SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
SI91871DMP-33-E3 Vishay Siliconix SI91871DMP-33-E3 -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® MLP33-5 SI91871 6V 결정된 PowerPak® MLP33-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 150 µA 275 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.3v - 1 0.415V @ 300MA 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 극성 역, 단락
DG613AEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG613AEY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5882 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG613 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 720MHz SPST -NO/NC 1 : 1 115ohm 700mohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 55ns, 35ns 1pc 2pf, 3pf 100pa -90dB @ 10MHz
SIP32411DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32411DNP-T1-GE4 0.6400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-ufdfn 노출 패드 하중 하중, 방전 속도 제어 SIP32411 비 비 n 채널 1 : 1 4-TDFN (1.2x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 62mohm 1.1V ~ 5.5V 범용 2A
DG381BDJ Vishay Siliconix DG381BDJ -
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG381 2 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 50ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 130ns (타이핑) 10pc 14pf, 14pf 5NA -74dB @ 500kHz
SIP21106DR-45-E3 Vishay Siliconix SIP21106DR-45-E3 -
RFQ
ECAD 2484 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SIP211 6V 결정된 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.5V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
SI9105DN02-T1-E3 Vishay Siliconix SI9105DN02-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC (J-Lead) SI9105 120V - 20-PLCC (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 스텝 스텝/업 다운 1 플라이백 40kHz ~ 1MHz 양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력 아니요 - - - 10V
DG409LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG409LEDY-T1-GE3 1.9800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG409 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SP4T 4 : 1 23ohm 1ohm 3V ~ 16V ± 3.3V ~ 8V 72ns, 47ns -10pc 5.5pf, 13.5pf 1NA -109db @ 100khz
DG2612DX-T1-E3 Vishay Siliconix DG2612DX-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DG2612 1 SC-89-6 (SOT-666) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 1.4ohm 100mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 60ns, 35ns 2.4pc 36pf 2NA -73dB @ 100kHz
DG413DJ Vishay Siliconix DG413DJ -
RFQ
ECAD 6674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG413 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) DG413DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
SIP4282DVP3-T1GE3 Vishay Siliconix SIP4282DVP3-T1GE3 0.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6L 하중 하중, 방전 속도 제어 SIP4282 비 비 p 채널 1 : 1 PowerPak® SC-75-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 UVLO 높은 높은 105mohm 1.8V ~ 5.5V 범용 1.4a
DG411AK-E3 Vishay Siliconix DG411AK-E3 -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-Cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG212BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG212BDY-T1-E3 2.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG212 4 16- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
77053012A Vishay Siliconix 77053012A -
RFQ
ECAD 2975 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC 77053 4 20-LCC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 175ohm - - ± 15V 600ns, 450ns 20pc 5pf, 5pf 1NA -90dB @ 100kHz
DG1412EQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG1412EQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG1412 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 210MHz spst- 아니요 1 : 1 1.8ohm 80mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 150ns, 120ns -20pc 11pf, 24pf 550PA -100dB @ 1MHz
DG2513DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2513DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 3931 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn DG251 1 6- 미니 QFN (1x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 1.3ohm 150mohm (최대) 1.8V ~ 5.5V - 35ns, 31ns 14pc 19pf 2NA -64dB @ 1MHz
DG2732DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2732DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2732 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 450mohm 30mohm 1.65V ~ 4.3V - 110ns, 30ns 9pc 104pf 1NA -75dB @ 100kHz
DG611AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG611AEQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG611 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 720MHz spst -nc 1 : 1 115ohm 700mohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 55ns, 35ns 1pc 2pf, 3pf 100pa -90dB @ 10MHz
DG300ABA Vishay Siliconix DG300ABA -
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 100-10 캔 금속 DG300 2 100-10 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - spst- 아니요 1 : 1 50ohm - - ± 15V 300ns, 250ns 8pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG304BDJ Vishay Siliconix DG304BDJ -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG304 2 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 50ohm - - ± 15V 110ns, 70ns (타이핑) 30pc 14pf, 14pf 5NA -74dB @ 500kHz
DG540AP Vishay Siliconix DG540AP -
RFQ
ECAD 4539 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) RGB, T-, 구성 DG540 4 20 딥 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 500MHz spst 1 : 1 60ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V
SJM200BCA01 Vishay Siliconix SJM200BCA01 -
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - SJM20 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
86716012A Vishay Siliconix 86716012A -
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 867160 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG419LDY-T1 Vishay Siliconix DG419LDY-T1 -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
SIC431CED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC431CED-T1-GE3 3.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-powerwfqfn 24V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP44-24 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 300kHz ~ 1MHz 긍정적인 24A 0.6V 21.6V 3V
DG441BDY-E3 Vishay Siliconix DG441BDY-E3 2.7300
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG441 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 80ohm 2ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIP21106DT-46-E3 Vishay Siliconix SIP21106DT-46-E3 -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 SIP211 6V 결정된 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.6v - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
DG308BDY-E3 Vishay Siliconix DG308BDY-E3 2.9500
RFQ
ECAD 113 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG308 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 1.7ohm 4V ~ 44V ± 4V ~ 22V 200ns, 150ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIP32411DR-T1-GE3 Vishay Siliconix SIP32411DR-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 하중 하중, 방전 속도 제어 SIP32411 비 비 n 채널 1 : 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 101mohm 1.1V ~ 5.5V 범용 2A
DG442LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG442LEDY-T1-GE3 1.5300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 26ohm 100mohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 60ns, 35ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG401DJ Vishay Siliconix DG401DJ -
RFQ
ECAD 2323 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG401 2 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG401DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고