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통합 통합 (ICS) (1550)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 채널 채널 전압 - 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력)
DG442BDY-E3 Vishay Siliconix DG442BDY-E3 1.6213
RFQ
 ECAD 5740 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm 2ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIC931BED-Y1-GE3 Vishay Siliconix SIC931BED-Y1-GE3 18.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-powerbfqfn SIC931 18V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP60-A6C 다운로드 1 (무제한) 742-SIC931BED-Y1-GE3 귀 99 8542.39.0001 210 뿌리 뿌리 1 책임 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz 긍정적인 예 20A 0.6V 5.5V 4.5V
SIC652ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC652ACD-T1-GE3 2.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC652 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 55A 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
DG2005DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2005DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2005 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 2.5ohm - 1.8V ~ 5.5V - 28ns, 22ns 1pc 51pf 1NA -67dB @ 1MHz
DG613DY-T1 Vishay Siliconix DG613DY-T1 -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG613 1 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz DPDT 1 : 1 45ohm 2ohm 10V ~ 18V ± 10V ~ 15V 35ns, 25ns 4pc 3pf, 2pf 250PA -87dB @ 10MHz
DG9636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG9636EEN-T1-GE4 -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DG9636 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000
DG417BAK Vishay Siliconix DG417BAK -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG417 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 62ns, 53ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
9076401EA Vishay Siliconix 9076401EA -
RFQ
 ECAD 1914 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 90764 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG411HSDJ-E3 Vishay Siliconix DG411HSDJ-E3 3.5412
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG411HSDJE3 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SDG41905 Vishay Siliconix SDG41905 -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - SDG41 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 500 - - - - - - - - - - - -
DG212BDQ-E3 Vishay Siliconix DG212BDQ-E3 1.8041
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG212 4 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 360 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG538ADN-E3 Vishay Siliconix DG538ADN-E3 -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 28-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG538 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 400 500MHz - 4 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG9233EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9233edy-ge3 2.5500
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9233 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm 400mohm 2.7V ~ 5.5V - 75ns, 50ns -0.78pc 3.8pf 100pa -108dB @ 1MHz
DG442LDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG442LDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 280MHz spst- 아니요 1 : 1 30ohm 100mohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 60ns, 35ns 5pc 5pf, 6pf 1NA -95dB @ 1MHz
DG9411DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG9411DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG9411 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 12ohm - 2.25V ~ 5.5V - 11ns, 7ns 10pc 7pf, 20pf 1NA -70dB @ 1MHz
DG411LDQ-T1 Vishay Siliconix DG411LDQ-T1 -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG411 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 280MHz spst -nc 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
SIP12108DMP-T1GE4 Vishay Siliconix SIP12108DMP-T1GE4 2.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 SIP12108 5.5V 조절할 조절할있는 16-mlp (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 1 책임 200kHz ~ 4MHz 긍정적인 예 5a 0.6V 4.68V 2.8V
SIP11205DQP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP11205DQP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 SIP11205 트랜지스터 트랜지스터 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝/업 다운 10.5V ~ 13.2V 1 전방 전방 100kHz ~ 500kHz 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 47% 예 아니요 -
DG611EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611een-t1-ge4 1.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG611 4 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1GHz spst -nc 1 : 1 115ohm 2.5ohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG213DJ-E3 Vishay Siliconix DG213DJ-E3 1.6639
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG213 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG2531DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2531DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2531 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 600mohm 50mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 70ns, 65ns 54pc 143pf 1NA -69dB @ 100kHz
DG419DY Vishay Siliconix DG419DY -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) DG419DYVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG417LDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG417LDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG417 1 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
DG506AAZ/883 Vishay Siliconix DG506AAZ/883 -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC DG506 1 20-LCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - - 16 : 1 400ohm 24ohm - ± 15V 1.5µs, 1µs 6pc 6pf, 45pf 1NA -
DG2722DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2722DN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufqfn DG2722 2 10-miniqfn (1.4x1.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 900MHz DPDT 2 : 2 8ohm 800mohm 2.6V ~ 4.3V - 30ns, 25ns 0.5pc 2.2pf 100NA -45dB @ 240MHz
DG9433DS-T1-E3 Vishay Siliconix DG9433DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-8 DG9433 2 SOT-23-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 30ohm 300mohm 2.7V ~ 12V - 35ns, 18ns 0.36pc 7.5pf, 7.8pf 1NA -96dB @ 1MHz
SI4724CY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4724CY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - SI4724 비 비 n 채널 1 : 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 온/꺼짐 2 UVLO 높은 높은 또는 쪽 24mohm, 30mohm 4.5V ~ 5.5V 범용 5.1A, 6.5A
SJM300BIC01 Vishay Siliconix SJM300BIC01 -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - - SJM30 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 20 - - - - - - - - - - - -
DG403BDJ Vishay Siliconix DG403BDJ -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG403 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG417LDY Vishay Siliconix DG417LDY -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG417 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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