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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIP21107DVP-45-E3 | - |  | 1416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 4.5V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG417BDJ | - | | 1212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG417 | 1 | 8-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 25ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 89ns, 80ns | 38pc | 12pf, 12pf | 250PA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG604EEQ-T1-GE3 | - | | 2384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | DG604 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3V ~ 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32101DB-T1-GE1 | 1.4100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32101 | - | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG411LEDY-GE3 | 1.9900 | | 9327 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG411 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | - | spst -nc | 1 : 1 | 26ohm | - | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 50ns, 30ns | 6.6pc | 5pf, 6pf | 1NA | -114db @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG213DY-T1-E3 | 2.9100 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG213 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 60ohm | 1ohm | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 130ns, 100ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32102DB-T1-GE1 | 1.4100 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32102 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 7a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9409DN-T1-E4 | - | | 3367 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vqfn q 패드 | DG9409 | 2 | 16-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | SP4T | 4 : 1 | 7ohm | 3.6ohm (h) | 2.7V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 70ns, 44ns | 29pc | 23pf, 112pf | 2NA | -85dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9104DW-T1-E3 | - | | 4108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | SI9104 | 120V | - | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 1 | 플라이백, 변환기 전방 | 40kHz ~ 1MHz | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 아니요 | - | - | - | 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9183DT-30-T1-E3 | - | | 7632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 3V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG419BDQ-T1-E3 | 3.2300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | DG419 | 1 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spdt | 2 : 1 | 25ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 89ns, 80ns | 38pc | 12pf, 12pf | 250PA | -88dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC772CD-T1-GE3 | - | | 5037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC772 | Drmos | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 40a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP12110DMP-T1-GE4 | 1.0247 | | 9537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | SIP12110 | 15V | 조절할 조절할있는 | 16-mlp (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 400kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.6V | 5.5V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2538DQ-T1-GE3 | - | | 8833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | DG2538 | 2 | 10-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 366MHz | spst -nc | 1 : 1 | 4.5ohm | 200mohm | 2.6V ~ 4.3V | ± 2.5V | 30ns, 35ns | 2.2pc | 8pf, 9pf | 250PA | -90dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-285-E3 | - | | 7734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP2802DY-T1-E3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2802 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 8.3V ~ 12V | 외딴 | 아니요 | - | 플라이백 | 12.5 v | 99% | 46kHz | 현재 현재 | 주파수 주파수 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG201BDJ | - | | 7596 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG201 | 4 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 85ohm | 2ohm | 4.5V ~ 25V | ± 4.5V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4052EY-T1-GE3 | 1.6200 | | 843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG4052 | 2 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 353MHz | SP4T | 4 : 1 | 78ohm | 910mohm | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 75ns, 88ns | 0.3pc | 2.2pf, 4.8pf | 1NA | -105dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM190BEA01 | - | | 7077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | SJM19 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG333ADW-T1-E3 | 5.8100 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | DG333 | 4 | 20- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | - | spdt | 2 : 1 | 45ohm | 2ohm (() | 5V ~ 40V | ± 4V ~ 22V | 175ns, 145ns | 10pc | 8pf | 250PA | -80dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9263DY | - | | 7361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG9263 | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 60ohm | 400mohm | 2.7V ~ 12V | - | 75ns, 50ns | 2pc | 7pf | 100pa | -90dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9136LG-E3 | - | | 7961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 90 ° C | 컨트롤러, 공급 전원 장치 | 표면 표면 | 28-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) | SI9136 | 5.5V ~ 30V | 28-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 225 | 3 | 3.3V, 5V, 12V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2706DN-T1-E4 | - | | 8274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-wfqfn | DG2706 | 4 | 16-MINIQFN (1.8x2.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spdt | 2 : 1 | 5.5ohm | 300mohm | 1.65V ~ 4.3V | - | 45ns, 35ns | 3pc | 16pf | 5NA | -90dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG418DY-E3 | 2.4500 | | 281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG418 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | DG418DYE3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 35ohm | - | 12V | ± 15V | 175ns, 145ns | 60pc | 8pf, 8pf | 250PA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32409DNP-T1-GE4 | 0.6400 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP32409 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 44mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3865BDV-T1-GE3 | - | | 5569 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3865 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 45mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 2.9A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9987DY-T1-E3 | - | | 5737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9987 | MOSFET | 3.8V ~ 13.2V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 13.2V | 양극성 | 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC820ED-T1-GE3 | 6.7800 | | 1602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | dc-dc 변환기, 동기 벅 컨버터 | 표면 표면 | 39-powervfqfn | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC820 | MOSFET | 3.3V ~ 5V | PowerPak® MLP39-65 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 80a | 논리, pwm | 전류, 초과의 온도 UVLO | 높은 높은 | 유도 유도 | - | - | 12V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9183DT-285-T1-E3 | - | | 5895 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dg611dy-e3 | - | | 9378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG611 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DG611Dye3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 500MHz | spst -nc | 1 : 1 | 45ohm | 2ohm | 10V ~ 18V | ± 10V ~ 15V | 35ns, 25ns | 4pc | 3pf, 2pf | 250PA | -87dB @ 5MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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