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통합 통합 (ICS) (1550)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 기술 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력)
DG413LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG413LEDY-GE3 1.9900
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 - SPST -NO/NC 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG408LEDQ-GE3 Vishay Siliconix DG408LEDQ-GE3 2.4800
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG408 1 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 60 - - 8 : 1 23ohm 1ohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 72ns, 47ns 11pc 5.5pf, 25pf 1NA -98db @ 100khz
DG3516DB-T5-E1 Vishay Siliconix DG3516DB-T5-E1 -
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-WFBGA DG3516 2 10 (® ® (2x1.5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 300MHz spdt 2 : 1 2.9ohm 250mohm (최대) 1.8V ~ 5.5V - 45ns, 42ns 1pc 12pf 2NA -78dB @ 1MHz
DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG3257DN-T1-GE4 0.5900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn DG3257 1 6-udfn (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 714MHz spdt 2 : 1 6ohm 600mohm 1.65V ~ 5.5V - 50ns, 45ns 4pc 3pf, 9pf - -32dB @ 240MHz
DG442BDY-E3 Vishay Siliconix DG442BDY-E3 1.6213
RFQ
 ECAD 5740 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm 2ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIC931BED-Y1-GE3 Vishay Siliconix SIC931BED-Y1-GE3 18.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-powerbfqfn SIC931 18V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP60-A6C 다운로드 1 (무제한) 742-SIC931BED-Y1-GE3 귀 99 8542.39.0001 210 뿌리 뿌리 1 책임 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz 긍정적인 예 20A 0.6V 5.5V 4.5V
SIC652ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC652ACD-T1-GE3 2.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC652 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 55A 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
DG2005DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2005DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2005 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 2.5ohm - 1.8V ~ 5.5V - 28ns, 22ns 1pc 51pf 1NA -67dB @ 1MHz
DG445BDY-T1 Vishay Siliconix DG445BDY-T1 -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG445 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG613DY-T1 Vishay Siliconix DG613DY-T1 -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG613 1 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz DPDT 1 : 1 45ohm 2ohm 10V ~ 18V ± 10V ~ 15V 35ns, 25ns 4pc 3pf, 2pf 250PA -87dB @ 10MHz
DG9636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG9636EEN-T1-GE4 -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DG9636 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000
DG3539DB-T5-E1 Vishay Siliconix DG3539DB-T5-E1 -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH DG3539 2 PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 360MHz SPST -NO/NC 1 : 1 3.5ohm 200mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 41ns, 37ns 1pc 8pf 2NA -66dB @ 10MHz
DG417BAK Vishay Siliconix DG417BAK -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG417 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 62ns, 53ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
9076401EA Vishay Siliconix 9076401EA -
RFQ
 ECAD 1914 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 90764 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG181AP Vishay Siliconix DG181AP -
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG181 2 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 30ohm - - ± 15V 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG411HSDJ-E3 Vishay Siliconix DG411HSDJ-E3 3.5412
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG411HSDJE3 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SDG41905 Vishay Siliconix SDG41905 -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - SDG41 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 500 - - - - - - - - - - - -
DG212BDQ-E3 Vishay Siliconix DG212BDQ-E3 1.8041
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG212 4 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 360 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG538ADN-E3 Vishay Siliconix DG538ADN-E3 -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 28-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG538 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 400 500MHz - 4 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG9233EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9233edy-ge3 2.5500
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9233 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm 400mohm 2.7V ~ 5.5V - 75ns, 50ns -0.78pc 3.8pf 100pa -108dB @ 1MHz
DG442LDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG442LDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 280MHz spst- 아니요 1 : 1 30ohm 100mohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 60ns, 35ns 5pc 5pf, 6pf 1NA -95dB @ 1MHz
DG9411DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG9411DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG9411 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 12ohm - 2.25V ~ 5.5V - 11ns, 7ns 10pc 7pf, 20pf 1NA -70dB @ 1MHz
DG411LDQ-T1 Vishay Siliconix DG411LDQ-T1 -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG411 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 280MHz spst -nc 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
DG9233DY-T1 Vishay Siliconix DG9233DY-T1 -
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9233 2 8-SOIC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 30ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf, 13pf 100pa -90dB @ 1MHz
DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2535EDQ-T1-GE3 1.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2535 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 120MHz spdt 2 : 1 500mohm 60mohm 1.65V ~ 5.5V - 78ns, 58ns - - - -90dB @ 100kHz
SIP12108DMP-T1GE4 Vishay Siliconix SIP12108DMP-T1GE4 2.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 SIP12108 5.5V 조절할 조절할있는 16-mlp (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 1 책임 200kHz ~ 4MHz 긍정적인 예 5a 0.6V 4.68V 2.8V
SIP11205DQP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP11205DQP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 SIP11205 트랜지스터 트랜지스터 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝/업 다운 10.5V ~ 13.2V 1 전방 전방 100kHz ~ 500kHz 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 47% 예 아니요 -
DG611EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611een-t1-ge4 1.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG611 4 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1GHz spst -nc 1 : 1 115ohm 2.5ohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG3536DB-T5-E1 Vishay Siliconix DG3536DB-T5-E1 -
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-WFBGA DG3536 2 10 (® ® (2x1.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 400mohm 50mohm (h) 2.7V ~ 3.3V - 82ns, 73ns 21pc 145pf 2NA -69dB @ 100kHz
DG213DJ-E3 Vishay Siliconix DG213DJ-E3 1.6639
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG213 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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