SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 결함 결함 제어 제어 출력 출력 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
DG2753DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2753DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 4994 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 DG2753 3 16-QFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 1.2ohm 600mohm (최대) 1.65V ~ 4.3V - 60ns, 30ns -25pc 35pf 2NA -90dB @ 10MHz
DG304AAK/883 Vishay Siliconix DG304AAK/883 -
RFQ
ECAD 6637 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG304 2 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 50ohm - - ± 15V 250ns, 150ns 30pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
SIP21106DVP-18-E3 Vishay Siliconix SIP21106DVP-18-E3 -
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6V 결정된 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 - 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
8767301CA Vishay Siliconix 8767301ca -
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 876730 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 50 - - - - - - - - - - - -
DG453EY-T1-E3 Vishay Siliconix DG453EY-T1-E3 2.7514
RFQ
ECAD 1871 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG453 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 5.3ohm 120mohm 12V ~ 36V ± 5V ~ 15V 118ns, 97ns 22pc 31pf, 34pf 500pa -85dB @ 1MHz
SIC654CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC654CD-T1-GE3 2.5900
RFQ
ECAD 270 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC654 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50a 논리, pwm 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo 반 반 유도, 성 용량, 저항성 3ohm ls + hs 100A 24V
DG411HSDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG411HSDY-T1-E3 2.5616
RFQ
ECAD 2282 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG411 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
DG442LDY-E3 Vishay Siliconix DG442LDY-E3 -
RFQ
ECAD 1676 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 280MHz spst- 아니요 1 : 1 30ohm 100mohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 60ns, 35ns 5pc 5pf, 6pf 1NA -95dB @ 1MHz
DG419BDJ-E3 Vishay Siliconix DG419BDJ-E3 -
RFQ
ECAD 8872 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG419 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
DG2524DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2524DN-T1-GE4 1.6900
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 DG2524 4 16-QFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 310MHz spdt 1 : 2 550mohm 50mohm 1.8V ~ 5.5V - 60µs, 1µs -19pc 14.5pf 1NA -89dB @ 100kHz
DG412LEDJ-GE3 Vishay Siliconix DG412LEDJ-GE3 3.8400
RFQ
ECAD 6731 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG412 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG9425EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9425EDQ-T1-GE3 3.0700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG9425 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst -nc 1 : 1 3ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 51ns, 35ns 38pc 49pf, 37pf 1NA -77dB @ 1MHz
SIP32459DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP32459DB-T2-GE1 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, CSPBGA 하중 하중, 방전 속도 제어 SIP32459 비 비 p 채널 1 : 1 6-WLCSP (1.46x0.96) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 - 높은 높은 20mohm 1.5V ~ 5.5V 범용 3A
DG636EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG636EQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG636 2 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 610MHz spdt 2 : 1 115ohm 1ohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 60ns, 52ns 0.1pc 2.1pf, 4.2pf 100pa -88db @ 10MHz
SJM301BIA01 Vishay Siliconix SJM301BIA01 -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - SJM30 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
DG212BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG212BDQ-T1-E3 2.6900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG212 4 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG538ADN Vishay Siliconix DG538ADN -
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 28-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG538 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 400 500MHz - 4 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG412DJ-E3 Vishay Siliconix DG412DJ-E3 4.4300
RFQ
ECAD 316 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG412 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG412DJE3 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG2031DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2031DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2031 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 750mohm 50mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 58ns, 49ns 4pc 117pf 1NA -71dB @ 1MHz
92041022A Vishay Siliconix 92041022A -
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 920410 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG412DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG412DQ-T1-E3 1.7500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG412 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - - ± 15V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG307BDJ Vishay Siliconix DG307BDJ -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG307 2 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 50ohm - - ± 15V 110ns, 70ns (타이핑) 30pc 14pf, 14pf 5NA -74dB @ 500kHz
DG212BDY Vishay Siliconix DG212BDY -
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG212 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG183AP/883 Vishay Siliconix DG183AP/883 -
RFQ
ECAD 2240 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG183 2 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - DPST- 아니요 2 : 1 10ohm - - ± 15V 400ns, 200ns - 21pf, 17pf 10NA -
SIP43102DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SIP43102DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - SIP43102 비 비 양극성 1 : 1 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 온/꺼짐 2 전류 전류 (제한), 온도, uvlo 높은 높은 또는 쪽 - 9V ~ 32V 범용 200ma
DG9263DY-T1 Vishay Siliconix DG9263DY-T1 -
RFQ
ECAD 8324 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9263 2 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 60ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90dB @ 1MHz
DG9421DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG9421DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DG9421 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst -nc 1 : 1 3ohm - 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 6V 45ns, 47ns 43pc 31pf, 30pf 1NA -
DG535DJ Vishay Siliconix DG535DJ -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) t- 스위치 구성 DG535 1 28-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 500MHz - 16 : 1 90ohm 10V ~ 16.5V -
DG538ADN-T1-E3 Vishay Siliconix DG538ADN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6123 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 초음파, 비디오 표면 표면 28-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG538 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 500MHz - 4 : 1 90ohm 10V ~ 21V -
DG613EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix DG613EEY-T1-GE4 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG613 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 1GHz SPST -NO/NC 1 : 1 115ohm 2.5ohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고