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통합 통합 (ICS) (1550)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 출력 출력 sic 프로그램 가능 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 채널 채널 결함 결함 출력 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) 스위치 스위치 현재- 최대 (출력)
SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC634CD-T1-GE3 2.8000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 동기 동기 컨버터 컨버터, 전압 조정기 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 SIC634 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50a PWM UVLO 반 반 유도 유도 - 55A 4.5V ~ 24V
DG2715EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2715EDL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DG2715 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000
DG408LDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG408LDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG408 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - 8 : 1 29ohm 1ohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 55ns, 25ns 1pc 7pf, 20pf 1NA -82dB @ 100kHz
9076401EA Vishay Siliconix 9076401EA -
RFQ
 ECAD 1914 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 90764 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG418DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG418DY-T1-E3 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG213DJ Vishay Siliconix DG213DJ -
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG213 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG411HSDJ Vishay Siliconix DG411HSDJ -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG411 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SIC652CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC652CD-T1-GE3 2.9100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC652 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 55A 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
DG2011DXA-T1-E3 Vishay Siliconix DG2011DXA-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7070 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DG2011 1 SC-89-6 (SOT-666) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 2.7ohm 200mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 75ns, 59ns 2pc 29pf 1NA -69dB @ 1MHz
DG2307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2307DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG2307 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 250MHz spdt 2 : 1 12ohm 320mohm 2V ~ 5.5V - 2.6ns, 2.6ns 7pc 6.5pf 100NA -58.7dB @ 10MHz
DG1412EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG1412EN-T1-GE4 7.2500
RFQ
 ECAD 4335 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG1412 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 150MHz spst- 아니요 1 : 1 1.5ohm 40mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 140ns, 110ns -41pc 24pf, 23pf 500pa -104dB @ 1MHz
DG509BEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG509BEN-T1-GE4 2.5200
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG509 2 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 250MHz SP4T 4 : 1 380ohm 10ohm 12V ~ 44V ± 5V ~ 20V 250ns, 240ns 2pc 3pf, 8pf 1NA -88dB @ 1MHz
DG200BDWF Vishay Siliconix DG200BDWF -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2 14-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-DG200BDWF 쓸모없는 1 - spst -nc 1 : 1 85ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 1µs, 425ns 1pc 5pf, 5pf 2NA -95dB @ 1MHz
DG2733DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2733DN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2733 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 450mohm 30mohm 1.65V ~ 4.3V - 110ns, 30ns 9pc 104pf 1NA -75dB @ 100kHz
DG9431DY-E3 Vishay Siliconix DG9431DY-E3 -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9431 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 30ohm 400mohm 2.7V ~ 5V - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -
DG419DY Vishay Siliconix DG419DY -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) DG419DYVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG187AP/883 Vishay Siliconix DG187AP/883 -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG187 1 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 30ohm - - ± 15V 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG406DN Vishay Siliconix DG406DN -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-LCC (J-Lead) DG406 1 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 400 - - 16 : 1 100ohm 5ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 200ns, 150ns 15pc 8pf, 130pf 500pa -
DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2517EDN-T1-GE4 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2517 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 221MHz spdt 2 : 1 3.1ohm 10mohm 1.8V ~ 5.5V - 40ns, 33ns -19.4pc - - -62dB @ 1MHz
DG643DY-T1 Vishay Siliconix DG643DY-T1 -
RFQ
 ECAD 9005 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG643 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
DG1411EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411een-t1-ge4 7.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG1411 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 150MHz spst -nc 1 : 1 1.5ohm 40mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 140ns, 110ns -41pc 24pf, 23pf 500pa -104dB @ 1MHz
SJM184BEA01 Vishay Siliconix SJM184BEA01 -
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 SJM18 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
DG611EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611een-t1-ge4 1.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG611 4 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1GHz spst -nc 1 : 1 115ohm 2.5ohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG2511DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2511DN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn DG251 1 6- 미니 QFN (1x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 1.3ohm 150mohm (최대) 1.8V ~ 5.5V - 35ns, 31ns 14pc 19pf 2NA -64dB @ 1MHz
DG444DY-E3 Vishay Siliconix DG444DY-E3 2.8400
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG444 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG444DYE3 귀 99 8542.39.0001 50 - spst -nc 1 : 1 85ohm - 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 250ns, 140ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
DG9233EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9233edy-ge3 2.5500
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9233 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm 400mohm 2.7V ~ 5.5V - 75ns, 50ns -0.78pc 3.8pf 100pa -108dB @ 1MHz
DG413HSDY-E3 Vishay Siliconix DG413HSDY-E3 2.7318
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG413HSDYE3 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
DG2788ADN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2788ADN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG2788 2 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 6,000 338MHz DPDT 2 : 1 500mohm 50mohm 1.8V ~ 5.5V - 50µs, 1µs -245pc - 100NA -61dB @ 1MHz
SI9910DJ-E3 Vishay Siliconix SI9910DJ-E3 -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) SI9910 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 16.5V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SI9910DJE3 귀 99 8542.39.0001 500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET - 1a, 1a 50ns, 35ns 500 v
SIP32452DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP32452DB-T2-GE1 0.2846
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 Vishay Siliconix Micro Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA - SIP32452 비 비 n 채널 1 : 1 4-WCSP (0.76x0.76) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 54mohm 0.9V ~ 2.5V 범용 1.2A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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