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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIP5638CS-TR-E3 | - |  | 4608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 48-LQFP | SCSI | SIP563 | 2.7V ~ 5.25V | 48-sqfp (7x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2512DN-T1-E4 | - | | 9070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-ufdfn | DG251 | 1 | 6- 미니 QFN (1x1.2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst -nc | 1 : 1 | 1.3ohm | 150mohm (최대) | 1.8V ~ 5.5V | - | 35ns, 31ns | 14pc | 19pf | 2NA | -64dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI4720CY-T1-E3 | - | | 6847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4720 | 다가기학 | - | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 전력 전력 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC610ACD-T1-GE3 | - | | 8116 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 742-SIC610ACD-T1-GE3 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC762CD-T1-GE3 | - | | 6849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC762 | Drmos | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 3,000 | 35a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 3V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG303BDY-E3 | 6.2000 | | 185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG303 | 2 | 14 -Soic | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | DG303BDye3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 55 | - | DPST -NO/NC | 2 : 1 | 50ohm | - | - | ± 15V | 300ns, 250ns | 8pc | 14pf, 14pf | 1NA | -74dB @ 500kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC638ACD-T1-GE3 | 2.8200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC638 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | PWM | 촬영, uvlo | 하프 하프 (2) | 유도 유도, 성 성 | - | - | 4.5V ~ 5.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9185DMP-28-T1-E3 | - | | 1219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-8 | SI9185 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5 MA | 4 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 500ma | 2.8V | - | 1 | 0.48V @ 500MA | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG611EEQ-T1-GE4 | 1.6100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG611 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1GHz | spst -nc | 1 : 1 | 115ohm | 2.5ohm | 3V ~ 12V | ± 3V ~ 5V | 50ns, 35ns | 1.4pc | 3pf, 3pf | 100pa | -74db @ 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9053DQ-T1-E3 | - | | 2598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG9053 | 3 | 16-TSSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spdt | 2 : 1 | 40ohm | 5ohm (() | 2.7V ~ 12V | ± 2.7V ~ 6V | 35ns, 30ns | 38pc | 4pf, 8pf | 1NA | -83dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | DG9233DY-T1-E3 | - | | 5930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG9233 | 2 | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 30ohm | 400mohm | 2.7V ~ 12V | - | 75ns, 50ns | 2pc | 7pf, 13pf | 100pa | -90dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4610ADT-T1-E3 | - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | - | SIP4610 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 전류 전류 (제한 가능), 온도, uvlo | 높은 높은 | 145mohm | 2.4V ~ 5.5V | 범용 | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9232EDS-T1-GE3 | - | | 6613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | DG9232 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2.7V ~ 5.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC468ED-T1-GE3 | 4.6200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC468 | 60V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 4a | 0.8V | 15V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91871DMP-33-E3 | - | | 9954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91871 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 150 µA | 275 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 3.3v | - | 1 | 0.415V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DR-33-E3 | - | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 3.3v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4282ADVP-3-E3 | - | | 6204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP4282 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | PowerPak® SC-75-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 350mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 1.4a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG201BDY-T1 | - | | 1484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG201 | 4 | 16- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 85ohm | 2ohm | 4.5V ~ 25V | ± 4.5V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32452DB-T2-GE1 | 0.2846 | | 1875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Micro Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, CSPBGA | - | SIP32452 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 54mohm | 0.9V ~ 2.5V | 범용 | 1.2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG442LAK | - | | 5990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | DG442 | 4 | 16-Cerdip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 280MHz | spst- 아니요 | 1 : 1 | 30ohm | 100mohm | 2.7V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 60ns, 35ns | 5pc | 5pf, 6pf | 1NA | -95dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG642DJ-E3 | - | | 4693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG642 | 1 | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 500MHz | spdt | 2 : 1 | 8ohm | 500mohm | 3V ~ 15V | ± 3V ~ 15V | 100ns, 60ns | 40pc | 20pf, 20pf | 10NA | -85dB @ 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DT-18-E3 | - | | 1943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.8V | - | 1 | - | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC820AED-T1-GE3 | 3.9848 | | 2571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | SIC820 | - | 742-SIC820AED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG3015DB-T2-E1 | - | | 3834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-WFBGA | DG3015 | 2 | 16 (™ ™ (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | DPDT | 2 : 2 | 1.2ohm | 150mohm | 2.7V ~ 3.3V | - | 65ns, 60ns | 7pc | 67pf | 2NA | -70dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG509BEN-T1-GE4 | 2.5200 | | 527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-wfqfn | DG509 | 2 | 16-MINIQFN (1.8x2.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 250MHz | SP4T | 4 : 1 | 380ohm | 10ohm | 12V ~ 44V | ± 5V ~ 20V | 250ns, 240ns | 2pc | 3pf, 8pf | 1NA | -88dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG923333EDQ-T1-GE3 | 2.4500 | | 3032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | DG9233 | 2 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 25ohm | 400mohm | 2.7V ~ 5.5V | - | 75ns, 50ns | -0.78pc | 3.8pf | 100pa | -108dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG202BAK-E3 | - | | 8425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | DG202 | 4 | 16-Cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 85ohm | 2ohm | 4.5V ~ 25V | ± 4.5V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9414DQ-T1-E3 | - | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | DG9414 | 1 | 10-MSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | SP4T | 4 : 1 | 17ohm | 1ohm | 2.7V ~ 12V | - | 55ns, 40ns | 13pc | 10pf, 24pf | 1NA | -64dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG611AEQ-T1-E3 | - | | 1480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG611 | 4 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 720MHz | spst -nc | 1 : 1 | 115ohm | 700mohm | 2.7V ~ 12V | ± 2.7V ~ 5V | 55ns, 35ns | 1pc | 2pf, 3pf | 100pa | -90dB @ 10MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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