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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W25Q16JWBYIM | - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-UFBGA, WLCSP | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-WLCSP (1.56x2.16) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16JWBYIM | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
![]() | W9751G6NB-25 TR | 2.0515 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-VFBGA | W9751G6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-VFBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9751G6NB-25TR | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | W631GU6MB15J | - | ![]() | 8874 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6MB15J | 쓸모없는 | 198 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W25Q128FVTIG | - | ![]() | 5412 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q01JVSFIQ TR | 8.9400 | ![]() | 8714 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q01JVSFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 7.5 ns | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3.5ms | |
![]() | W25Q16FWUXSQ | - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (2x3) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16FWUXSQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 6 ns | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
![]() | W956D8MBKX5I | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | W956D8 | 하이퍼 하이퍼 | 1.7V ~ 2V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W956D8MBKX5I | 귀 99 | 8542.32.0002 | 312 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 음주 | 8m x 8 | hyperbus | - | ||
![]() | W25Q16JWSSIM TR | 0.4992 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q16JWSSIMTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
W25Q64JVTCIQ TR | 1.1439 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
W632GU6MB-11 | - | ![]() | 2530 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W632GU6 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | W25Q512NWFIQ | 5.9009 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q512 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q512NWFIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 6 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | |
W25Q16JVZPJQ | - | ![]() | 5555 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q128JVBJQ TR | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q128JVBJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3ms | ||
![]() | W9412G6KH-5 TR | 1.5720 | ![]() | 6168 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9412G6 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 50 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W25N512GVBIR TR | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N512GVBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 비 비 | 512mbit | 6 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
![]() | W25Q80BVSSBG | - | ![]() | 8398 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q80 | 플래시 - 아니오 | 2.5V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q80BVSSBG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 6 ns | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
![]() | W25Q32FWSSBQ | - | ![]() | 3956 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32FWSSBQ | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | |||
W632GG6KB-15 | - | ![]() | 4321 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | W632GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | |||
W631GG6MB11I TR | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | W66bl6nbuahj tr | 6.3150 | ![]() | 9305 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | W66BL6 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W66Bl6nbuahjtr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W631GU8KB15I TR | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
W631GU6NB11I TR | 4.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | W25M02GVSFJG | - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25M02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25M02GVSFJG | 쓸모없는 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 7 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | ||
![]() | W25Q512JVFIM | 6.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | ||||
![]() | W25Q128JWSAQ | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWSAQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
![]() | W972GG8KB25I | - | ![]() | 7323 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 189 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | W631GU6NB12J TR | - | ![]() | 6097 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6NB12JTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | W25N01GVZEIG TR | 3.7600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25N01 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI | - | |||
![]() | W25Q256JWBIQ | 2.8675 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q256JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 5ms | |
![]() | W63AH2NBVABE TR | 4.1409 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 178-VFBGA | W63AH2 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 178-VFBGA (11x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W63AH2NBVABERT | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5.5 ns | 음주 | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns |
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