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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 논리 논리 | 요소 요소 | 요소 요소 비트 당 | 전류 - 높음 출력, 낮음 | 기능 | 현재 -Quiescent (최대) | 슬림 슬림 | -3dB 대역폭 | 증폭기 증폭기 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | 입력 입력 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 스위치 스위치 | 멀티플렉서/demultiplexer 회로 | 온 온 저항 (최대) | 채널 채널 채널 대 대 (Δron) | 전압- 단일, 공급 (v+) | 전압- 이중, 공급 (v ±) | 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) | 전하 전하 | 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) | 전류- is (is (is)) (max) | Crosstalk | 데이터 데이터 | 인터페이스 | 시계 시계 | 입력 입력 | 출력 출력 | 출력 출력 | 전압 전압 | 트리거 트리거 | cl | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 입력 입력 | 입력 입력 레벨 - 낮음 | 입력 입력 레벨 - 높음 | 회로 | 독립 독립 | 번역기 번역기 | 채널 채널 | 회로 회로 채널 | -VCCA | -VCCB | 결함 결함 | 제어 제어 | 출력 출력 | 현재 - 출력 | RDS ON (TYP) | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 스위치 스위치 | 현재- 최대 (출력) | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
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![]() | TCR4S15WBG, LF (s | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | TCR4 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 4-UFBGA, WLCSP | TCR4S15 | 6V | 결정된 | 4-WCSP (0.79x0.79) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 75 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 200ma | 1.5V | - | 1 | 0.35V @ 50MA | 80db (1khz) | 전류에 전류에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 74HC245D | 0.5800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 74HC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 74HC245 | - | 3 국가 | 2V ~ 6V | 20- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 트랜시버, 반전 비 | 1 | 8 | 7.8ma, 7.8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMPM333FWFG (C, J) | 4.7190 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | TX03 | 쟁반 | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | TMPM333 | 100-LQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | TMPM333FWFG (CJ) | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 200 | 78 | ARM® Cortex®-M3 | 32 비트 싱글 비트 | 40MHz | i²c, sio, uart/usart | 포, wdt | 128KB (128k x 8) | 플래시 | - | 8k x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 12x10B | 외부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6549PG (O) | - | ![]() | 5857 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 범용 | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | TB6549 | BI-CMOS | 10V ~ 27V | 16-DIP | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | pwm, 연재물 | 하프 하프 (2) | 3.5a | 10V ~ 27V | - | 브러시 브러시 DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SP3125TU, LF | - | ![]() | 6686 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | TC7SP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | - | TC7SP3125 | 트라이 트라이, 스테이트 반전 | 1 | UF6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | - | - | 전압 전압 | 단방향 | 1 | 1.1 v ~ 2.7 v | 1.65 V ~ 3.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6551FG (O, EL, 건조) | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | 팬 팬 | 표면 표면 | 24-SOP (0.236 ", 6.00mm 너비) | TB6551 | BI-CMOS | 6V ~ 10V | 24-SSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.31.0001 | 2,000 | 컨트롤러 - 방향, 정류 관리 | 평행한 | 사전 사전 - 드라이버 브리지 브리지 (3) | - | - | - | DC (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7UL1G08FU, LF | 0.3800 | ![]() | 2050 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 7UL | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 7UL1G08 | 1 | 0.9V ~ 3.6V | 5-SSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 그리고 그리고 | 8ma, 8ma | 1 µA | 2 | 4.4ns @ 3.3v, 30pf | 0.1V ~ 0.4V | 0.75V ~ 2.48V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62003AFWG, el | 0.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | TBD62003 | 반전 | n 채널 | 1 : 1 | 16-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 7 | - | 낮은면 | - | 50V (최대) | 범용 | 500ma |
일일 평균 RFQ 볼륨
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