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W9812G6JB-6 Winbond Electronics W9812G6JB-6 -
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ECAD 6324 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA W9812G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 319 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
W25Q81EWXHAE Winbond Electronics W25Q81ewxhae -
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ECAD 1157 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 W25Q81 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- Xson (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q81ewxhae 1 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o -
W25M02GVZEIT TR Winbond Electronics W25M02GVZEIT TR -
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ECAD 7601 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 700µs
W25Q32FVTCJF TR Winbond Electronics W25Q32FVTCJF TR -
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ECAD 1429 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32FVTCJFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q80BVSSSG Winbond Electronics W25Q80BVSSSG -
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ECAD 5839 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVSSSG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q256JWBIQ Winbond Electronics W25Q256JWBIQ 2.8675
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ECAD 3978 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q256JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W631GU8MB12I Winbond Electronics W631GU8MB12I -
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ECAD 2977 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W972GG8KB-25 Winbond Electronics W972GG8KB-25 -
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ECAD 6559 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W972GG8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 189 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
W25Q128FVSIQ TR Winbond Electronics W25Q128FVSIQ TR -
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ECAD 4179 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W948D6FBHX6E Winbond Electronics W948D6FBHX6E -
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ECAD 4469 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W948D6 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 312 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q40EWWA Winbond Electronics W25Q40ewwa -
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ECAD 7703 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) - - W25Q40 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q40ewwa 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 4mbit 7 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q128FVBAG Winbond Electronics W25Q128fvbag -
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ECAD 9748 0.00000000 윈 윈 전자 본드 * 튜브 쓸모없는 표면 표면 24-TBGA W25Q128 24-TFBGA (6x8) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128fvbag 쓸모없는 1
W631GU8MB-09 Winbond Electronics W631GU8MB-09 -
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ECAD 1371 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU8MB-09 쓸모없는 242 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W25Q32DWZEIG TR Winbond Electronics W25Q32DWZEIG TR -
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ECAD 8841 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W25Q16JWSNAM Winbond Electronics W25Q16JWSNAM -
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ECAD 5217 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWSNAM 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128FWSAQ Winbond Electronics W25Q128FWSAQ -
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ECAD 9350 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWSAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q128JVPIQ Winbond Electronics W25Q128JVPIQ 1.7100
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ECAD 138 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q32JVSSJM Winbond Electronics W25Q32JVSSJM -
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ECAD 3027 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25N02KWTBIR Winbond Electronics W25N02KWTBIR 4.3845
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ECAD 3690 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N02KWTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W9825G2JB-6 Winbond Electronics W9825G2JB-6 -
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ECAD 4206 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W9825G2 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
W631GU8KB15I TR Winbond Electronics W631GU8KB15I TR -
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ECAD 8923 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA W631GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-WBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W25Q16JVZPJM TR Winbond Electronics W25Q16JVZPJM TR -
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ECAD 3373 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16JVZPJMTR 귀 99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16CVSSAG Winbond Electronics W25Q16CVSSAG -
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ECAD 1725 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16CVSSAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q257JVEIQ TR Winbond Electronics W25Q257JVEIQ TR -
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ECAD 6048 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q257 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q257JVEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q40BWSNIG TR Winbond Electronics W25Q40BWSNIG TR -
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ECAD 9177 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q40 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 80MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
W948D6KBHX5I Winbond Electronics W948D6KBHX5I 3.0563
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ECAD 4592 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W948D6 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 312 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q64DWZPIG Winbond Electronics W25Q64DWZPIG -
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ECAD 7768 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 3ms
W631GG6KB-11 TR Winbond Electronics W631GG6KB-11 TR -
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ECAD 6437 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W25Q256FVCIG Winbond Electronics W25Q256FVCIG -
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ECAD 3508 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q80DLSNIG TR Winbond Electronics W25Q80DLSNIG TR -
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ECAD 8964 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80DLSNIGTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 80MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고