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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI9122ADLP-T1-E3 | - |  | 4431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP65-20 | SI9122 | 트랜지스터 트랜지스터 | PowerPak® MLP65-20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 하프 하프 | 500kHz | 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 92% | 예 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC431DED-T1-GE3 | 3.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | 24V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIC431DED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 24A | 0.6V | 21.6V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG409LDQ-E3 | - | | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG409 | 2 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 360 | - | SP4T | 4 : 1 | 29ohm | 1ohm | 2V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 55ns, 25ns | 1pc | 7pf, 20pf | 1NA | -82dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG444BDJ | - | | 7459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG444 | 4 | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 80ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DVP-475-E3 | - | | 3072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 4.75V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DR-30-E3 | - | | 7440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 3V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9121DY-5-E3 | - | | 1399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, isdn is 공급 장치 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9121 | -10V ~ -60V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 1 | 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC451ED-T1-GE3 | 5.8100 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 34-powerwfqfn | SIC451 | 20V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP34-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIC451ED-T1-GE3CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1.5MHz | 긍정적인 | 예 | 25A | 0.3V | 12V | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC437DED-T1-GE3 | 2.8800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC437 | 28V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 12a | 0.6V | 20V | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9100DJ02-E3 | - | | 6338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | SI9100 | 70V | - | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 스텝 스텝 스텝, 다운 업/스텝 다운 | 1 | 벅, 부스트-벅, 플라이 백, 포워드 컨버터 | 40kHz ~ 1MHz | 양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력 | 아니요 | - | - | - | 10V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9978DW-E3 | - | | 5514 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | SI9978 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 14.5V ~ 17.5V | 24-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Si9978dwe3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 300 | 동기 | 하프 하프 | 4 | N- 채널 MOSFET | 1V, 4V | - | 110ns, 50ns | 40 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32458DB-T2-GE1 | 0.9100 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, CSPBGA | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32458 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 6-WLCSP (1.46x0.96) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 20mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 3A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP2801DY-T1-E3 | 1.9200 | | 9614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2801 | 트랜지스터 트랜지스터 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 | 7.4V ~ 12V | 1 | 벅, 벅, 부스트-부스트 | 46kHz | - | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 49% | 아니요 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DVP-12-E3 | - | | 2903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | - | 1 | - | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG485DJ | - | | 8287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG485 | 8 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 85ohm | 5.1ohm | - | ± 15V | 200ns, 200ns | 17pc | 7pf, 43pf | 1NA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC477ED-T1-GE3 | 5.3000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC477 | 55V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIC477ED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 8a | 0.8V | 24V | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91872DMP-12-E3 | - | | 9709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91872 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 170 µA | 330 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.2V | - | 1 | 0.57V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9987DY-E3 | - | | 2286 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9987 | MOSFET | 3.8V ~ 13.2V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 13.2V | 양극성 | 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9986CY-T1-E3 | - | | 3523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9986 | MOSFET | 3.8V ~ 13.2V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 13.2V | 양극성 | 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9121DY-3-E3 | - | | 9099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, isdn is 공급 장치 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9121 | -10V ~ -60V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 1 | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG181AA/883 | - | | 4481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 100-10 캔 금속 | DG181 | 2 | 100-10 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 20 | - | spst -nc | 1 : 1 | 30ohm | - | - | ± 15V | 150ns, 130ns | - | 9pf, 6pf | 1NA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG405DJ | - | | 5535 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG405 | 2 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DG405DJVSI | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | DPST- 아니요 | 2 : 1 | 45ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 150ns, 100ns | 60pc | 12pf, 12pf | 500pa | -90dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3861BDV-T1-E3 | - | | 8306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3861 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 60mohm | 4.5V ~ 20V | 범용 | 2.3a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM187BCC | - | | 8772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | SJM18 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2041DQ-T1-E3 | - | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG2041 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst -nc | 1 : 1 | 1.5ohm | 300mohm (최대) | 1.8V ~ 5.5V | - | 42ns, 32ns | 3pc | 26pf | 1NA | -93dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DT-26-E3 | - | | 4708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9913DY-T1-E3 | - | | 8044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9913 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1a, 1a | 30ns, 20ns | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP11206DQP-T1-E3 | - | | 6313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 | SIP11206 | 트랜지스터 트랜지스터 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 전방 전방 | 200kHz ~ 1MHz | 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 47% | 예 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIPQ3243333ADN-T1E3 | 1.6600 | | 5862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 2.8V ~ 22V | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 전자 전자 | 하이 하이 | ± 8% | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9243AEY-T1-E3 | - | | 8026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 트랜시버 | SI9243 | 4.5V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ISO 9141 | 1/2 | 반 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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