TR 3.8700
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ECAD 7690 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97AH6 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97AH6NBVA2IT 귀 99 8542.32.0032 3,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q16BVSFIG Winbond Electronics W25Q16BVSFIG -
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ECAD 4733 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32JWBYIM TR Winbond Electronics W25Q32JWBYIM TR 0.7341
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-UFBGA, WLCSP 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 12-WLCSP (2.31x2.03) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25Q32JWBYIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W25N04KWTCIR Winbond Electronics W25N04KWTCIR 6.5799
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N04KWTCIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 4gbit 8 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W631GU8NB-09 Winbond Electronics W631GU8NB-09 3.4137
RFQ
ECAD 7432 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU8NB-09 귀 99 8542.32.0032 242 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
W25Q128JVCIQ TR Winbond Electronics W25Q128JVCIQ TR 1.6261
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ECAD 8695 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25N512GVFIT Winbond Electronics W25N512GVFIT 2.1360
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ECAD 5867 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVFIT 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W9425G6JB-5 TR Winbond Electronics W9425G6JB-5 TR -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W9425G6 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 55 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q64FVDAIQ Winbond Electronics W25Q64FVDAIQ -
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ECAD 6420 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 90 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W631GG8NB09J TR Winbond Electronics W631GG8NB09J TR -
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ECAD 6502 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8NB09JTR 귀 99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W29N01HVBINF TR Winbond Electronics W29N01HVBINF TR 2.8748
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ECAD 1868 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W29N01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N01HVBINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 1gbit 20 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
W25Q16JWUXIM TR Winbond Electronics W25Q16Jwuxim tr -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16Jwuximtr 귀 99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128BVEJP TR Winbond Electronics W25Q128BVEJP TR -
RFQ
ECAD 1096 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128BVEJPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q80BVNB01 Winbond Electronics W25Q80BVNB01 -
RFQ
ECAD 2310 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 - - - W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVNB01 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32FVZEJQ TR Winbond Electronics W25Q32FVZEJQ TR -
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ECAD 6458 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32FVZEJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W632GG8MB11J Winbond Electronics W632GG8MB11J -
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ECAD 3792 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W74M12JVZPIQ Winbond Electronics W74M12JVZPIQ -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W74M12 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 256-W74M12JVZPIQ 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W25Q16JVUUAM Winbond Electronics W25Q16JVUUAM -
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (4x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JVUUAM 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W632GG6KB11I Winbond Electronics W632GG6KB11I -
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q64CVTBIP TR Winbond Electronics W25Q64CVTBIP TR -
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ECAD 2004 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q64CVTBIPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W29GL032CB7A Winbond Electronics W29GL032CB7A -
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ECAD 2710 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA W29GL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR 2.7662
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ECAD 8874 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-TFBGA W949D2 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
W955N8MBYA5I TR Winbond Electronics W955n8mbya5i tr 1.3075
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ECAD 9281 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 24-TBGA 하이퍼 하이퍼 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W955N8MBYA5ITR 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 32mbit 35 ns 음주 4m x 8 hyperbus 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고