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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| DG418LEDY-T1-GE3 | - | | 5893 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG418 | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 3V ~ 16V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| DG442BDN-T1-E4 | 4.0400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vqfn q 패드 | DG442 | 4 | 16-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 80ohm | 2ohm | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 220ns, 120ns | -1pc | 4pf, 4pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DG455EY-T1-E3 | 4.6800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG455 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 5.3ohm | 120mohm | 12V ~ 36V | ± 5V ~ 15V | 118ns, 97ns | 22pc | 31pf, 34pf | 500pa | -85dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DG401BDY-T1-E3 | 2.2580 | | 9213 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG401 | 2 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 45ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 150ns, 100ns | 60pc | 12pf, 12pf | 500pa | -94.8db @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | dg307aak | - | | 5054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | DG307 | 2 | 14-cerdip | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | spdt | 2 : 1 | 50ohm | - | - | ± 15V | 250ns, 150ns | 30pc | 14pf, 14pf | 1NA | -74dB @ 500kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411DY-T1-E3 | 2.4400 | | 6899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG411 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 35ohm | - | 5V ~ 44V | ± 5V ~ 20V | 175ns, 145ns | 5pc | 9pf, 9pf | 250PA | -85dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC479ED-T1-GE3 | 4.1000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC479 | 55V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 3A | 0.8V | 24V | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DR-26-E3 | - | | 4554 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-33-E3 | - | | 6180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 3.3v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DR-18-E3 | - | | 2758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 1.8V | - | 1 | - | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32433ADN-T1E4 | 1.6400 | | 7680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 래치 래치, 기능 양호, 슬리트 속도 제어 | SIP32433 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 전류 전류 (제한 가능), 온도, 전압, 단락, uvlo | 높은 높은 | 78mohm | 2.8V ~ 23V | 범용 | 3.5a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4053AEQ-T1-E3 | - | | 9727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG4053 | 3 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 730mhz | spdt | 2 : 1 | 100ohm | 3ohm | 2.7V ~ 12V | ± 2.5V ~ 5V | 108ns, 92ns | 0.25pc | 3pf, 4pf | 1NA | -67dB @ 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DG444BDY-E3 | 1.6853 | | 7289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG444 | 4 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | spst -nc | 1 : 1 | 80ohm | - | 13V ~ 36V | ± 7V ~ 22V | 300ns, 200ns | 1pc | 5pf, 5pf | 500pa | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32434ADN-T1E4 | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 래치 래치, 기능 양호, 슬리트 속도 제어 | SIP32434 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 전류 전류 (제한 가능), 온도, 전압, 단락, uvlo | 높은 높은 | 33mohm | 2.8V ~ 23V | 범용 | 6A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIPQ32434ADN-T1E3 | 1.7100 | | 3315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 전원 전원 전원, 우수 속도 제어, 상태 플래그 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 2.8V ~ 23V | - | 1 | 전류 전류 (제한), 오버 하중, 온도, 전압, 단락, uvlo | 높은 높은 | 33mohm | 2.8V ~ 23V | 범용 | 6A |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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