SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 출력 출력 내부 내부 전압 - 고장 토폴로지 전압 - 시작 듀티 듀티 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
DG441LEDJ-GE3 Vishay Siliconix DG441LEDJ-GE3 2.8100
RFQ
ECAD 3968 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG441 4 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 26ohm 100mohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 60ns, 35ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
SJM185BXC Vishay Siliconix SJM185BXC -
RFQ
ECAD 1599 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - SJM18 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
SIC464ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC464ED-T1-GE3 3.3600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® MLP55-27 SIC464 60V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP55-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 100kHz ~ 2MHz 긍정적인 2A 0.8V 55.2v 4.5V
DG468DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG468DV-T1-E3 0.9300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DG468 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 9ohm - 7V ~ 36V ± 4.5V ~ 20V 140ns, 80ns 21pc 30pf, 15pf 1NA -
DG405BDJ Vishay Siliconix DG405BDJ -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG405 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG407BDN-T1-E3 Vishay Siliconix DG407BDN-T1-E3 6.4136
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-LCC (J-Lead) DG407 2 28-PLCC (11.51x11.51) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - 8 : 1 60ohm 3ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 107ns, 88ns 11pc 6pf, 54pf 500pa -
DG418BAK Vishay Siliconix DG418BAK -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG418 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
DG612AEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG612AEY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG612 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 720MHz spst- 아니요 1 : 1 115ohm 700mohm 2.7V ~ 12V ± 2.7V ~ 5V 55ns, 35ns 1pc 2pf, 3pf 100pa -90dB @ 10MHz
DG408DQ-E3 Vishay Siliconix DG408DQ-E3 4.3600
RFQ
ECAD 689 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG408 1 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG408DQE3 귀 99 8542.39.0001 60 - - 8 : 1 100ohm 15ohm (() 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 150ns, 150ns 20pc 3pf, 26pf 500pa -
DG9432DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9432DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8165 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9432 2 8-MSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 30ohm 300mohm 2.7V ~ 12V - 35ns, 18ns 0.36pc 7.5pf, 7.8pf 1NA -96dB @ 1MHz
DG418BAK-E3 Vishay Siliconix DG418BAK-E3 -
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG418 1 8-cerdip - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
DG309DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG309DY-T1-E3 3.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG309 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 85ohm 1.7ohm 4V ~ 44V ± 4V ~ 22V 200ns, 150ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG451EY-T1-E3 Vishay Siliconix DG451EY-T1-E3 4.6800
RFQ
ECAD 5579 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG451 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 5.3ohm 120mohm 12V ~ 36V ± 5V ~ 15V 118ns, 97ns 22pc 31pf, 34pf 500pa -85dB @ 1MHz
DG407DJ-E3 Vishay Siliconix DG407DJ-E3 -
RFQ
ECAD 3356 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) DG407 2 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG407DJE3 귀 99 8542.39.0001 100 - - 8 : 1 100ohm 5ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 200ns, 150ns 15pc 8pf, 65pf 500pa -
DG411LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG411LEDY-T1-GE3 1.7300
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG411 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 26ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 50ns, 30ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
SIP21106DT-30-E3 Vishay Siliconix SIP21106DT-30-E3 -
RFQ
ECAD 5152 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 SIP211 6V 결정된 TSOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.22V @ 150mA 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
DG445BDN-T1-E4 Vishay Siliconix DG445BDN-T1-E4 2.3719
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG445 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG9454EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG9454EN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 1978 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG9454 3 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 540MHz spdt 2 : 1 120ohm 4ohm 2.7V ~ 13.2v - 180ns, 110ns 0.86pc 2pf, 3pf 1NA -81dB @ 1MHz
SIP2804DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP2804DY-T1-E3 1.9800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SIP2804 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 8.3V ~ 12V 외딴 아니요 - 플라이백 12.5 v 49% 46kHz 현재 현재 주파수 주파수
SIC471ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC471ED-T1-GE3 5.6200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Microbuck® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® MLP55-27 SIC471 55V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP55-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 20kHz ~ 2MHz 긍정적인 12a 0.8V 50.6v 4.5V
DG442BDY-T1 Vishay Siliconix DG442BDY-T1 -
RFQ
ECAD 8965 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG442 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 80ohm 2ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG459DJ-E3 Vishay Siliconix DG459DJ-E3 -
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG459 2 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - SP4T 4 : 1 1.5kohm 90ohm - ± 4.5V ~ 18V 250ns, 250ns - 5pf, 10pf 1NA -
DG456EY-T1-E3 Vishay Siliconix DG456EY-T1-E3 4.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG456 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 5.3ohm 120mohm 12V ~ 36V ± 5V ~ 15V 118ns, 97ns 22pc 31pf, 34pf 500pa -85dB @ 1MHz
DG643DJ-E3 Vishay Siliconix DG643DJ-E3 -
RFQ
ECAD 7879 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG643 2 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 500MHz spdt 2 : 1 15ohm 1ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V 70ns, 50ns 19pc 12pf, 12pf 10NA -87dB @ 5MHz
SI1869DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1869DH-T1-GE3 0.6000
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SI1869 - p 채널 1 : 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 온/꺼짐 1 - 높은 높은 132mohm 1.8V ~ 20V 범용 1.2A
DG9426EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9426EDQ-T1-GE3 3.0700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG9426 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NO/NC 1 : 1 3ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 51ns, 35ns 38pc 49pf, 37pf 1NA -77dB @ 1MHz
DG401DY Vishay Siliconix DG401DY -
RFQ
ECAD 6638 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG401 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG401DYVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 45ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 150ns, 100ns 60pc 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG445DJ Vishay Siliconix DG445DJ -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG445 4 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DG445DJVSI 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm - 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 250ns, 210ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
SIC631CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC631CD-T1-GE3 2.8800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP55-31L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC631 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP55-31L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50a PWM UVLO 반 반 유도 유도 - 55A 4.5V ~ 24V
7801401XA Vishay Siliconix 7801401XA -
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 78014 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고