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| DG458AZ/883 | - | | 5823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-LCC | DG458 | 1 | 20-LCC (8.89x8.89) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | - | 8 : 1 | 1.5kohm | 90ohm | - | ± 4.5V ~ 18V | 250ns, 250ns | - | 5pf, 15pf | 1NA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2012DL-T1-GE3 | - | | 7680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DG2012 | 1 | SC-70-6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spdt | 2 : 1 | 1.8ohm | 250mohm (최대) | 1.8V ~ 5.5V | - | 38ns, 32ns | 20pc | 20pf | 500pa | -64dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG643DY-E3 | - | | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG643 | 2 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DG643DYE3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 500MHz | spdt | 2 : 1 | 15ohm | 1ohm | 3V ~ 15V | ± 3V ~ 15V | 70ns, 50ns | 19pc | 12pf, 12pf | 10NA | -87dB @ 5MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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