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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25X32VZEIG | - |  | 3216 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25x32 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 3ms | |||
 | W25Q20ewuxbe | - | | 6388 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q20 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (2x3) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q20ewuxbe | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 2mbit | 6 ns | 플래시 | 256k x 8 | spi-쿼드 i/o | 30µs, 800µs | |||
 | W25P16VSFIG T & R. | - | | 5668 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25P16 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 50MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI | 7ms | |||
 | W631GG8NB09I | 4.9700 | | 239 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG8NB09I | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | sstl_15 | 15ns | |
 | W25M121AVEIT | - | | 4527 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25M121 | 플래시- NAND, FLASH -NOR | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25M121AVEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit (Flash-Nor), 1gbit (Flash-Nand) | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 (Flash-Nor), 128m x 8 (Flash-Nand) | spi-쿼드 i/o | 3ms | |
 | W66cm2nquagi tr | - | | 5613 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | W66CM2 | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 256m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |||
 | W631GG6KB-11 | - | | 5880 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W25Q16DVZPJP | - | | 3199 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25M512JVCIQ TR | - | | 1768 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25M512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI | - | |||
| W25Q512JVEIM TR | 4.8300 | | 3224 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q512JVEIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||
| W25Q64JVZEJM TR | - | | 5200 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q64JVZEJMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
 | W25Q64JWXGIQ TR | 0.8975 | | 4002 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-xdfn d 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8- Xson (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64JWXGIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
 | W25Q128JVTIM TR | - | | 9527 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | ||||||
 | W25Q32BVSSJG TR | - | | 8960 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q32BVSSJGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | ||
 | W632GU6MB-11 | - | | 2530 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W632GU6 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W25Q128JVBJM TR | - | | 9132 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q128JVBJMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||
 | W97AH6KBVX2E | - | | 6475 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W97AH6 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 168 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
| W25Q256JVFJQ | - | | 3178 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.39.0001 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W25Q128JVEIM | 1.7203 | | 5842 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | |||
 | W9412G6KH-4 TR | - | | 6766 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9412G6 | sdram -ddr | 2.4V ~ 2.7V | 66-TSOP II | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 48 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
 | W988D2FBJX6I TR | - | | 7921 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | W988D2 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
| W972GG8JB-3I | - | | 6923 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (11x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 189 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
| W947D6HKB-5J TR | - | | 3676 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W947D6HKB-5JTR | 1 | |||||||||||||||||||
| W25Q32BVZEAG | - | | 1535 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32BVZEAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 5 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
| W25Q64CVTBSG | - | | 3668 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64CVTBSG | 쓸모없는 | 1 | 80MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W9816G6JB-6 | 2.3023 | | 4210 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W9816G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W19B320ABT7H | - | | 2729 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W19B320 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
| W25Q64JVZEJQ | - | | 5889 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W25Q128JVSIM | 1.7100 | | 47 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | |||
 | W972GG6JB-3I | - | | 8266 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W972GG6JB3I | 귀 99 | 8542.32.0032 | 144 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns |
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