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통합 통합 (ICS) (1550)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 입력 입력 기술 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 -3dB 대역폭 전압- v (VCC/VDD) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk 인터페이스 출력 출력 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력)
SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP3245DB-T2-GE1 0.8200
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Vishay Siliconix Micro Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SIP32455 비 비 n 채널 1 : 1 4-WCSP (0.76x0.76) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 28mohm 0.8V ~ 2.5V 범용 1.2A
DG444BDY Vishay Siliconix DG444BDY -
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG444 4 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst -nc 1 : 1 80ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 300ns, 200ns 1pc 5pf, 5pf 500pa -95dB @ 100kHz
DG419LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG419LEDY-GE3 -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 3V ~ 16V
DG2616DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2616DN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 DG2616 2 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 7ohm 100mohm 1.5V ~ 3.6V - 69ns, 39ns 7pc 9pf 2NA -80dB @ 1MHz
DG412HSDY-E3 Vishay Siliconix DG412HSDY-E3 4.3600
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG412 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 35ohm - 13V ~ 44V ± 5V ~ 20V 105ns, 80ns 22pc 12pf, 12pf 250PA -88dB @ 1MHz
SI9140DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9140DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9140 트랜지스터 트랜지스터 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 3V ~ 6.5V 1 책임 20kHz ~ 2MHz 활성화, 제어 주파수 긍정적인 1 - 예 아니요 -
SJM187BCC Vishay Siliconix SJM187BCC -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - SJM18 - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 25
DG183BP Vishay Siliconix DG183BP -
RFQ
 ECAD 1271 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG183 2 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - DPST- 아니요 2 : 1 15ohm - - ± 15V 600ns, 220ns - 21pf, 17pf 15NA -
DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix DG419LEDY-T1-GE4 1.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG419 1 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 1 : 2 18ohm - 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 40ns, 35ns 26pc 6pf, 20pf 10NA -72dB @ 1MHz
DG1413EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG1413EEQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) DG1413 4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 210MHz spst -nc 1 : 1 1.8ohm 80mohm 4.5V ~ 24V ± 4.5V ~ 15V 150ns, 120ns -20pc 11pf, 24pf 500pa -100dB @ 1MHz
SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3865DDV-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 슬리트 슬리트 제어되었습니다 SI3865 - p 채널 1 : 1 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 온/꺼짐 1 - 높은 높은 45mohm 1.5V ~ 12V 범용 2.8a
DG2035DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2035DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG2035 2 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spdt 2 : 1 1ohm 50mohm (h) 1.8V ~ 5.5V - 58ns, 49ns 4pc 117pf 2NA -71dB @ 100kHz
DG407BDW-E3 Vishay Siliconix DG407BDW-E3 7.6675
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) DG407 2 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 - - 8 : 1 60ohm 3ohm 7.5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 107ns, 88ns 11pc 6pf, 54pf 500pa -
DG2714DL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2714DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG2714 1 SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spdt 2 : 1 1.2ohm 60mohm (h) 1.5V ~ 3.6V - 51ns, 33ns 9pc 30pf 1NA -64dB @ 1MHz
DG9451EN-T1-E4 Vishay Siliconix DG9451EN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-wfqfn DG9451 1 16-MINIQFN (1.8x2.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 270MHz - 8 : 1 105ohm 4ohm 2.7V ~ 12V ± 2.5V ~ 5V 185ns, 130ns 0.79pc 1pf, 9pf 1NA -90dB @ 100kHz
DG2747DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2747DN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufqfn DG2747 2 8-MINIQFN (1.4x1.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 93MHz spst- 아니요 1 : 1 600mohm 30mohm (h) 1.6V ~ 4.3V - 25ns, 25ns 10pc 75pf, 55pf 2NA -90dB @ 1MHz
SI9986DY-E3 Vishay Siliconix SI9986DY-E3 -
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9986 MOSFET 3.8V ~ 13.2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (2) 1A 3.8V ~ 13.2V 양극성 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 -
DG302BDJ Vishay Siliconix DG302BDJ -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) DG302 2 14-PDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - DPST- 아니요 2 : 1 50ohm - - ± 15V 300ns, 250ns 8pc 14pf, 14pf 1NA -74dB @ 500kHz
DG441LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG441LEDY-GE3 1.5700
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG441 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 - spst -nc 1 : 1 26ohm 100mohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 60ns, 35ns 6.6pc 5pf, 6pf 1NA -114db @ 1MHz
DG2741DS-T1-E3 Vishay Siliconix DG2741DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8677 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-8 DG2741 2 SOT-23-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst- 아니요 1 : 1 800mohm - 1.5V ~ 3.6V - 30ns, 28ns 5.8pc 81pf 1NA -89dB @ 1MHz
DG541AP Vishay Siliconix DG541AP -
RFQ
 ECAD 9592 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 동영상 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) RGB, T-, 구성 DG541 4 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 500MHz spst 1 : 1 60ohm 3V ~ 15V ± 3V ~ 15V
DG418BDY Vishay Siliconix DG418BDY -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG418 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - spst- 아니요 1 : 1 25ohm - 13V ~ 36V ± 7V ~ 22V 89ns, 80ns 38pc 12pf, 12pf 250PA -
SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC437BERBED-T1-GE3 3.2300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 24-powerwfqfn SIC437 28V 조절할 조절할있는 PowerPak® MLP44-24 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 300kHz ~ 1MHz 긍정적인 예 12a 0.6V 20V 3V
DG9233DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9233DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) DG9233 2 8-MSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst- 아니요 1 : 1 30ohm 400mohm 2.7V ~ 12V - 75ns, 50ns 2pc 7pf, 13pf 100pa -90dB @ 1MHz
DG411DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG411DQ-T1-E3 2.1800
RFQ
 ECAD 6116 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG411 4 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - spst -nc 1 : 1 35ohm - 5V ~ 44V ± 5V ~ 20V 175ns, 145ns 5pc 9pf, 9pf 250PA -85dB @ 1MHz
DG3517DB-T5-E1 Vishay Siliconix DG3517DB-T5-E1 -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-WFBGA DG3517 2 10 (® ® (2x1.5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 300MHz spdt 2 : 1 2.9ohm 250mohm (최대) 1.8V ~ 5.5V - 45ns, 42ns 1pc 12pf 2NA -78dB @ 1MHz
DG636EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix DG636EEQ-T1-GE4 1.6200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG636 2 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 700MHz spdt 2 : 1 96ohm 2ohm 3V ~ 16V ± 3V ~ 8V 56ns, 61ns -0.33pc 3.7pf, 4.4pf 500pa -62dB @ 10MHz
DG417LDY-T1 Vishay Siliconix DG417LDY-T1 -
RFQ
 ECAD 8744 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG417 1 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 20ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 43ns, 31ns 1pc 5pf 1NA -71dB @ 1MHz
DG412LDQ-T1 Vishay Siliconix DG412LDQ-T1 -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DG412 4 16-TSSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 280MHz spst- 아니요 1 : 1 17ohm - 2.7V ~ 12V ± 3V ~ 6V 19ns, 12ns 5pc 5pf, 6pf 250PA -95dB @ 1MHz
DG441DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG441DY-T1-E3 2.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DG441 4 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 - spst -nc 1 : 1 85ohm 4ohm (() 12V ± 15V 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100dB @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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