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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | SIP4280DT-1-T1-E3 | - | | 4199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP4280 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | TSOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | UVLO | 높은 높은 | 80mohm | 1.8V ~ 5.5V | 범용 | 2.3a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-33-E3 | - | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 3.3v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SIC431BED-T1-GE3 | 3.2300 | | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC431 | 24V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 24A | 0.6V | 20V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32432DNP3-T1GE4 | 0.7300 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32432 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 105mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 1.4a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC654ACD-T1-GE3 | 2.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC654 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | 논리, pwm | 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo | 반 반 | 유도, 성 용량, 저항성 | 3ohm ls + hs | 100A | 24V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG408LEDQ-T1-GE3 | 2.1600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG408 | 1 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | - | 8 : 1 | 23ohm | 1ohm | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 72ns, 47ns | -11pc | 5.5pf, 25pf | 1NA | -98db @ 100khz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP4280ADT-1-T1-E3 | - | | 3296 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP4280 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | TSOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | UVLO | 높은 높은 | 80mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 2.3a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC467ED-T1-GE3 | 5.3600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC467 | 60V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.8V | 15V | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3861BDV-T1-GE3 | - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3861 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 60mohm | 4.5V ~ 20V | 범용 | 2.3a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | dg409ldy | - | | 9842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG409 | 2 | 16- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | SP4T | 4 : 1 | 29ohm | 1ohm | 2V ~ 12V | ± 3V ~ 6V | 55ns, 25ns | 1pc | 7pf, 20pf | 1NA | -82dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC403CD-T1-GE3 | - | | 3179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-powervfqfn | SIC403 | 3V ~ 28V | PowerPak® MLP55-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.75V ~ 5.5V, 6A | 0.75v, 200ma에 조정 | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG409DY | - | | 5266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG409 | 2 | 16- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | DG409DYVSI | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | - | SP4T | 4 : 1 | 100ohm | 15ohm (() | 5V ~ 36V | ± 5V ~ 20V | 150ns, 150ns | 20pc | 14pf, 25pf | 500pa | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DVP-46-E3 | - | | 7021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 4.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG1413EEN-T1-GE4 | 7.2500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vqfn q 패드 | DG1413 | 4 | 16-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150MHz | SPST -NO/NC | 1 : 1 | 1.5ohm | 40mohm | 4.5V ~ 24V | ± 4.5V ~ 15V | 140ns, 110ns | -41pc | 24pf, 23pf | 500pa | -104dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9183DT-33-T1-E3 | - | | 1699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 3.3v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9105DN02-E3 | - | | 3251 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-LCC (J-Lead) | SI9105 | 120V | - | 20-PLCC (9x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 스텝 스텝/업 다운 | 1 | 플라이백 | 40kHz ~ 1MHz | 양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력 | 아니요 | - | - | - | 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32460DB-T2-GE1 | 0.2657 | | 4374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-UFBGA, CSPBGA | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32460 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 50mohm | 1.2V ~ 5.5V | 범용 | 1.2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DT-25-E3 | - | | 4523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.5V | - | 1 | 0.3V @ 150ma | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9730ABY-T1-E3 | - | | 8579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9730 | 리튬 리튬 | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 2,500 | 다기능 다기능 | - | 전류에서 전류에서 아래 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG301ABA | - | | 8058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 100-10 캔 금속 | DG301 | 1 | 100-10 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 20 | - | spdt | 2 : 1 | 50ohm | - | - | ± 15V | 300ns, 250ns | 8pc | 14pf, 14pf | 1NA | -74dB @ 500kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1865DDL-T1-BE3 | 0.4300 | | 8441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI1865 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI1865DDL-T1-BE3CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5V ~ 8V | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 165mohm | 1.8V ~ 12V | 범용 | 1.1a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG417LEDY-T1-GE4 | 1.3700 | | 763 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DG417 | 1 | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | spst | 1 : 1 | 9ohm | - | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 40ns, 35ns | 26pc | 11pf, 32pf | 10NA | -72dB @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9241AEY-E3 | - | | 1500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 트랜시버 | SI9241 | 4.5V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | ISO 9141 | 1/1 | 반 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9140DQ-T1-E3 | - | | 3049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9140 | 트랜지스터 트랜지스터 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 3V ~ 6.5V | 1 | 책임 | 20kHz ~ 2MHz | 활성화, 제어 주파수 | 긍정적인 | 1 | - | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4053EQ-T1-GE3 | 1.6200 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | DG4053 | 3 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 930mhz | spdt | 2 : 1 | 78ohm | 910mohm | 3V ~ 16V | ± 3V ~ 8V | 75ns, 88ns | 0.3pc | 2pf, 3.1pf | 1NA | -105dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC620ACD-T1-GE3 | 3.4900 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC620 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 18V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2501DB-T2-GE1 | - | | 7592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-XFBGA, WLCSP | DG2501 | 4 | 16-WCSP (1.44x1.44) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 550MHz | spst -nc | 1 : 1 | 200ohm | - | 1.8V ~ 5.5V | - | 100ns, 60ns | -2pc | 2.9pf, 2.8pf | 400PA | -83dB @ 1MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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