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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | SI9121DY-5-T1-E3 | - | | 4377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, isdn is 공급 장치 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9121 | -10V ~ -60V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1 | 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SIP21107DT-28-E3 | - | | 3612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.8V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9979C-E3 | - | | 3896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 48-LQFP | SI9979 | MOSFET | 14.5V ~ 17.5V | 48-sqfp (7x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SI9979CSE3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 컨트롤러 - 방향, 정류 관리 | 평행한 | 사전 사전 - 드라이버 브리지 브리지 (3) | - | - | - | DC (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9110DY-T1-E3 | - | | 8634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9110 | 트랜지스터 트랜지스터 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 9.5V ~ 13.5V | 1 | cuk, 전방, 플라이백 변환기, 푸시 풀 | 40kHz ~ 1MHz | 활성화, 재설정 | 긍정적인 | 1 | - | 아니요 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32461DB-T2-GE1 | 0.6400 | | 375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-UFBGA, CSPBGA | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32461 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 50mohm | 1.2V ~ 5.5V | 범용 | 1.2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| SI9183DT-25-T1-E3 | - | | 9722 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.5V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-12-E3 | - | | 5618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | - | 1 | - | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32408DNP-T1-GE4 | 0.6400 | | 68 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32408 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 44mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC438AED-T1-GE3 | 2.8800 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC438 | 28V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 8a | 0.6V | 20V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP4282ADNP2-T1GE4 | - | | 6048 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP4282 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 350mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 1.4a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG418LDY-T1 | - | | 5009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG418 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 20ohm | - | 2.7V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 43ns, 31ns | 1pc | 5pf | 1NA | -71dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2515DQ-T1-E3 | - | | 4060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | DG2515 | 2 | 10-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 235MHz | spdt | 2 : 1 | 4ohm | 100mohm | 1.8V ~ 5.5V | - | 50ns, 40ns | 49pc | 17pf | 1NA | -74dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| DG9233edy-t1-ge3 | 2.3400 | | 496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG9233 | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 25ohm | 400mohm | 2.7V ~ 5.5V | - | 75ns, 50ns | -0.78pc | 3.8pf | 100pa | -108dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG611DJ | - | | 5652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | DG611 | 4 | 16-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 500MHz | spst -nc | 1 : 1 | 45ohm | 2ohm | 10V ~ 18V | ± 10V ~ 15V | 35ns, 25ns | 4pc | 3pf, 2pf | 250PA | -87dB @ 5MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4282DVP-3-T1-E3 | 0.2467 | | 3118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP4282 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | PowerPak® SC-75-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 105mohm | 1.8V ~ 5.5V | 범용 | 1.4a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG407BDJ | - | | 6949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) | DG407 | 2 | 28-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | - | 8 : 1 | 60ohm | 3ohm | 7.5V ~ 44V | ± 5V ~ 20V | 107ns, 88ns | 11pc | 6pf, 54pf | 500pa | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| SIP21107DT-18-E3 | - | | 1708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 1.8V | - | 1 | - | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2592DN1-T1-GE4 | 1.4500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 소비자 소비자 | 표면 표면 | 10-ufqfn | DG2592 | 1 | - | 1.6V ~ 5.5V | 10-miniqfn (1.4x1.8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 감지 감지 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM187BIC01 | - | | 5934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | SJM18 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG412AK-E3 | - | | 3757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | DG412 | 4 | 16-Cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 35ohm | - | 5V ~ 44V | ± 5V ~ 20V | 175ns, 145ns | 5pc | 9pf, 9pf | 250PA | -85dB @ 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2750DN1-T1-GE4 | 1.1954 | | 8242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | DG2750 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-DG2750DN1-T1-GE4TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC641CD-T1-GE3 | 2.9800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC641 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 55A | 논리, pwm | 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo | 반 반 | 유도, 성 용량, 저항성 | 3ohm ls + hs | 100A | 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC476ED-T1-GE3 | 5.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC476 | 55V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIC476ED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 12a | 0.8V | 24V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG448DV-T1-E3 | 1.4900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DG448 | 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | spst- 아니요 | 1 : 1 | 25ohm | - | 7V ~ 36V | ± 4.5V ~ 20V | 130ns, 95ns | 10pc | 8pf | 1NA | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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