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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 배터리 배터리 세포 세포 전압- 최대 (입력) 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 기능 표준 제어 제어 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 인터페이스 출력 출력 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 결함 결함 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
TLC3702IPW Texas Instruments TLC3702IPW 1.5900
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC3702 CMOS, 푸시,, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 65µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC393IP Texas Instruments TLC393IP 1.7100
RFQ
ECAD 243 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 범용 TLC393 MOS, 오픈 드레인 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 65µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLV2352IPWR Texas Instruments tlv2352ipwr 0.7125
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLV2352 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 2V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC393CPWR Texas Instruments tlc393cpwr 1.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC393 MOS, 오픈 드레인 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 40µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLV3704IDR Texas Instruments TLV3704IDR 3.0800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLV3704 CMOS, 푸시,, 레일 투 레일 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V 5MV @ 15V 250pa @ 15V 10MA 1µA 88dB CMRR, 105dB PSRR - -
TLC339ID Texas Instruments TLC339ID 1.9400
RFQ
ECAD 5522 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLC339 CMOS, 오픈, 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 4 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 125µA 84dB CMRR 4.5µs -
LM239AQDREP Texas Instruments lm239aqdrep 0.8310
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 LM239 CMOS, MOS,, 수집가, TTL 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 2.5MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2MA - - -
TLV1117CKVURG3 Texas Instruments TLV1117CKVURG3 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TLV1117 15V 조절할 조절할있는 TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 10 MA - 긍정적인 800ma 1.25V 13.7v 1 1.3V @ 800ma 75dB (120Hz) 현재, 이상 온도
TLV2217-18KVURG3 Texas Instruments TLV2217-18KVURG3 0.6225
RFQ
ECAD 3226 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TLV2217 12V 결정된 TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 긍정적인 500ma 1.8V - 1 - 62db (120Hz) 전류, 이상 온도, 전압
TPS54615MPWPREP Texas Instruments TPS54615MPWPREP 10.1640
RFQ
ECAD 2042 0.00000000 텍사스 텍사스 Swift ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) TPS54615 6V 결정된 28-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 뿌리 뿌리 1 책임 350kHz, 550kHz 긍정적인 6A 2.5V - 3V
TL331KDBVRG4 Texas Instruments TL331KDBVRG4 -
RFQ
ECAD 8587 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 미분 TL331 CMOS, MOS,, 수집가, TTL SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 5MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 700µA - - -
LMH7220MKX/NOPB Texas Instruments LMH7220MKX/NOPB -
RFQ
ECAD 6206 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 범용 LMH7220 보완 보완, 적, LVD SOT-23- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 2.7V ~ 12V, ± 1.35V ~ 6V 9.5MV @ 5V 0.5µA @ 5V - 6.8ma 70dB CMRR, 74dB PSRR 7ns -
LMH1982SQE/NOPB Texas Instruments LMH1982SQE/NOPB 32.3600
RFQ
ECAD 532 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 전문 전문 표면 표면 32-wfqfn 노출 패드 LMH1982 3.135V ~ 3.465V 32-WQFN (5x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 발전기 NTSC, PAL, Smpte i²c
BQ27210DRKRG4 Texas Instruments BQ27210DRKRG4 -
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 텍사스 텍사스 BQJunior ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 BQ27210 리튬 리튬/이온 1 10-vson (3x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 배터리 배터리 i²c -
VSP2270MG4 Texas Instruments vsp2270mg4 -
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 텍사스 텍사스 - 쟁반 쓸모없는 소비자 소비자 표면 표면 48-vfqfn VSP2270 2.7V ~ 3.6V 48-VQFN (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 프로세서 - 아날로그 아날로그
VSP2272M/2K Texas Instruments VSP2272M/2K 21.6375
RFQ
ECAD 1268 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 소비자 소비자 표면 표면 48-vfqfn VSP2272 2.7V ~ 3.6V 48-VQFN (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 프로세서 - -
VSP3010Y/2KG4 Texas Instruments vsp3010y/2kg4 -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 텍사스 텍사스 SpeedPlus ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 소비자 소비자 표면 표면 48-LQFP VSP3010 4.7V ~ 5.3V 48-LQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 프로세서 - 연속물
UC385TDKTTT-ADJG3 Texas Instruments UC385TDKTTT-ADJG3 10.4200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA UC385 7.5V 조정 조정 (가능) DDPAK/TO-263-5 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 - 긍정적인 5a 1.2V 6V 1 2.1V @ 5A - 온도, 극성 역, 단락
LM2833ZMY/NOPB Texas Instruments LM2833ZMY/NOPB 2.9900
RFQ
ECAD 603 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LM2833 5.5V 조절할 조절할있는 10-msop-powerpad 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 뿌리 뿌리 1 책임 3MHz 긍정적인 아니요 3A 0.6V 4.5V 3V
BQ77PL157APW-4225 Texas Instruments BQ77PL157APW-4225 2.0800
RFQ
ECAD 733 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C (TA) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BQ77PL157 리튬 리튬/이온 3 ~ 6 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 배터리 배터리 - 과도한 과도한
LMH1983SQ/NOPB Texas Instruments LMH1983SQ/NOPB 37.0700
RFQ
ECAD 3465 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 전문 전문 표면 표면 40-wfqfn q 패드 LMH1983 3.3V ~ 3.6V 40-WQFN (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 발전기 NTSC, 친구 i²c
LMH1981MT/NOPB Texas Instruments LMH1981MT/NOPB 15.0700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 전문 전문 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) LMH1981 3.3V ~ 5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 분리 분리 NTSC, 친구 연속물
MSP430F167IRTDR Texas Instruments MSP430F167IRTDR -
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 텍사스 텍사스 MSP430X1XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-vfqfn 노출 패드 MSP430F167 64-VQFN (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 2,500 48 MSP430 CPU16 16 비트 8MHz I²C, SPI, UART/USART 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT 32kb (32k x 8 + 256b) 플래시 - 1K X 8 1.8V ~ 3.6V A/D 8x12b; d/a 2x12b 내부
LM393ADE4 Texas Instruments lm393ade4 1.0100
RFQ
ECAD 490 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 LM393 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 2MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
LM393APSR Texas Instruments LM393APSR 0.3800
RFQ
ECAD 8365 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 미분 LM393 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 2MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
LM393DG4 Texas Instruments LM393DG4 -
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 LM393 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 5MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
LM393PWG4 Texas Instruments LM393PWG4 -
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 LM393 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 5MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
LMV331IDCKRE4 Texas Instruments LMV331IDCKRE4 -
RFQ
ECAD 5962 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 범용 LMV331 오픈 오픈 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 2.7V ~ 5.5V 7MV @ 5V 0.25µA @ 5V 84ma @ 5v 150µA - 600ns -
LMV331IDCKTE4 Texas Instruments LMV331IDCKTE4 -
RFQ
ECAD 3647 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 범용 LMV331 오픈 오픈 SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1 2.7V ~ 5.5V 7MV @ 5V 0.25µA @ 5V 84ma @ 5v 150µA - 600ns -
LMV339IPWRE4 Texas Instruments lmv339ipwre4 -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 LMV339 오픈 오픈 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 2.7V ~ 5.5V 7MV @ 5V 0.25µA @ 5V 84ma @ 5v 350µA - 600ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고