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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DG213DQ-E3 | - |  | 8837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG213 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 360 | - | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 60ohm | 1ohm | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 130ns, 100ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG1411EN-T1-GE4 | - | | 7001 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vqfn q 패드 | DG1411 | 4 | 16-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 210MHz | spst -nc | 1 : 1 | 1.8ohm | 80mohm | 4.5V ~ 24V | ± 4.5V ~ 15V | 150ns, 120ns | -20pc | 11pf, 24pf | 550PA | -100dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG419LDY-E3 | - | | 6599 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG419 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | DG419LDYE3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spdt | 2 : 1 | 20ohm | - | 2.7V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 43ns, 31ns | 1pc | 5pf | 1NA | -71dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | DG2034EDN-T1-GE4 | 1.5800 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-vfqfn 노출 패드 | DG2034 | 1 | 12-QFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 166MHz | SP4T | 4 : 1 | 2.5ohm | 20mohm | 1.8V ~ 5.5V | - | 25ns, 20ns | -2.6pc | 7pf, - | 2NA | -71dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32104DB-T1-GE1 | 0.6641 | | 1393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32104 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 7a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC772CD-T1-GE3 | - | | 5037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC772 | Drmos | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 40a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32409DNP-T1-GE4 | 0.6400 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP32409 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 44mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG4052EY-T1-GE3 | 1.6200 | | 843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG4052 | 2 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 353MHz | SP4T | 4 : 1 | 78ohm | 910mohm | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 75ns, 88ns | 0.3pc | 2.2pf, 4.8pf | 1NA | -105dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG201BDJ | - | | 7596 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG201 | 4 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 85ohm | 2ohm | 4.5V ~ 25V | ± 4.5V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP12110DMP-T1-GE4 | 1.0247 | | 9537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | SIP12110 | 15V | 조절할 조절할있는 | 16-mlp (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 400kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.6V | 5.5V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP2802DY-T1-E3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2802 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 8.3V ~ 12V | 외딴 | 아니요 | - | 플라이백 | 12.5 v | 99% | 46kHz | 현재 현재 | 주파수 주파수 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-285-E3 | - | | 7734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC632ACD-T1-GE3 | 2.8000 | | 758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC632 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9424DQ-T1-E3 | - | | 7175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG9424 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 3ohm | - | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 51ns, 35ns | 38pc | 49pf, 37pf | 1NA | -77dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG604EN-T1-E4 | - | | 6127 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-wfqfn | DG604 | 2 | 16-MINIQFN (1.8x2.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 400MHz | spst- 아니요 | 1 : 1 | 115ohm | 1ohm | 2.7V ~ 12V | ± 2.7V ~ 5V | 60ns, 52ns | 0.7pc | 2.7pf, 7.3pf | 100pa | -81dB @ 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411LDY-T1-E3 | - | | 4978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG411 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 280MHz | spst -nc | 1 : 1 | 17ohm | - | 2.7V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 19ns, 12ns | 5pc | 5pf, 6pf | 250PA | -95dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG442DJ | - | | 6169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG442 | 4 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DG442DJVSI | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 85ohm | 4ohm (() | 12V | ± 15V | 250ns, 210ns | -1pc | 4pf, 4pf | 500pa | -100dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2715DL-T1-E3 | - | | 4187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | DG2715 | 1 | SC-70-5 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 600mohm | - | 1.5V ~ 3.6V | - | 29ns, 26ns | 9pc | 72pf | 1NA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9426DQ-T1-E3 | - | | 4180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG9426 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 3ohm | - | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 51ns, 35ns | 38pc | 49pf, 37pf | 1NA | -77dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SJM302BCC01 | - | | 2493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | SJM30 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG613EEN-T1-GE4 | 1.6100 | | 124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-Ufqfn | DG613 | 4 | 16-MINIQFN (1.8x2.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1GHz | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 115ohm | 2.5ohm | 3V ~ 12V | ± 3V ~ 5V | 50ns, 35ns | 1.4pc | 3pf, 3pf | 100pa | -74db @ 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411LEDQ-T1-GE3 | 1.9800 | | 70 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG411 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst -nc | 1 : 1 | 26ohm | - | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 50ns, 30ns | 6.6pc | 5pf, 6pf | 1NA | -114db @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2522DN-T1-E4 | - | | 8050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufqfn | DG2522 | 1 | 8-MINIQFN (1.4x1.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 105MHz | SP3T | 3 : 1 | 1.1ohm | 100mohm (h) | 1.6V ~ 5.5V | - | 75ns, 60ns | 27pc | 51pf | 20NA | -64dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91871DMP-12-E3 | - | | 9983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91871 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 150 µA | 275 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.2V | - | 1 | 0.57V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG419DY-T1 | - | | 1134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG419 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spdt | 2 : 1 | 35ohm | - | 12V | ± 15V | 175ns, 145ns | 60pc | 8pf, 8pf | 250PA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9431EDV-T1-GE3 | 2.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DG9431 | 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spdt | 1 : 2 | 25ohm | 400mohm | 2.7V ~ 5.5V | - | 75ns, 50ns | -0.78pc | 3.8pf | 100pa | -108dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9185DMP-33-T1-E3 | - | | 3853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-8 | SI9185 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5 MA | 4 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 500ma | 3.3v | - | 1 | 0.4V @ 500ma | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2748DN-T1-E4 | - | | 4095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufqfn | DG2748 | 2 | 8-MINIQFN (1.4x1.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 93MHz | spst -nc | 1 : 1 | 600mohm | 30mohm (h) | 1.6V ~ 4.3V | - | 25ns, 25ns | 10pc | 75pf, 55pf | 2NA | -90dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG419LEDY-GE3 | - | | 7995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG419 | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 3V ~ 16V |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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