SIC
close

통합 통합 (ICS) (2120)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 현재 - 채널 / 출력 입력 입력 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 규약 드라이버/수 수신기 이중 데이터 데이터 인터페이스 시계 시계 출력 출력 전압 전압 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 전파 전파 내부 내부 토폴로지 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
TB6596FLG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6596FLG, el -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 범용 표면 표면 36-vfqfn 노출 패드 TB6596 MOSFET 3V ~ 5.5V 36- Qon (6x6) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 연속물 하프 하프 (12) 600ma 2.2V ~ 5.5V 양극성 브러시 브러시 DC 1 ~ 1/64
TC4538BP(N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4538BP (N, F) 0.6384
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4538 3 V ~ 18 v 16-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 모노스트 모노스트 9ma, 15ma 아니요 2 100 ns
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr5am 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xdfn d 패드 TCR5AM095 5.5V 결정된 5-DFNB (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 0.95V - 1 0.23V @ 500MA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) "
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10, LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr3dg 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA tcr3dg10 5.5V 결정된 4-WCSPE (0.65x0.65) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 긍정적인 300ma 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) TA4800 16V 조절할 조절할있는 5-HSIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 1.7 MA 20 MA - 긍정적인 1A 1.5V 9V 1 0.5V @ 500MA 63dB (120Hz) 현재, 이상 온도
74HC139D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC139D -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HC139 2V ~ 6V 16- - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 5.2MA, 5.2MA 단일 단일 1 x 2 : 4 2
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP, T6NHF (J. -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 ta78ds 33V 결정된 lstm 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 긍정적인 30ma 5V - 1 0.3v @ 10ma - 전류, 이상 온도, 전압, 과도 전압
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, APNF (m -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 TA78L009 35V 결정된 lstm 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 긍정적인 150ma 9V - 1 1.7v @ 40ma (유형) 44dB (120Hz) 전류에 전류에
TC74LCX00FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX00FTELM -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74lcx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LCX00 4 2V ~ 3.6V 14-tssop - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 10 µA 2 5.2ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L12BP -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 대부분 활동적인 KIA78 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15, LM (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 TCR2EF15 5.5V 결정된 SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73db (1khz) 전류에 전류에
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33UTE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 TAR5S33 15V 결정된 UFV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 850 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.2v @ 50ma 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 TA78L12 35V 결정된 PS-8 (2.9x2.4) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 6 MA 6.5 MA - 긍정적인 150ma 12V - 1 2V @ 150ma (유형) 41dB (120Hz) 현재, 이상 온도
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TA4809 16V 결정된 PW-Mold - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 1.7 MA 20 MA - 긍정적인 1A 9V - 1 0.69V @ 1A (유형) 55dB (120Hz) 현재, 이상 온도
TD62083APG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62083APG, n -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 18-DIP (0.300 ", 7.62mm) 운전사 TD62083 5V 18-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 20 - 8/0 - -
TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage tcr8bm08a, l3f 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr8bm 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xdfn d 패드 5.5V 결정된 5-DFNB (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 36 µA 현재 현재, 제한 긍정적인 800ma 0.8V - 1 0.21V @ 800MA 98db (1khz) "
TMPM380FWFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FWFG 5.1480
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM380 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 12k x 8 4V ~ 5.5V A/D 18x12b 외부
TC7W74FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W74FK, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) D- 타입 7W74 보완 보완 2V ~ 6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 1 5.2MA, 5.2MA 설정 (설정 사전) 및 재설정 67 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 26NS @ 6V, 50pf 2 µA 5 pf
TMPM462F15FG(BDBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM462F15FG (BDBB) 12.0065
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP TMPM462 176-LQFP (20x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 139 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 120MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, MICROIR, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, Wdt 1.5MB (1.5MX 8) 플래시 - 193k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 20X12B 외부
TC74HC173APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC173APF -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) D- 타입 74HC173 트라이 트라이, 스테이트 반전 2V ~ 6V 16-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 1 4 7.8ma, 7.8ma 마스터 마스터 84 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 26NS @ 6V, 150pf 4 µA 5 pf
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28, LM (CT 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr3df 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 tcr3df28 5.5V 결정된 SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.27V @ 300MA 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
TCR8BM09A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM09A, L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr8bm 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xdfn d 패드 5.5V 결정된 5-DFNB (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 36 µA 현재 현재, 제한 긍정적인 800ma 0.9V - 1 0.22v @ 800ma - "
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb62757fug, el -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 백라이트 표면 표면 SOT-23-6 DC DC 레귤레이터 TB62757 1.1MHz SOT-23-6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 20MA 1 예 스텝 스텝 (업) 5.5V PWM 2.8V -
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S, Q (j -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TA58L15 29V 결정된 TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 1.4 MA 50 MA - 긍정적인 250ma 15V - 1 0.4V @ 200mA - 현재, 이상 온도
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 TA78L005 35V 결정된 lstm 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 6 MA - 긍정적인 150ma 5V - 1 1.7v @ 40ma (유형) 49dB (120Hz) -
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2dg 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG28 5.5V 결정된 4-WCSP (0.79x0.79) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 긍정적인 200ma 2.8V - 1 0.12v @ 100ma - 전류를 전류를 전류가 통해 열 차단 차단
TB62208FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG, 8, el -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 28-bsop (0.346 ", 8.80mm 너비) + 2 개의 열 탭 TB62208 DMOS 4.5V ~ 5.5V 28 마일 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 1.8a 10V ~ 38V 양극성 - 1, 1/2
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG14, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2dg 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP 5.5V 결정된 4-WCSP (0.79x0.79) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.4V - 1 0.6v @ 100ma - 현재, 이상 온도
TC74LCX540FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX540FK (El, K) 0.2629
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74lcx 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-VFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 74LCX540 - 3 국가 1.65V ~ 3.6V 20-VSSOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 1 8 24MA, 24MA
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215ftag, el 2.7300
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 36-wfqfn q 패드 TB67S215 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 36-WQFN (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 4,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 PWM 하프 하프 (4) 2A 10V ~ 35V 양극성 - 1, 1/2, 1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다