SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 전압 - 시작 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 전압 - 출력 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
SI9169BQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI9169BQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5325 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 컨버터, 1--리튬 이온 이온 휴대용 장치 장치 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI9169 2.7V ~ 6V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 1.3V 조정에
DG418DY-T1 Vishay Siliconix DG418DY-T1 -
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
SI9140DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9140DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1223 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9140 트랜지스터 트랜지스터 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 3V ~ 6.5V 1 책임 20kHz ~ 2MHz 활성화, 제어 주파수 긍정적인 1 - 아니요 -
SIP21106DR-475-E3 Vishay Siliconix SIP21106DR-475-E3 -
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SIP211 6V 결정된 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.75V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
SI9122ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI9122ADQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI9122 트랜지스터 트랜지스터 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝/업 다운 10.5V ~ 13.2V 1 하프 하프 500kHz 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 92% 아니요 -
SIP21106DVP-45-E3 Vishay Siliconix SIP21106DVP-45-E3 -
RFQ
ECAD 4480 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6V 결정된 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.5V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
DG213DQ-E3 Vishay Siliconix DG213DQ-E3 -
RFQ
ECAD 8837 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG213 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 360 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG1411EN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG1411EN-T1-GE4 -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG1411 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 210MHz spst -nc 1 : 1 1.8ohm 80mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 150ns, 120ns -20pc 11pf, 24pf 550PA -100dB @ 1MHz
DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2034EDN-T1-GE4 1.5800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-vfqfn 노출 패드 DG2034 1 12-QFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 166MHz SP4T 4 : 1 2.5ohm 20mohm 1.8V ~ 5.5V - 25ns, 20ns -2.6pc 7pf, - 2NA -71dB @ 1MHz
SIP32104DB-T1-GE1 Vishay Siliconix SIP32104DB-T1-GE1 0.6641
RFQ
ECAD 1393 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-UFBGA, WLCSP 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SIP32104 비 비 p 채널 1 : 1 12-WCSP (1.71x1.31) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 - 높은 높은 6.5mohm 2.3V ~ 5.5V 범용 7a
SIC772CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC772CD-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5037 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP66-40 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 SIC772 Drmos 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP66-40 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40a PWM 온도, 스루 싹, uvlo 반 반 유도 유도 - - 4.5V ~ 24V
SIP32409DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32409DNP-T1-GE4 0.6400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-ufdfn 노출 패드 하중 하중, 방전 속도 제어 SIP32409 비 비 n 채널 1 : 1 4-TDFN (1.2x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 44mohm 1.1V ~ 5.5V 범용 3.5a
DG4052EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG4052EY-T1-GE3 1.6200
RFQ
ECAD 843 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG4052 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 353MHz SP4T 4 : 1 78ohm 910mohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 75ns, 88ns 0.3pc 2.2pf, 4.8pf 1NA -105dB @ 100kHz
DG201BDJ Vishay Siliconix DG201BDJ -
RFQ
ECAD 7596 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG201 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIP12110DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP12110DMP-T1-GE4 1.0247
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 SIP12110 15V 조절할 조절할있는 16-mlp (3x3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 1 책임 400kHz ~ 1MHz 긍정적인 6A 0.6V 5.5V 4.5V
SIP2802DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP2802DY-T1-E3 1.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SIP2802 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 8.3V ~ 12V 외딴 아니요 - 플라이백 12.5 v 99% 46kHz 현재 현재 주파수 주파수
SIP21106DR-285-E3 Vishay Siliconix SIP21106DR-285-E3 -
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SIP211 6V 결정된 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
SIC632ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC632ACD-T1-GE3 2.8000
RFQ
ECAD 758 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 SIC632 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50a PWM UVLO 반 반 유도 유도 - - 4.5V ~ 24V
DG604EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG604EN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG604 2 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 400MHz spst- 아니요 1 : 1 115ohm 1ohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 60ns, 52ns 0.7pc 2.7pf, 7.3pf 100pa -81dB @ 10MHz
DG442DJ Vishay Siliconix DG442DJ -
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG442 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG442DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 4ohm (() 12V ± 15V 250ns, 210ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
DG2715DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG2715DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4187 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 DG2715 1 SC-70-5 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 600mohm - 1.5V ~ 3.6V - 29ns, 26ns 9pc 72pf 1NA -
DG9426DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9426DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4180 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG9426 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NO/NC 1 : 1 3ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 51ns, 35ns 38pc 49pf, 37pf 1NA -77dB @ 1MHz
SJM302BCC01 Vishay Siliconix SJM302BCC01 -
RFQ
ECAD 2493 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - - SJM30 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - - - - - - - - - - - -
DG613EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG613EEN-T1-GE4 1.6100
RFQ
ECAD 124 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG613 4 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1GHz SPST -NO/NC 1 : 1 115ohm 2.5ohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG411LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG411LEDQ-T1-GE3 1.9800
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG411 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst -nc 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG2522DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2522DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2522 1 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 105MHz SP3T 3 : 1 1.1ohm 100mohm (h) 1.6V ~ 5.5V - 75ns, 60ns 27pc 51pf 20NA -64dB @ 1MHz
SI91871DMP-12-E3 Vishay Siliconix SI91871DMP-12-E3 -
RFQ
ECAD 9983 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® MLP33-5 SI91871 6V 결정된 PowerPak® MLP33-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 150 µA 275 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.2V - 1 0.57V @ 300MA 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 극성 역, 단락
SI9185DMP-33-T1-E3 Vishay Siliconix SI9185DMP-33-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® MLP33-8 SI9185 6V 결정된 PowerPak® MLP33-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 MA 4 MA 활성화, 켜기 전원 재설정 긍정적인 500ma 3.3v - 1 0.4V @ 500ma 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
DG2748DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2748DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2748 2 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 93MHz spst -nc 1 : 1 600mohm 30mohm (h) 1.6V ~ 4.3V - 25ns, 25ns 10pc 75pf, 55pf 2NA -90dB @ 1MHz
DG419LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG419LEDY-GE3 -
RFQ
ECAD 7995 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 3V ~ 16V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고