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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W632GG8KB-12 TR | - |  | 7520 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | W632GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||
| W631GG8NB12J | - | | 1046 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG8NB12J | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | sstl_15 | 15ns | |
 | W25Q32FWSSIQ TR | - | | 1759 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q32FWSSIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | ||
 | W19B320ATT7H | - | | 9646 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W19B320 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
| W632GU8MB15I TR | - | | 9175 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W632GU8 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
| W74M64JVSSIQ | 1.6110 | | 3215 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W74M64 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W74M64JVSSIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | ||
 | W25Q128FVEIG TR | - | | 8990 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
 | W9751G8KB25I | - | | 9521 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W9751G8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
| W25Q16VSSIG | - | | 1752 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 90 | 80MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q16DVUUJP | - | | 3648 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8- 호스 (4x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W66BM6NBUAHJ TR | 6.4200 | | 4864 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | W66BM6 | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W66BM6NBUAHJTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
 | W9412G6JB-5I TR | - | | 3682 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W9412G6 | sdram | 2.7V ~ 2.3V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9412G6JB-5IT | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 8m x 16 | lvttl | 15ns | |
| W9864G6JB-6I | 3.0164 | | 1757 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W9864G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9864G6JB-6I | 귀 99 | 8542.32.0024 | 286 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 16 | lvttl | - | |
 | W632GG6KB-18 | - | | 1578 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | W632GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
| W631GU6KB-12 TR | - | | 5689 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-WBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W25N02KVTBIR | 4.2208 | | 1760 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25N02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N02KVTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 7 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
| W25M02GVZEIT TR | - | | 7601 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25M02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | SPI | 700µs | |||
| W25Q64FVSS00 | - | | 4302 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms | |||
 | W27C512-45Z | - | | 6634 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) | W27C512 | eeprom | 4.75V ~ 5.25V | 28-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 15 | 비 비 | 512kbit | 45 ns | eeprom | 64k x 8 | 평행한 | - | |||
 | W25X16VSFIG T & R. | - | | 9307 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25x16 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 75MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI | 3ms | |||
| W25Q32DWZEIG | - | | 3364 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 3ms | |||
 | W29GL032CT7A | - | | 3507 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | W29GL032 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
 | W25Q80BWZPIG TR | - | | 2028 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q80 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 80MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | |||
| W956d8mbya6i | - | | 9437 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 24-TBGA | W956D8 | 하이퍼 하이퍼 | 1.7V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W956D8MBYA6I | 귀 99 | 8542.32.0002 | 312 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 36 ns | 음주 | 8m x 8 | hyperbus | 36ns | |
| W25Q64CVSFJP TR | - | | 6715 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q64CVSFJPTR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 80MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | ||
| W25Q16Jluxig Tr | 0.6600 | | 8 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8- 호스 (2x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
 | W631GU6NB-11 TR | 2.9730 | | 1001 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6NB-11TR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | W972GG6KB-25 | 12.6200 | | 7 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 144 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
| W25Q32JWSSIG TR | - | | 7958 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q32JWSSIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 5ms | ||
| W631GG6KS12I | - | | 5623 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 96-VFBGA | 96-VFBGA (7.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 |
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