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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	배터리 배터리	전압 - 입력	세포 세포	채널 채널	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	슬림 슬림	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	비트 비트	샘플링 샘플링 (속도)	입력 입력	데이터 데이터	구성	비율 -S/H : ADC	a/d 수 변환기	건축학	참조 참조	전압 - 아날로그, 공급	전압 - 디지털, 공급	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	인터페이스	전압 -i/o	시계 시계	해상도 (비트)	출력 출력	시계 시계	비 비 기억	온칩 온칩	전압 - 코어	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	전압 - 하중	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
TLV2241CDG4	-	RFQ	8018	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV224			1µA						철도 철도 레일		1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	450							0.002V/µs	200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	600 µV	2.5 v	12 v
LM3671MF-ADJ/NOPB	1.6400	RFQ	8	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LM3671								5.5V	조절할 조절할있는				SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000					뿌리 뿌리																																						1															책임	2MHz			긍정적인	예	600ma					1.1V				3.3v	2.7V
BQ76925PW	2.5500	RFQ	149	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BQ76925				리튬 리튬/이온		3 ~ 6							20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	70					다기능 다기능																																		i²c																					전류, 이상 온도, 과도한 전압
LM2854MH-1000	6.7017	RFQ	1487	텍사스 텍사스	Powerwise ™, Simple Switcher®	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			LM2854								5.5V	조절할 조절할있는				16-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	92					뿌리 뿌리																																						1															책임	1.05MHz			긍정적인	예	4a					0.8V				5V	2.95V
5962-9751102QPA	38.1300	RFQ	180	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)						750µa (x2 채널)						철도 철도 레일		2		8-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1							1.4V/µs	50 MA	CMOS	1.81 MHz	60 PA	300 µV	2.7 v	10 v
msp430f6638izcat	9.7518	RFQ	5224	텍사스 텍사스	MSP430F6XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	113-VFBGA			MSP430F6638													113-NFBGA (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	296-msp430f6638izcattr	귀 99	8542.31.0001	250																										74	MSP430 CPUXV2	16 비트	20MHz	I²C, Irda, Linbus, Sci, SPI, UART/USART, USB	Brown-Out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, Wdt	256KB (256k x 8)	플래시	-	18K X 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 16x12b; d/a 2x12b	내부
SN74LVC2G126 세일	-	RFQ	5007	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-XFBGA, DSBGA			74LVC2G126	-								3 국가			1.65V ~ 5.5V	8-XFBGA, DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	1	32MA, 32MA
SN74HCT00NG4	-	RFQ	7566	텍사스 텍사스	74hct	튜브	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74HCT00											4	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			4MA, 4MA		2 µA											2																																	18NS @ 5.5V, 50pf				0.8V	2V
LM4040D50ILP	1.3500	RFQ	524	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	± 1%	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			LM4040			-		-				결정된	150ppm/° C			To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000																							분로																																									15 MA					5V	-	80µvrms	95 µA
ADS7806UG4	-	RFQ	1214	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		-	ADS7806	싱글 싱글												28 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20															12	40k	1	Spi, 평행	S/H-ADC	1 : 1	1	SAR	외부, 내부	5V	5V
SN74HC03NG4	-	RFQ	3969	텍사스 텍사스	74HC	튜브	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		열린 열린	74HC03											4	2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트			-, 5.2ma		2 µA											2																																	23ns @ 6v, 50pf				0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LVC821APWR	0.6855	RFQ	8076	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74LVC821									트라이 트라이, 스테이트 반전			1.65V ~ 3.6V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	10	24MA, 24MA	기준																																				150MHz								긍정적 긍정적 가장자리	7.3ns @ 3.3v, 50pf	10 µA		5 pf
LM2797mmx-1.8	-	RFQ	9834	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LM2797								5.5V	결정된				10-VSSOP	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	LM2797mmx-1.8-NDR	귀 99	8542.39.0001	3,500					뿌리 뿌리																																						1															충전 충전	500kHz			긍정적인	아니요	120ma					1.8V				-	2.6v
SN74ALS374ADBR	-	RFQ	8111	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74ALS374									트라이 트라이, 스테이트 반전			4.5V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	2.6ma, 24ma	기준																																				35MHz								긍정적 긍정적 가장자리	16ns @ 5V, 50pf	19 MA
SN74AHCT125DR	0.5300	RFQ	8245	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74AHCT125	-								3 국가			4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	8ma, 8ma
LM2574HVMX-ADJ/NOPB	4.2300	RFQ	4875	텍사스 텍사스	간단한 간단한 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			LM2574								60V	조절할 조절할있는				14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000					뿌리 뿌리																																						1															책임	52kHz			긍정적인	아니요	500ma					1.23V				37V	4V
SN74LVC1G17MDBVREP	1.8500	RFQ	8816	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			74LVC1G17	슈미트 슈미트								푸시 푸시			1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
UC2638DW	10.6400	RFQ	387	텍사스 텍사스	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	범용	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			UC2638		-										10V ~ 36V	20-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25					컨트롤러 - 방향, 정류 관리																																		평행한																							사전 사전 - 드라이버 브리지 브리지 (2)		-	-	-	브러시 브러시 DC	-
LP2985IM5-4.5	-	RFQ	7226	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LP2985								16V	결정된				SOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000																																																			95 µA	2.5 MA									할 할있게 수	긍정적인		150ma					4.5V				-		1	0.58V @ 150mA	45db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LM3S1F11-IBZ50-A1T	-	RFQ	4605	텍사스 텍사스	Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	108-LFBGA			LM3S1F11													108-bga (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	1,500																										67	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	50MHz	EBI/EMI, I²C, IRDA, LINBUS, MICROIR, SPI, SSI, UART/USART	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT	384KB (384K X 8)	플래시	-	48k x 8	1.235V ~ 1.365V	A/D 8x12b	내부
LM9036DT-3.3/NOPB	-	RFQ	6957	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			LM9036								40V	결정된				TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1																																																			20 µA	2 MA									-	긍정적인		50ma					3.3v				-		1	0.40V @ 50MA	60dB (120Hz)	온도, 극성 역, 단락
SN74AUP2G80DCUR	0.7100	RFQ	859	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	D- 타입		74AUP2G80									반전			0.8V ~ 3.6V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000		2	1	4MA, 4MA	기준																																				257 MHz								긍정적 긍정적 가장자리	6.4ns @ 3.3v, 30pf	500 NA		1.5 pf
TLV7162828PDPQR	0.3900	RFQ	1669	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	6-xfdfn 노출 패드			TLV7162828								5.5V	결정된				6-x2son (1.2x1.2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																																																			75 µA										할 할있게 수	긍정적인		150ma					2.8V				-		2	0.45V @ 150MA, 0.45V @ 150ma	80dB ~ 46dB (100Hz ~ 10kHz)	전류, 역, 온도 극성, 단락, 전압 잠금 장치 (uvlo).
Cy74FCT2245ATSOCT	0.5700	RFQ	2211	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT2245	-								3 국가			4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	15ma, 12ma
LMC6044AIM/NOPB	3.3900	RFQ	186	텍사스 텍사스	LMC®	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6044			52µA (x4 채널)						푸시 푸시, 풀 투 레일		4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55							0.02V/µs	40 MA	CMOS	100 kHz	0.002 PA	1 MV	4.5 v	15.5 v
OPA704PA	-	RFQ	4918	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA704			160µA						철도 철도 레일		1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50							3V/µs	10 MA	범용	3MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
tlc27l2idr	1.2600	RFQ	2	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27L2			20µa (x2 ()						-		2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500							0.03V/µs	30 MA	CMOS	110 kHz	0.6 PA	1.1 MV	4 v	16 v
MSC1210Y5PAGT	36.6200	RFQ	467	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	64-tqfp	ADC 및 DAC : MCU 기반		MSC1210							8					2.7V ~ 5.25V	64-TQFP (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250																1K		일련의 일련의																								24 b						아날로그와 아날로그와
TMS320C6412AZDKA5	79.7622	RFQ	6228	텍사스 텍사스	TMS320C6410/12/13/18	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		표면 표면	548-BFBGA, FCBGA	고정 고정		TMS320													548-FCBGA (23x23)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받습니다		3A991A2	8542.31.0001	60																																							호스트 호스트, MCBSP, PCI	3.30V				500MHz	외부	288KB	1.40V
SN74LS153N	0.9900	RFQ	1	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		74LS153												4.75V ~ 5.25V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25				400µA, 8mA																																												단일 단일								2 x 4 : 1	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (105199)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²