SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 배터리 배터리 세포 세포 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 내부 내부 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
DG445DY-E3 Vishay Siliconix DG445DY-E3 2.4600
RFQ
ECAD 693 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG445 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG445DYE3 귀 99 8542.39.0001 50 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm - 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 250ns, 210ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
DG2012EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2012EDL-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG2012 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 160MHz spdt 2 : 1 1.6ohm 300mohm 1.65V ~ 5.5V - 32ns, 28ns 8pc 16pf 5NA -63dB @ 1MHz
DG643DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG643DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9039 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG643 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
SJM184BEC Vishay Siliconix SJM184BEC -
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - SJM18 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25
DG611EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG611EEY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG611 4 16- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 1GHz spst -nc 1 : 1 115ohm 600mohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
SIP4613ADVP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP4613ADVP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 - SIP4613 비 비 p 채널 1 : 1 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 전류 전류 (제한 가능), 온도, uvlo 높은 높은 150mohm 2.4V ~ 5.5V 범용 1A
SIC830AED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC830AED-T1-GE3 4.0796
RFQ
ECAD 7090 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 SIC830 - 742-SIC830AED-T1-GE3TR 귀 99 8542.39.0001 3,000
SI9730ABY-E3 Vishay Siliconix Si9730aby-e3 -
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9730 리튬 리튬 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 500 다기능 다기능 - 전류에서 전류에서 아래
DG2749DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2749DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 5286 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2749 2 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 93MHz SPST -NO/NC 1 : 1 600mohm 30mohm (h) 1.6V ~ 4.3V - 25ns, 25ns 10pc 75pf, 55pf 2NA -90dB @ 1MHz
SIC466ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC466ED-T1-GE3 6.1700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® MLP55-27 SIC466 60V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP55-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 100kHz ~ 2MHz 긍정적인 10A 0.8V 15V 4.5V
DG4599DL-T1-E3-HF Vishay Siliconix DG4599DL-T1-E3-HF -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG4599 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 60ohm - 2.25V ~ 5.5V - 30ns, 25ns 5pc 7pf, 20pf 1NA -70dB @ 1MHz
DG401BDY Vishay Siliconix DG401BDY -
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG401 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
9204202XA Vishay Siliconix 9204202XA -
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 플랫 플랫 920420 2 16- 플랫 팩 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() - ± 15V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 14pf 500pa -
DG9052DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9052DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG9052 2 16-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SP4T 4 : 1 40ohm 5ohm (() 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 6V 35ns, 30ns 38pc 4pf, 8pf 1NA -83dB @ 1MHz
9204202XC Vishay Siliconix 9204202XC -
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 플랫 플랫 920420 2 16- 플랫 팩 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() - ± 15V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 14pf 500pa -
DG441LDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG441LDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7541 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG441 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 280MHz spst -nc 1 : 1 30ohm 100mohm 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 60ns, 35ns 5pc 5pf, 6pf 1NA -95dB @ 1MHz
DG413DY-T1 Vishay Siliconix DG413DY-T1 -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG221BDJ Vishay Siliconix DG221BDJ -
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG221 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 90ohm - 13V ~ 18V ± 7V ~ 18V 550ns, 340ns 20pc 8pf, 9pf 5NA -90dB @ 100kHz
DG306AAK/883 Vishay Siliconix DG306AAK/883 -
RFQ
ECAD 8022 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG306 2 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - DPST- 아니요 2 : 1 50ohm - - ± 15V 250ns, 150ns 30pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG445BDJ Vishay Siliconix DG445BDJ -
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG445 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG301AAA/883 Vishay Siliconix DG301AAA/883 -
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 100-10 캔 금속 DG301 1 100-10 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 20 - spdt 2 : 1 50ohm - - ± 15V 300ns, 250ns 8pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG202BDJ-E3 Vishay Siliconix DG202BDJ-E3 2.7700
RFQ
ECAD 168 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG202 4 16-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) DG202BDJE3 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG307AAK Vishay Siliconix dg307aak -
RFQ
ECAD 5054 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG307 2 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 50ohm - - ± 15V 250ns, 150ns 30pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG387AAK/883 Vishay Siliconix DG387AAK/883 -
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG387 2 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - DPST- 아니요 2 : 1 50ohm - - ± 15V 300ns, 250ns 10pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
SIP21107DVP-26-E3 Vishay Siliconix SIP21107DVP-26-E3 -
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6V 결정된 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 활성화, 좋습니다 힘이 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.22V @ 150mA 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) 온도, 회로 단락
DG419BAK-E3 Vishay Siliconix DG419BAK-E3 -
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG419 1 8-cerdip - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SIC531CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC531CD-T1-GE3 2.4800
RFQ
ECAD 528 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP4535-22L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC531 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP4535-22L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 30A PWM UVLO 반 반 유도 유도 - 35a 4.5V ~ 24V
SIP12401DMP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP12401DMP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8037 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 백라이트 표면 표면 PowerPak® MLP33-6 DC DC 컨트롤러 SIP12401 600kHz PowerPak® MLP33-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 아니요 스텝 스텝 (업) 5V PWM 1.8V -
DG542DJ Vishay Siliconix DG542DJ -
RFQ
ECAD 1528 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) RGB, T-, 구성 DG542 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spst 1 : 1 60ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V
DG9636EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG9636EN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 10-ufqfn DG9636 2 10-miniqfn (1.4x1.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 720MHz spdt 2 : 1 110ohm 4ohm 2.7V ~ 12V - 70ns, 55ns 23.5pc 2pf 1NA -67dB @ 10MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고