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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	기능	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	출력 출력	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	토폴로지	주파수 - 스위칭	제어 제어	출력 출력	동기 동기	감지 감지	정확성	현재 - 출력	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
TL1963ADCQR	3.4200	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-223-6		TL1963		20V	조절할 조절할있는										SOT-223-6	다운로드		Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500																									1 MA	80 MA			할 할있게 수	긍정적인				1.5A	1.21V	20V		1	0.55V @ 1.5A	63dB (120Hz)	온도, 극성 역
LP38690SDX-ADJ/NOPB	1.4900	RFQ	3488	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-wdfn n 패드		LP38690		10V	조절할 조절할있는										6- 웨슨 (3x3)	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	4,500																									55 µA	100 µa			-	긍정적인				1A	1.25V	9V		1	1.6V @ 1a	55dB (120Hz)	온도 온도
LM3S812-EQN50-C2T	-	RFQ	5756	텍사스 텍사스	Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 800	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-LQFP		LM3S812													48-LQFP (7x7)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991A2	8542.31.0001	2,000											34	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	50MHz	i²c, 전자,, spi, ssi, uart/usart	브라운 브라운 감지/재설정, por, pwm, wdt	64KB (64K X 8)	플래시	-	8k x 8	3V ~ 3.6V	A/D 2X10B	내부
LMX2541SQX3320E/NOPB	-	RFQ	7438	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	36-wfqfn q 패드	주파수 주파수 (RF)	LMX2541				확인되지 확인되지	예	시계	시계	1	2 : 2	아니오/아니요	3.6GHz	3.15V ~ 3.45V	36-WQFN (6x6)	다운로드	예/아니오	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	5A991G	8542.39.0001	2,500
LMP7300MA/NOPB	3.2300	RFQ	259	텍사스 텍사스	LMP®, Powerwise®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	전압 전압	LMP7300			CMOS, 오픈- 수집가, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	95	1		2.7V ~ 12V, ± 1.35V ~ 6V	0.75MV @ 5V	0.003µA @ 5V	-	13µA	100dB CMRR, 100dB PSRR	15µs	1MV
INA197AQDBVRQ1	3.0600	RFQ	1	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		INA197	-16V ~ 80V												SOT-23-5	다운로드		Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000		현재 현재																														하이 하이	± 3%	-
TLV3402IDG4	-	RFQ	1916	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용	TLV3402			CMOS, 오픈,										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	75	2		2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V	3.6MV @ 15V	250pa @ 15V	10MA	950NA	88dB CMRR, 105dB PSRR	300µs	-
TLV3402IDGK	3.3500	RFQ	9920	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	범용	TLV3402			CMOS, 오픈,										8-VSSOP	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	80	2		2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V	3.6MV @ 15V	250pa @ 15V	10MA	950NA	88dB CMRR, 105dB PSRR	300µs	-
TLV3404CD	3.3424	RFQ	3555	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용	TLV3404			CMOS, 오픈,										14 -Soic	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	4		2.5V ~ 16V, ± 1.25V ~ 8V	3.6MV @ 15V	250pa @ 15V	10MA	950NA	88dB CMRR, 105dB PSRR	300µs	-
TPS62351DRCR	0.8565	RFQ	6266	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-vfdfn 노출 패드		TPS62351		5.5V	조정 조정 (가능 가능)										10-vson (3x3)	다운로드		Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000		뿌리 뿌리																						1			책임	3MHz		긍정적인	예			800ma	0.9V (1.1V, 1.5V)	1.69V	2.7V
TPS75318QPWPREP	6.4545	RFQ	8819	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)		TPS75318		5V	결정된										20-HTSSOP	다운로드		Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000																									125 µA				활성화, 양호 전원, 재설정 출력	긍정적인				1.5A	1.8V	-		1	0.30V @ 1.5A	63dB (100Hz)	전류, 이상 온도, 역 극성
TL3016IDRG4	-	RFQ	4293	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	래치와 래치와	TL3016			보완, 풀 푸시, ttl										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	1		5V ~ 10V, ± 2.5V ~ 5V	3MV @ ± 5V	10µa @ ± 5V	20MA	12.5MA	97dB CMRR	10ns	-
TL712CPWE4	-	RFQ	2440	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TL712			보완, 풀 푸시, 트라이 스테이트, ttl										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	150	1		4.75V ~ 5.25V	-	-	-	20MA	-	25ns	5MV
TLC352IPWG4	-	RFQ	8323	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TLC352			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	150	2		1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
tlc352ipwr	1.6000	RFQ	8755	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TLC352			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	5A991B1	8542.39.0001	2,000	2		1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
tlc354cpwr	0.9435	RFQ	9207	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TLC354			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										14-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	4		1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	800µA	-	-	-
TLC354CPWRG4	-	RFQ	8730	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TLC354			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										14-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	4		1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	800µA	-	-	-
TLC354IDRG4	-	RFQ	5550	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분	TLC354			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										14 -Soic	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	4		1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	800µA	-	-	-
TLC3702IDG4	-	RFQ	4010	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용	TLC3702			CMOS, 푸시,, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	75	2		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	65µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TLC3702IDRG4	-	RFQ	2132	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용	TLC3702			CMOS, 푸시,, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	2		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	65µA	84dB CMRR	4.5µs	-
tlc3702ipwr	1.3400	RFQ	2	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용	TLC3702			CMOS, 푸시,, TTL										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	2		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	65µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TLC3702MDR	1.6700	RFQ	1	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용	TLC3702			CMOS, 푸시,, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	2		4V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	90µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TLC3704CPW	1.8500	RFQ	401	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용	TLC3704			CMOS, 푸시,, TTL										14-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	90	4		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	100µA	84dB CMRR	4.5µs	-
tlc3704ipwr	1.7100	RFQ	3	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용	TLC3704			CMOS, 푸시,, TTL										14-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	4		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	125µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TLC372CDRG4	-	RFQ	7217	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분	TLC372			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	2		3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
TLC372CPWRG4	-	RFQ	4508	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	TLC372			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	2		3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
TLC372MDR	1.5500	RFQ	4049	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분	TLC372			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	2		4V ~ 16V, ± 2V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
TLC374CN-A	1.6100	RFQ	544	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	미분	TLC374			CMOS, MOS,, 드레인, TTL										14-PDIP	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25	4		3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	800µA	-	-	-
TLC393CPW	1.6400	RFQ	350	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용	TLC393			MOS, 오픈 드레인										8-tssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	150	2		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	50µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TLC339CDBR	-	RFQ	4062	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	범용	TLC339			CMOS, 오픈,										14-ssop	다운로드		Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	4		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	100µA	84dB CMRR	4.5µs	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (105199)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²