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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25Q64JVSSIQ TR | 1.1500 |  | 213 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
| W25Q32JWSSSQ | - | | 7528 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32JWSSSQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 5ms | |||||
 | W948D6FBHX6E | - | | 4469 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 312 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
| W25Q128FVSIQ TR | - | | 4179 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | ||||
 | W25Q512Jveiq | 6.5900 | | 13 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||||
 | W25Q16CVZPAG | - | | 7415 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16CVZPAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | ||||
 | W972GG8JB25I TR | - | | 4981 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (11x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
| W25Q64CVSSIG | - | | 2635 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | Q5822008 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 80MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q40ewsnbg | - | | 5141 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q40 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q40EWSNBG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 6 ns | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 30µs, 800µs | ||||
| W25Q16JLZPIG | - | | 4371 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms | ||||
 | W9825G6KH-6I TR | 1.9510 | | 5513 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9825G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | |||
| W25Q64JVSSJM TR | - | | 5335 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q64JVSSJMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
 | W27C512-45Z | - | | 6634 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) | W27C512 | eeprom | 4.75V ~ 5.25V | 28-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 15 | 비 비 | 512kbit | 45 ns | eeprom | 64k x 8 | 평행한 | - | ||||
| W25Q128FVEAQ | - | | 1087 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | * | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128FVEAQ | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||
 | W971GG8NB-18I TR | 2.7826 | | 8170 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-VFBGA | W971GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-VFBGA (8x9.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W971GG8NB-18ITR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 350 ps | 음주 | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | ||
 | W25Q257FVFIF | - | | 5297 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q257 | 플래시 - 아니오 | 확인되지 확인되지 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q256FVCIP TR | - | | 7031 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | ||||
| W25Q64JVSSJM | - | | 9323 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
 | W29N08GVSIAA | 17.4700 | | 93 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 256-W29N08GVSIAA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 8gbit | 25 ns | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | 25ns, 700µs | |||||
 | W25Q16JWBYIM | - | | 6186 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-UFBGA, WLCSP | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-WLCSP (1.56x2.16) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16JWBYIM | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
 | W631GU8NB-12 | 3.2692 | | 6499 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU8NB-12 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
| W25Q32FVZPJF TR | - | | 3773 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q32FVZPJFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
| W97BH6KBQX2I | - | | 1032 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | W97BH6 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 168 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
| W29N08GVSIAA TR | 12.4950 | | 7256 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 256-W29N08GVSIAAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 8gbit | 20 ns | 플래시 | 1g x 8 | onfi | 25ns, 700µs | |||||
| W9812G6KH-5I TR | 1.7328 | | 6869 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9812G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9812G6KH-5IT | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 4.5 ns | 음주 | 8m x 16 | lvttl | - | ||
 | W25Q256FVBIP TR | - | | 9139 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | ||||
| W25Q128JVSJM | - | | 6342 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||||
| W19B320BTT7H | - | | 4849 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W19B320 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
| W25Q16CVSSJP TR | - | | 7284 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q16CVSSJPTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
| W25Q64FVZPIF TR | - | | 2804 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q64FVZPIFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms |
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