SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 채널 채널 전압 - 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 결함 결함 제어 제어 출력 출력 현재 - 출력 로드로드 RDS ON (TYP) 전류 - 출력 피크 전압 - 하중 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
DG407BDW-E3 Vishay Siliconix DG407BDW-E3 7.6675
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) DG407 2 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 - - 8 : 1 60ohm 3ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 107ns, 88ns 11pc 6pf, 54pf 500pa -
SIP21107DVP-46-E3 Vishay Siliconix SIP21107DVP-46-E3 -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6V 결정된 PowerPak® TSC75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 85 µA 활성화, 좋습니다 힘이 긍정적인 150ma 4.6v - 1 0.22V @ 150mA 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) 온도, 회로 단락
DG2537DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2537DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2537 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 366MHz spst- 아니요 1 : 1 4.5ohm 200mohm 2.6V ~ 4.3V ± 2.5V 30ns, 35ns 2.2pc 8pf, 9pf 250PA -90dB @ 1MHz
DG506AAK/883 Vishay Siliconix DG506AAK/883 -
RFQ
ECAD 1775 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) DG506 1 16-Cerdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - - 16 : 1 400ohm 24ohm - ± 15V 1.5µs, 1µs 6pc 6pf, 45pf 1NA -
DG409DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG409DQ-T1-E3 3.7100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG409 2 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 150ns, 150ns 20pc 14pf, 25pf 500pa -
DG428DN Vishay Siliconix DG428DN -
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC (J-Lead) DG428 1 20-PLCC (9x9) - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - - 8 : 1 100ohm 5ohm 12V ± 15V 150ns, 150ns 1pc 11pf, 40pf 500pa -
DG536DN Vishay Siliconix DG536DN -
RFQ
ECAD 3372 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 동영상 표면 표면 44-LCC (J-Lead) t- 스위치 구성 DG536 1 44-PLCC (16.59x16.59) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 300 500MHz - 16 : 1 90ohm 10V ~ 16.5V -
DG333ADW-T1-E3 Vishay Siliconix DG333ADW-T1-E3 5.8100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) DG333 4 20- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,500 - spdt 2 : 1 45ohm 2ohm (() 5V ~ 40V ± 4V ~ 22V 175ns, 145ns 10pc 8pf 250PA -80dB @ 1MHz
DG4051EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG4051EEY-T1-GE3 1.6200
RFQ
ECAD 1280 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG4051 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 308MHz - 8 : 1 78ohm 910mohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 75ns, 88ns 0.3pc 2.2pf, 9.2pf 1NA -105dB @ 100kHz
DG612EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix DG612EQ-T1-GE4 1.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG612 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1GHz spst- 아니요 1 : 1 115ohm 600mohm 3V ~ 12V ± 3V ~ 5V 50ns, 35ns 1.4pc 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10MHz
DG213DY Vishay Siliconix DG213DY -
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG213 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - SPST -NO/NC 1 : 1 60ohm 1ohm 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 130ns, 100ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG409DY-T1 Vishay Siliconix DG409DY-T1 -
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG409 2 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SP4T 4 : 1 100ohm 15ohm (() 5V ~ 36V ± 5V ~ 20V 150ns, 150ns 20pc 14pf, 25pf 500pa -
DG413LDY Vishay Siliconix DG413LDY -
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG413 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 280MHz SPST -NO/NC 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
SJM190BEA01 Vishay Siliconix SJM190BEA01 -
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - SJM19 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
DG413HSDN-T1-E4 Vishay Siliconix DG413HSDN-T1-E4 4.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vqfn q 패드 DG413 4 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - SPST -NO/NC 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
9073706PA Vishay Siliconix 9073706PA -
RFQ
ECAD 6479 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 90737 1 8-cerdip - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 - spdt 2 : 1 25ohm - - ± 15V - 38pc 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
DG9451EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG9451EN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG9451 1 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 270MHz - 8 : 1 105ohm 4ohm 2.7V ~ 12V ± 2.5V ~ 5V 185ns, 130ns 0.79pc 1pf, 9pf 1NA -90dB @ 100kHz
DG301BDJ Vishay Siliconix DG301BDJ -
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG301 1 14-PDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 50ohm - - ± 15V 150ns, 130ns (타이핑) 8pc 14pf, 14pf 5NA -74dB @ 500kHz
DG9454EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG9454EEN-T1-GE4 1.6200
RFQ
ECAD 348 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-Ufqfn DG9454 3 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 356MHz spdt 2 : 1 103ohm 1.24ohm 3V ~ 16V - 110ns, 91ns 5.84pc 3.1pf, 4pf 1NA -73dB @ 1MHz
DG408LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG408LEDY-T1-GE3 1.9800
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG408 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - 8 : 1 23ohm 1ohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 72ns, 47ns -11pc 5.5pf, 25pf 1NA -98db @ 100khz
DG508BEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG508BEY-T1-E3 2.8800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG508 1 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 250MHz - 8 : 1 380ohm 10ohm 12V ~ 44V ± 5V ~ 20V 250ns, 240ns 2pc 3pf, 13pf 1NA -88dB @ 1MHz
DG3003DB-T1-E1 Vishay Siliconix DG3003dB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 3770 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-WFBGA DG3003 1 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 700mohm 10mohm 1.8V ~ 5.5V - 71ns, 59ns 64pc 100pf 1NA -70dB @ 100kHz
DG2747DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2747DN-T1-E4 -
RFQ
ECAD 6669 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2747 2 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 93MHz spst- 아니요 1 : 1 600mohm 30mohm (h) 1.6V ~ 4.3V - 25ns, 25ns 10pc 75pf, 55pf 2NA -90dB @ 1MHz
DG419LDY-E3 Vishay Siliconix DG419LDY-E3 -
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DG419LDYE3 귀 99 8542.39.0001 500 - spdt 2 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
DG417DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG417DY-T1-E3 2.4500
RFQ
ECAD 4475 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG417 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 12V ± 15V 175ns, 145ns 60pc 8pf, 8pf 250PA -
DG212BDY-T1 Vishay Siliconix DG212BDY-T1 -
RFQ
ECAD 7838 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG212 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 85ohm 2ohm 4.5V ~ 25V ± 4.5V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
SI9706DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9706DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SI9706 - - 2 : 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 필요하지 필요하지 - 1 - 높은 높은 - 3.3V, 5V pcmcia 스위치 2A
DG444BDY Vishay Siliconix DG444BDY -
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG444 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG2717DX-T1-E3 Vishay Siliconix DG2717DX-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DG2717 1 SC-89-6 (SOT-666) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 700mohm 600mohm (최대) 1.6V ~ 4.3V - 44ns, 29ns 28pc 76pf 10NA -57dB @ 1MHz
SIC532CD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC532CD-T1-GE3 2.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix vrpower® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 동기 동기 컨버터 표면 표면 PowerPak® MLP4535-22L 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 SIC532 MOSFET 4.5V ~ 5.5V PowerPak® MLP4535-22L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 30A PWM UVLO 반 반 유도 유도 - 35a 4.5V ~ 24V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고