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통합 통합 (ICS) (1550)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 기술 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 규약 드라이버/수 수신기 이중 데이터 데이터 인터페이스 종료 종료 출력 출력 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력)
DG643DY-T1 Vishay Siliconix DG643DY-T1 -
RFQ
 ECAD 9005 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG643 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
DG2732DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2732DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2732 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 450mohm 30mohm 1.65V ~ 4.3V - 110ns, 30ns 9pc 104pf 1NA -75dB @ 100kHz
SIC780ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC780ACD-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP66-40 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 SIC780 Drmos 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP66-40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50a PWM 온도, 스루 싹, uvlo 반 반 유도 유도 - - 4.5V ~ 18V
SIP5678CS-TR-E3 Vishay Siliconix SIP5678CS-TR-E3 -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 Vishay Siliconix - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 48-LQFP SCSI SIP567 2.7V ~ 5.25V 48-sqfp (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 15
DG407BDN-T1 Vishay Siliconix DG407BDN-T1 -
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-LCC (J-Lead) DG407 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - 8 : 1 60ohm 3ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 107ns, 88ns 11pc 6pf, 54pf 500pa -
SI9200EY-T1 Vishay Siliconix SI9200EY-T1 -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 트랜시버 SI9200 4.75V ~ 5.25V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 2,500 canbus 1/1 - -
DG2535DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2535DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9166 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2535 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 500mohm 50mohm (h) 3V - 82ns, 73ns 21pc 145pf 1NA -69dB @ 100kHz
DG413LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG413LEDY-GE3 1.9900
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 - SPST -NO/NC 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
SIC652ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC652ACD-T1-GE3 2.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC652 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 55A 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
DG3516DB-T5-E1 Vishay Siliconix DG3516DB-T5-E1 -
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-WFBGA DG3516 2 10 (® ® (2x1.5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 300MHz spdt 2 : 1 2.9ohm 250mohm (최대) 1.8V ~ 5.5V - 45ns, 42ns 1pc 12pf 2NA -78dB @ 1MHz
SIC931BED-Y1-GE3 Vishay Siliconix SIC931BED-Y1-GE3 18.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-powerbfqfn SIC931 18V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP60-A6C 다운로드 1 (무제한) 742-SIC931BED-Y1-GE3 귀 99 8542.39.0001 210 뿌리 뿌리 1 책임 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz 긍정적인 예 20A 0.6V 5.5V 4.5V
SIC652CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC652CD-T1-GE3 2.9100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC652 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 55A 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
SIC789ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC789ACD-T1-GE3 3.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP66-40 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 SIC789 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP66-40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60a PWM 촬영, uvlo 반 반 유도 유도 - - 4.5V ~ 18V
DG413LDQ-E3 Vishay Siliconix DG413LDQ-E3 -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG413 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 360 280MHz SPST -NO/NC 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
9076401EA Vishay Siliconix 9076401EA -
RFQ
 ECAD 1914 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 90764 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG9636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG9636EEN-T1-GE4 -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DG9636 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000
DG417BAK Vishay Siliconix DG417BAK -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG417 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 62ns, 53ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
DG409DQ-E3 Vishay Siliconix DG409DQ-E3 4.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG409 2 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG409DQE3 귀 99 8542.39.0001 360 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 150ns, 150ns 20pc 14pf, 25pf 500pa -
DG403DY-T1 Vishay Siliconix DG403DY-T1 -
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG403 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 45ohm 3ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -90dB @ 1MHz
DG307AAK-E3 Vishay Siliconix DG307AAK-E3 -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG307 2 14-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 50ohm - - ± 15V 250ns, 150ns 30pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
SI9118DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9118DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9118 트랜지스터 트랜지스터 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 2,500 스텝 스텝/업 다운 10V ~ 16.5V 1 전방 전방 40kHz ~ 1MHz 현재 현재, 제한, 주파수 제어, 소프트 스타트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 80% 아니요 아니요 -
DG411HSDJ-E3 Vishay Siliconix DG411HSDJ-E3 3.5412
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG411HSDJE3 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
DG538ADN-E3 Vishay Siliconix DG538ADN-E3 -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 28-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG538 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 400 500MHz - 4 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
SIP12504DMP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP12504DMP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 PowerPak® MLP33-6 SIP12504 - - PowerPak® MLP33-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - - - - - - - - - -
DG2016DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2016DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2016 2 10-MSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 4ohm - 1.8V ~ 5.5V - 48ns, 33ns 79pc 14pf 1NA -82dB @ 1MHz
DG412LEDQ-GE3 Vishay Siliconix DG412LEDQ-GE3 2.2700
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG412 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 60 - spst- 아니요 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG408DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG408DY-T1-E3 2.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG408 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - 8 : 1 100ohm 15ohm (() 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 26pf 500pa -
DG604EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix DG604EEQ-T1-GE4 1.6200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG604 2 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 414MHz spst- 아니요 1 : 1 101ohm 5ohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 54ns, 52ns -0.3pc 4.2pf, 6.8pf 1NA -65dB @ 10MHz
DG534ADN Vishay Siliconix DG534ADN -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 20-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG534 2 20-PLCC (9x9) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spdt 2 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG444DY-E3 Vishay Siliconix DG444DY-E3 2.8400
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG444 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG444DYE3 귀 99 8542.39.0001 50 - spst -nc 1 : 1 85ohm - 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 250ns, 140ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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