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통합 통합 (ICS) (2120)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 현재 - 채널 / 출력 입력 입력 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 인터페이스 출력 출력 전압 전압 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 회로 독립 독립 채널 채널 내부 내부 토폴로지 결함 결함 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 감지 감지 정확성 현재 - 출력 RDS ON (TYP) 전압 - 하중 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 스위치 스위치 현재- 최대 (출력) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
TC75S56FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S56FUTE85LF 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 범용 TC75S56 푸시 푸시 5-SSOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 3,000 1 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7MV @ 5V 1pa @ 5v 25MA 20µA - 680ns -
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747Afnag, el -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - 표면 표면 24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 선의 TB62747 - 24-SSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 45MA 16 예 시프트 시프트 5.5V - 3V 26V
TB6633AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6633afng, el -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 범용 표면 표면 24-LSSOP (0.220 ", 5.60mm 너비) TB6633 MOSFET 5.5V ~ 22V 24-SSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 비슷한 비슷한 하프 하프 (3) 1A 5.5V ~ 22V - DC (BLDC) -
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG, C, EL, b -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - 표면 표면 24-SOP (0.236 ", 6.00mm 너비) 선의 TC62D748 - 24-SSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 90ma 16 예 시프트 시프트 5.5V - 3V 17V
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG, C8, EL 1.7398
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 TB62213 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 48-QFN (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 2,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 2.4a 10V ~ 38V 양극성 - 1, 1/2, 1/4
TC7W00FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W00FK, LF 0.1173
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7W00 2 2V ~ 6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) TC7W00FKLF 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TCKE805NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NA, RF 1.5200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-wfdfn d 패드 TCKE805 4.4V ~ 18V 10-wsonb (3x3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 전자 전자 - - 5a
TB9081FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9081FG 8.4934
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차 표면 표면 64-LQFP TB9081 BI-CMOS 3V ~ 5.5V 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,600 운전사 PWM, SPI 사전 사전 4.5V ~ 28V - DC (BLDC) -
TC9593XBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC9593XBG (EL) 7.8400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 64-VFBGA 다리 확인되지 확인되지 64-VFBGA (6x6) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,500
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G, L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP TCK421 비 비 확인되지 확인되지 2.7V ~ 28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 동기 높은 높은 및 측면 측면 2 N- 채널 MOSFET 0.4V, 1.2V - -
TCR2LN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ln 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 5.5V 결정된 4-SDFN (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.1V - 1 0.28V @ 150mA - 전류에 전류에
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en32, lf (se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 5.5V 결정된 4-SDFN (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-tcr2en32lf (setr 귀 99 8542.39.0001 10,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.2v - 1 0.18V @ 150mA - 전류에 전류에
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ln 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 5.5V 결정된 4-SDFN (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.9V - 1 0.6V @ 150ma - 전류에 전류에
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN, LF 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 하중 하중, 방전 속도 제어 TCK207 비 비 n 채널 1 : 1 4-DFNA (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 필요하지 필요하지 온/꺼짐 1 역류 높은 높은 21.5mohm 0.75V ~ 3.6V 범용 2A
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um28a, lf (se 0.4700
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 5.5V 결정된 4-DFN (1x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 680 NA 현재 현재, 제한 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.327V @ 300ma - 현재, 이상 온도
TCR3UM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um33a, lf (se 0.4700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 5.5V 결정된 4-DFN (1x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 680 NA 현재 현재, 제한 긍정적인 300ma 3.3v - 1 0.273V @ 300ma - 현재, 이상 온도
TCR3UM185A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um185a, lf (se 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 5.5V 결정된 4-DFN (1x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 680 NA 현재 현재, 제한 긍정적인 300ma 1.85V - 1 0.457V @ 300ma - 현재, 이상 온도
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ln 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 5.5V 결정된 4-SDFN (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2V - 1 0.54V @ 150mA - 전류에 전류에
TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ln 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 5.5V 결정된 4-SDFN (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.5V - 1 0.36V @ 150mA - 전류에 전류에
TC7SB3157DL6X,(S2E Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB3157DL6X, (S2E 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 멀티플렉서/demultiplexer TC7SB3157 1.65V ~ 5.5V 6-MP6D (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 - 단일 단일 1 x 2 : 1 1
TCR3RM29A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3rm29a, lf (se 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TCR3RM 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xdfn d 패드 TCR3RM29 5.5V 결정된 4-DFNC (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 12 µA 현재 현재, 제한 긍정적인 300ma 2.9V - 1 0.15v @ 300ma - 현재, 이상 온도
74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC238ft 0.1094
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 디코더 74VHC238 2V ~ 5.5V 16-tssopb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-74VHC238fttr 2,500 8ma, 8ma 단일 단일 1 x 3 : 8 1
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A, L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr8bm 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xdfn d 패드 5.5V 결정된 5-DFNB (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 36 µA 현재 현재, 제한 긍정적인 800ma 3.3v - 1 0.285V @ 800ma - "
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A, LF 0.1357
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr5am 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 4-xdfn d 패드 5.5V 결정된 5-DFNB (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 5,000 55 µA 현재 현재, 제한 긍정적인 500ma 1V - 1 0.25V @ 500MA 90dB (1khz) "
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG (ELHB -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) LED 조명 표면 표면 24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 선의 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFNAG (ELHB 쓸모없는 1 90ma 16 아니요 시프트 시프트 5.5V 아니요 3V 17V
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2dg 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP 5.5V 결정된 4-WCSP (0.79x0.79) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 2.6v - 1 0.13v @ 100ma - 현재, 이상 온도
TCR2EE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE19, LM (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr2ee 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-553 5.5V 결정된 ESV 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 4,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73db (1khz) 전류에 전류에
TMPM4GNF10FG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm4gnf10fg -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) 다운로드 264-TMPM4GNF10FG 1 91 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 200MHz EBI/EMI, FIFO, I²C, IRDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 256k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG, el 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 범용 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 TC78H670 DMOS 1.5V ~ 5.5V 16-VQFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 연속물 하프 하프 (4) 2A 2.5V ~ 16V 양극성 브러시 브러시 DC 1, 1/2
TCR5RG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG12A, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 tcr5rg 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG12 5.5V 결정된 4-WCSPF (0.65x0.65) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 긍정적인 500ma 1.2V - 1 - 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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