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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W9812G6JB-6 | - | ![]() | 6324 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W9812G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 319 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
W25Q81ewxhae | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-xfdfn 노출 패드 | W25Q81 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- Xson (2x3) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q81ewxhae | 1 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | ||||||
![]() | W25M02GVZEIT TR | - | ![]() | 7601 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25M02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | SPI | 700µs | |||
W25Q32FVTCJF TR | - | ![]() | 1429 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q32FVTCJFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q80BVSSSG | - | ![]() | 5839 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q80 | 플래시 - 아니오 | 2.5V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q80BVSSSG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 6 ns | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q256JWBIQ | 2.8675 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q256JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 5ms | |
![]() | W631GU8MB12I | - | ![]() | 2977 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | W972GG8KB-25 | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 189 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W25Q128FVSIQ TR | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
W948D6FBHX6E | - | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 312 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | W25Q40ewwa | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | - | - | W25Q40 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q40ewwa | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 7 ns | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q128fvbag | - | ![]() | 9748 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | * | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 24-TFBGA (6x8) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128fvbag | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||
![]() | W631GU8MB-09 | - | ![]() | 1371 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU8MB-09 | 쓸모없는 | 242 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | sstl_15 | 15ns | ||
![]() | W25Q32DWZEIG TR | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms | |||
![]() | W25Q16JWSNAM | - | ![]() | 5217 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16JWSNAM | 1 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||||
![]() | W25Q128FWSAQ | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128FWSAQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | |||
W25Q128JVPIQ | 1.7100 | ![]() | 138 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||||
![]() | W25Q32JVSSJM | - | ![]() | 3027 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
![]() | W25N02KWTBIR | 4.3845 | ![]() | 3690 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 256-W25N02KWTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 8 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |||
![]() | W9825G2JB-6 | - | ![]() | 4206 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | W9825G2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | W631GU8KB15I TR | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
W25Q16JVZPJM TR | - | ![]() | 3373 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q16JVZPJMTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
![]() | W25Q16CVSSAG | - | ![]() | 1725 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16CVSSAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q257JVEIQ TR | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q257 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q257JVEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |
![]() | W25Q40BWSNIG TR | - | ![]() | 9177 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q40 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 80MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | |||
W948D6KBHX5I | 3.0563 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 312 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
W25Q64DWZPIG | - | ![]() | 7768 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms | ||||
W631GG6KB-11 TR | - | ![]() | 6437 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | W25Q256FVCIG | - | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q80DLSNIG TR | - | ![]() | 8964 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q80 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q80DLSNIGTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 80MHz | 비 비 | 8mbit | 6 ns | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 30µs, 3ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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