SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 인터페이스 코어/너비 버스 수 공동 공동/dsp 램 램 그래픽 그래픽 디스플레이 디스플레이 인터페이스 및 이더넷 사타 USB 전압 -i/o 보안 보안 추가 추가 시계 시계 비 비 기억 온칩 온칩 전압 - 코어
JN5189HN/001K NXP USA Inc. JN5189HN/001K 4.4781
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 JN5189 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2,450
MIMX8QX2AVLFZAC NXP USA Inc. mimx8qx2avlfzac 83.4707
RFQ
ECAD 1919 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 - - MIMX8QX2 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 60 - - - - - - - - - - - - -
SAF775DHV/N208Q/DY NXP USA Inc. SAF775DHV/N208Q/DY -
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - SAF775 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 500 - - - - - -
SP5747CSK0AVMJ2R NXP USA Inc. SP5747CSK0AVMJ2R 28.7788
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 NXP USA Inc. MPC57XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga SP5747 256-MAPPBGA (17x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 178 E200Z2, E200Z4 32 비트 듀얼 비트 80MHz, 120MHz Canbus, 이더넷, i²c, linbus, sai, spi DMA, LVD, POR, WDT 4MB (4m x 8) 플래시 - 512k x 8 3V ~ 5.5V A/D 48x10b, 16x12b 내부
S912ZVMAL3F0VLF NXP USA Inc. S912ZVMAL3F0VLF 4.3206
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 NXP USA Inc. S12 MAGIV 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LQFP S912 48-LQFP (7x7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,250 34 S12Z 16 비트 32MHz I²C, Irda, Linbus, Sci, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 32KB (32k x 8) 플래시 128 x 8 1K X 8 5.5V ~ 18V A/D 10X10B, 10x12b 내부
MC33FS8530A4ESR2 NXP USA Inc. MC33FS8530A4ESR2 7.6181
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MC33FS8530 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000
FS32K146HRT0MLLT NXP USA Inc. FS32K146HRT0MLLT 17.3250
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp FS32K146 100-LQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 450 89 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 4K X 8 128k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 24x12b SAR; d/a1x8b 내부
FS32K142HFT0VLHR NXP USA Inc. FS32K142HFT0VLHR 6.2333
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP FS32K142 64-LQFP (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 1,500 58 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART POR, PWM, WDT 256KB (256k x 8) 플래시 4K X 8 32k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x12b SAR; d/a1x8b 내부
LS1027ASE7NQA NXP USA Inc. ls1027ase7nqa 68.0574
RFQ
ECAD 1965 0.00000000 NXP USA Inc. QORIQ® LAYERSCAPE 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 448-BFBGA LS1027 448-FBGA (17x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 90 ARM® Cortex®-A72 1.3GHz 2 비트, 64 코어 - DDR3L SDRAM, DDR4 SDRAM - - 1GBPS (1), 2.5GBPS (5) SATA 6GBPS (1) - - - Canbus, i²c, spi, uart
LS2084AXN711B NXP USA Inc. LS2084AXN711B 443.6205
RFQ
ECAD 3175 0.00000000 NXP USA Inc. QORIQ® LAYERSCAPE 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 1292-BBGA, FCBGA LS2084 1292-FCPBGA (37.5x37.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 21 ARM® Cortex®-A72 2.1GHz 8 비트, 64 코어 - DDR4 - - 10gbe (8), 2.5gbe (16) 사타 (2) USB 3.0 + phy (2) - 보안 보안, Trustzone® -
MIMX8UX5AVOFZAC NXP USA Inc. mimx8ux5avofzac 54.7258
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 - - mimx8ux5 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 90 - - - - - - - - - - - - -
FS32K144ULT0VLLR NXP USA Inc. FS32K144ULT0VLLR 8.9506
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp FS32K144 100-LQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 1,000 89 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART POR, PWM, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 4K X 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x12b SAR; d/a1x8b 내부
MWCT1012VLFR NXP USA Inc. MWCT1012VLFR 3.9753
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 무선 무선 송신기 표면 표면 48-LQFP MWCT1012 1.7ma 3V ~ 3.6V 48-LQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991A2 8542.31.0001 2,000
FS32K148HET0VLQT NXP USA Inc. FS32K148HET0VLQT 17.5560
RFQ
ECAD 6398 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 144-LQFP FS32K148 144-LQFP (20x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 300 128 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, Ethernet, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART I²S, POR, PWM, WDT 2MB (2m x 8) 플래시 4K X 8 256k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 32X12B SAR; d/a 1x8b 내부
FS32K146HRT0MMHT NXP USA Inc. FS32K146HRT0MMHT 17.3250
RFQ
ECAD 9995 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-LFBGA FS32K146 100-MAPBGA (11x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 880 89 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 4K X 8 128k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 24x12b SAR; d/a1x8b 내부
SAF4000EL/101S430Y NXP USA Inc. SAF4000EL/101S430Y -
RFQ
ECAD 9441 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - SAF4000 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 - - - - - -
S9KEAZN32AVLCR NXP USA Inc. s9keazn32avlcr 2.0509
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 NXP USA Inc. 키네 키네 케아 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 32-LQFP S9KEAZN32 32-LQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2,000 28 ARM® Cortex®-M0+ 32 비트 싱글 비트 40MHz I²C, Linbus, SPI, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 32KB (32k x 8) 플래시 256 x 8 4K X 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x12b SAR 내부
LS1028ASE7NQA NXP USA Inc. ls1028ase7nqa 73.1797
RFQ
ECAD 5541 0.00000000 NXP USA Inc. QORIQ® LAYERSCAPE 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 448-BFBGA LS1028 448-FBGA (17x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 90 ARM® Cortex®-A72 1.3GHz 2 비트, 64 코어 - DDR3L SDRAM, DDR4 SDRAM - - 1GBPS (1), 2.5GBPS (5) SATA 6GBPS (1) - - - Canbus, i²c, spi, uart
SPC5748GSK0AMKU6 NXP USA Inc. SPC5748GSK0AMKU6 38.1365
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 NXP USA Inc. MPC57XX 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 176-lqfp q 패드 SPC5748 176-LQFP (24x24) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 200 129 E200Z2, E200Z4, E200Z4 32 비트 트라이 비트 80MHz, 160MHz, 160MHz Canbus, 이더넷, i²c, linbus, sai, spi, usb, usb otg DMA, LVD, POR, WDT 6MB (6m x 8) 플래시 - 768k x 8 3.15V ~ 5.5V A/D 48x10b, 16x12b 내부
SPC5606SF2CLU6R NXP USA Inc. SPC5606SF2CLU6R 24.6675
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 NXP USA Inc. MPC56XX QORIVVA 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP SPC5606 176-LQFP (24x24) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 500 133 E200Z0H 32 비트 싱글 비트 64MHz Canbus, I²C, Linbus, Qspi, Sci, Spi DMA, LCD, POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 64k x 8 48k x 8 3V ~ 5.5V A/D 16x10b 내부
MC34PF8100CHEPR2 NXP USA Inc. MC34PF8100CHEPR2 7.4433
RFQ
ECAD 7604 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 표면 표면, 마운트 측면 56-vfqfn 노출 패드 MC34PF8100 - 2.5V ~ 5.5V 56-HVQFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000
MIMX8DX1AVLFZAC NXP USA Inc. mimx8dx1avlfzac 64.3235
RFQ
ECAD 1205 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 - - MIMX8DX1 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 60 - - - - - - - - - - - - -
FS32K116BRT0MLFR NXP USA Inc. fs32k116brt0mlfr 4.3875
RFQ
ECAD 9667 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LQFP FS32K116 48-LQFP (7x7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 2,000 43 ARM® Cortex®-M0+ 32 비트 싱글 비트 48MHz Canbus, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART DMA, PWM, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 2k x 8 17k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 13x12b SAR; d/a 1x8b 내부
FS32R372SCK0MMVT NXP USA Inc. FS32R372SCK0MMVT 40.9596
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 141-LFBGA FS32R372 141-MAPBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 240 E200Z7260 32 비트 듀얼 비트 240MHz Canbus, i²c, linbus, spi POR, PWM, WDT 1.3MB (1.3MX 8) 플래시 32k x 8 768k x 8 1.19V ~ 5.5V A/D 16x12b SAR 내부
MWCT1R24ZVHT NXP USA Inc. MWCT1R24ZVHT 6.9032
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 NXP USA Inc. * 쟁반 활동적인 MWCT1R24 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,300
LS2044ASN7QQB NXP USA Inc. LS2044ASN7QQB 318.3091
RFQ
ECAD 5313 0.00000000 NXP USA Inc. QORIQ® LAYERSCAPE 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 1292-BBGA, FCBGA LS2044 1292-FCPBGA (37.5x37.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 21 ARM® Cortex®-A72 1.6GHz 4 비트, 64 코어 - DDR4 아니요 - 10gbe (8), 1gbe (16), 2.5gbe (1) SATA 6GBPS (2) USB 3.0 + phy (2) - 보안 보안, Trustzone® EMMC/SD/SDIO, I²C, PCIE, SPI, UART
MCIMX6DP6AVT1AAR NXP USA Inc. mcimx6dp6avt1aar 86.3507
RFQ
ECAD 8365 0.00000000 NXP USA Inc. i.mx6dp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 624-FBGA, FCBGA MCIMX6 624-FCBGA (21x21) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 500 ARM® Cortex®-A9 1GHz 2 비트, 32 코어 멀티미디어; Neon ™ Simd DDR3, DDR3L, LPDDR2 HDMI,,, LCD, LVD, MIPI/DSI, 병렬 10/100/1000Mbps (1) SATA 3GBPS (1) USB 2.0 + Phy (3), USB 2.0 OTG + Phy (1) 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.3V ARM TZ, A-HAB, CAAM, CSU, SJC, SNV CAN, EBI/EMI, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, SAI, SPI, SSI, S/PDIF, UART
SAF4000EL/101S53BY NXP USA Inc. SAF4000EL/101S53BY -
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - SAF4000 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 - - - - - -
FS32K148UJT0VLLT NXP USA Inc. fs32k148ujt0vllt 25.6400
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 NXP USA Inc. S32K 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp FS32K148 100-LQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A992C 8542.31.0001 450 89 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 112MHz Canbus, Ethernet, Flexio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART I²S, POR, PWM, WDT 2MB (2m x 8) 플래시 4K X 8 256k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 32X12B SAR; d/a 1x8b 내부
MIMXRT1061DVJ6A NXP USA Inc. mimxrt1061dvj6a -
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. RT1060 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TJ) 표면 표면 196-LFBGA MIMXRT1061 196-LFBGA (12x12) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 189 127 ARM® Cortex®-M7 32 비트 싱글 비트 600MHz Canbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SAI, SPDIF, SPI, UART/USART, USB OTG 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT - 외부 외부 메모리 - 1m x 8 3V ~ 3.6V A/D 20X12B 외부, 내부
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고