SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
SIP21106DR-45-E3 Vishay Siliconix SIP21106DR-45-E3 -
RFQ
ECAD 2484 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SIP211 6V 결정된 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.5V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
SI9105DN02-T1-E3 Vishay Siliconix SI9105DN02-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC (J-Lead) SI9105 120V - 20-PLCC (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 스텝 스텝/업 다운 1 플라이백 40kHz ~ 1MHz 양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력 아니요 - - - 10V
DG409LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG409LEDY-T1-GE3 1.9800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG409 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SP4T 4 : 1 23ohm 1ohm 3V ~ 16V ± 3.3V ~ 8V 72ns, 47ns -10pc 5.5pf, 13.5pf 1NA -109db @ 100khz
DG2612DX-T1-E3 Vishay Siliconix DG2612DX-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DG2612 1 SC-89-6 (SOT-666) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 1.4ohm 100mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 60ns, 35ns 2.4pc 36pf 2NA -73dB @ 100kHz
DG413DJ Vishay Siliconix DG413DJ -
RFQ
ECAD 6674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG413 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) DG413DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG411AK-E3 Vishay Siliconix DG411AK-E3 -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-Cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG212BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG212BDY-T1-E3 2.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG212 4 16- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
77053012A Vishay Siliconix 77053012A -
RFQ
ECAD 2975 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC 77053 4 20-LCC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 175ohm - - ± 15V 600ns, 450ns 20pc 5pf, 5pf 1NA -90dB @ 100kHz
DG611AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG611AEQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG611 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 720MHz spst -nc 1 : 1 115ohm 700mohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 55ns, 35ns 1pc 2pf, 3pf 100pa -90dB @ 10MHz
DG304BDJ Vishay Siliconix DG304BDJ -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG304 2 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 50ohm - - ± 15V 110ns, 70ns (타이핑) 30pc 14pf, 14pf 5NA -74dB @ 500kHz
86716012A Vishay Siliconix 86716012A -
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 867160 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG419LDY-T1 Vishay Siliconix DG419LDY-T1 -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
SIC431CED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC431CED-T1-GE3 3.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-powerwfqfn 24V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP44-24 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 300kHz ~ 1MHz 긍정적인 24A 0.6V 21.6V 3V
DG441BDY-E3 Vishay Siliconix DG441BDY-E3 2.7300
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG441 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 80ohm 2ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95dB @ 100kHz
SIP21106DT-46-E3 Vishay Siliconix SIP21106DT-46-E3 -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 SIP211 6V 결정된 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.6v - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
DG308BDY-E3 Vishay Siliconix DG308BDY-E3 2.9500
RFQ
ECAD 113 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG308 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 1.7ohm 4V ~ 44V ± 4V ~ 22V 200ns, 150ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG201BDJ-E3 Vishay Siliconix DG201BDJ-E3 2.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG201 4 16-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) DG201BDJE3 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
SI3865CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3865CDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8160 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SI3865 - p 채널 1 : 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 온/꺼짐 1 - 높은 높은 50mohm 1.8V ~ 12V 범용 2.8a
DG419BDJ Vishay Siliconix DG419BDJ -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG419 1 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
92042012A Vishay Siliconix 92042012A -
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC 920420 1 20-LCC - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - - 8 : 1 100ohm 15ohm (() - ± 15V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 26pf 500pa -
DG643DJ Vishay Siliconix DG643DJ -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG643 2 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
DG9233EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9233EDS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3750 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DG9233 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 2.7V ~ 5.5V
DG9421EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9421EDV-T1-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DG9421 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 161MHz spst -nc 1 : 1 3.2ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 36ns, 22ns 19pc 34pf, 36pf 1NA -
9204102EA Vishay Siliconix 9204102EA -
RFQ
ECAD 7953 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 920410 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG3540DB-T1-E1 Vishay Siliconix DG3540DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH DG3540 2 PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 360MHz SPST -NO/NC 1 : 1 3.5ohm 200mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 41ns, 37ns 1pc 8pf 2NA -66dB @ 10MHz
DG413LDJ Vishay Siliconix DG413LDJ -
RFQ
ECAD 2627 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG413 4 16-PDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 280MHz SPST -NO/NC 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
SI9114ADY-E3 Vishay Siliconix SI9114ADY-E3 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9114 트랜지스터 트랜지스터 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 550 스텝 스텝/업 다운 9.5V ~ 16.5V 1 플라이백, 변환기 전방 20kHz ~ 2MHz 활성화, 스타트 소프트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 50% 아니요 -
DG213DJ-E3 Vishay Siliconix DG213DJ-E3 1.6639
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG213 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
SI9120DY-E3 Vishay Siliconix SI9120DY-E3 -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9120 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 500 9.5V ~ 13.5V 외딴 아니요 - 플라이 플라이, 백 50% 40kHz ~ 1MHz - -
DG2034EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2034EDQ-T1-GE3 1.5800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2034 1 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 166MHz SP4T 4 : 1 2.5ohm 20mohm 1.8V ~ 5.5V - 25ns, 20ns -2.6pc 7pf, - 2NA -71dB @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고