SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 채널 채널 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
DG190AP Vishay Siliconix DG190AP -
RFQ
ECAD 2352 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG190 2 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 30ohm - - ± 15V 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG9415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9415DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4447 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9415 2 10-MSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 17ohm 1ohm 2.7V ~ 12V - 55ns, 40ns 13pc 10pf, 13pf 1NA -64dB @ 1MHz
DG604EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG604EQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG604 2 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 400MHz spst- 아니요 1 : 1 115ohm 1ohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 60ns, 52ns 0.7pc 2.7pf, 7.3pf 100pa -81dB @ 10MHz
DG442LDY-T1 Vishay Siliconix DG442LDY-T1 -
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 280MHz spst- 아니요 1 : 1 30ohm 100mohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 60ns, 35ns 5pc 5pf, 6pf 1NA -95dB @ 1MHz
SJM188BCA Vishay Siliconix SJM188BCA -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - SJM18 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25
DG200AAA Vishay Siliconix DG200AAA -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 100-10 캔 금속 DG200 2 100-10 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 20 - spst -nc 1 : 1 70ohm - - ± 15V 440ns, 340ns -10pc 9pf, 9pf 2NA -90dB @ 1MHz
DG2026DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2026DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2026 2 10-MSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 4ohm - 1.8V ~ 5.5V - 48ns, 33ns 79pc 14pf 1NA -82dB @ 1MHz
DG9263DY-E3 Vishay Siliconix DG9263DY-E3 -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG9263 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 60ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90dB @ 1MHz
SIC534CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC534CD-T1-GE3 2.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP4535-22L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC534 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP4535-22L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 30A PWM UVLO 반 반 유도 유도 - 35a 4.5V ~ 24V
DG418LDY Vishay Siliconix DG418LDY -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
SI9122DLP-T1-E3 Vishay Siliconix SI9122DLP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2898 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® MLP65-20 SI9122 트랜지스터 트랜지스터 PowerPak® MLP65-20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝/업 다운 10V ~ 13.2V 1 하프 하프 500kHz 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 1 92% 아니요 -
DG445BDY-E3 Vishay Siliconix DG445BDY-E3 1.6853
RFQ
ECAD 3072 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG445 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG2532DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2532DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2532 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 600mohm 50mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 70ns, 65ns 54pc 143pf 1NA -69dB @ 100kHz
DG9262DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9262DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6429 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9262 2 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 60ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90dB @ 1MHz
DG3409DB-T2-E1 Vishay Siliconix DG3409DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 1359 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-WFBGA DG3409 2 16 (™ ™ (2x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SP4T 4 : 1 7ohm 3.6ohm (h) 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 70ns, 44ns 29pc 23pf, 112pf 2NA -85dB @ 1MHz
DG2732DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2732DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2732 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 450mohm 30mohm 1.65V ~ 4.3V - 110ns, 30ns 9pc 104pf 1NA -75dB @ 100kHz
DG540AP/883 Vishay Siliconix DG540AP/883 -
RFQ
ECAD 5159 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) RGB, T-, 구성 DG540 4 20 딥 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 500MHz spst 1 : 1 60ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V
DG201BDY Vishay Siliconix DG201BDY -
RFQ
ECAD 8669 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG201 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG304AAK/883 Vishay Siliconix DG304AAK/883 -
RFQ
ECAD 6637 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG304 2 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 50ohm - - ± 15V 250ns, 150ns 30pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG308BDY Vishay Siliconix DG308BDY -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG308 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 1.7ohm 4V ~ 44V ± 4V ~ 22V 200ns, 150ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG9636EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG9636EN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 10-ufqfn DG9636 2 10-miniqfn (1.4x1.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 720MHz spdt 2 : 1 110ohm 4ohm 2.7V ~ 12V - 70ns, 55ns 23.5pc 2pf 1NA -67dB @ 10MHz
SIP21106DVP-18-E3 Vishay Siliconix SIP21106DVP-18-E3 -
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6V 결정된 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 - 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
SIP41111DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41111DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SIP41111 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 13.2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 4V, 7V 2A, 2A 13ns, 15ns 75 v
8767301CA Vishay Siliconix 8767301ca -
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 876730 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 50 - - - - - - - - - - - -
DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix DG1411EEQ-T1-GE4 7.4000
RFQ
ECAD 4135 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG1411 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 150MHz spst -nc 1 : 1 1.5ohm 40mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 140ns, 110ns -41pc 24pf, 23pf 500pa -104dB @ 1MHz
DG412HSDJ Vishay Siliconix DG412HSDJ -
RFQ
ECAD 1836 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG412 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SIP43102DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SIP43102DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - SIP43102 비 비 양극성 1 : 1 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 온/꺼짐 2 전류 전류 (제한), 온도, uvlo 높은 높은 또는 쪽 - 9V ~ 32V 범용 200ma
DG2738DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2738DN-T1-E4 0.9300
RFQ
ECAD 720 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2738 2 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 720MHz spst -nc 1 : 1 8ohm 100mohm 2.3V ~ 4.3V - 60ns, 50ns 10.4pc 4.4pf, 3.8pf 10NA -109dB @ 1MHz
DG9421DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG9421DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DG9421 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst -nc 1 : 1 3ohm - 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 6V 45ns, 47ns 43pc 31pf, 30pf 1NA -
DG419AK Vishay Siliconix DG419AK -
RFQ
ECAD 2929 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG419 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고