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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	배터리 배터리	전하 전하 - 전류	전압 - 입력	세포 세포	전압- 최대 (입력)	출력 출력	방향	온도 온도	sic 프로그램 가능	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	슬림 슬림	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	참조 참조	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	인터페이스	시계 시계	출력 출력	전압 전압	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	입력 입력	회로	독립 독립	채널 채널	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	현재 - 충전	프로그래밍 프로그래밍 기능	배터리 배터리 전압	전압- 최대 (공급)	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	로드로드	RDS ON (TYP)	전류 - 출력 피크	전압 - 하중	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	짐	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
SNJ54HC151FK	-	RFQ	3329	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인																										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54HC151FK			1
TPS54616PWPG4	-	RFQ	2691	텍사스 텍사스	Swift ™	튜브	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			TPS54616								6V	결정된								28-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50					뿌리 뿌리																									1													책임	350kHz, 550kHz							긍정적인	예	6A																			3.3v				-	3V
BQ24204DGNRG4	-	RFQ	4922	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			BQ24204				리튬 리튬/이온	500ma		1										8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																												-																	온도, 회로 단락		끊임없는	현재, 타이머	4.2V	13.5V
5962-7704301VCA	-	RFQ	5526	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인																										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-7704301VCA			1
opa561pwp/2k	4.6200	RFQ	2021	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA561			50ma						-					1			20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000						50V/µs	1.2 a	범용	17 MHz	10 PA	1 MV	7 v	15 v
tps2811pwle	0.5400	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TPS2811	반전											확인되지 확인되지				4V ~ 14V	8-tssop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1																																										동기																낮은 낮은	2	n-채널, p 채널 MOSFET	-	2A, 2A	14ns, 15ns
CD74HC175EE4	0.4212	RFQ	8418	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입											보완 보완							2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-CD74HC175EE4	귀 99	8542.39.0001	25		1	4	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터																								35MHz						긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	8 µA		10 pf
LM3S9GN5-IQC80-A1	-	RFQ	2452	텍사스 텍사스	Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 9000	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp			LM3S9GN5																	100-LQFP (14x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	90															72	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	80MHz	Canbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Irda, Linbus, Microwire, QEI, SPI, SSI, UART/USART, USB OTG	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, por, pwm, wdt	384KB (384K X 8)	플래시	-	64k x 8	1.235V ~ 1.365V	A/D 16x12b	내부
AM2632 COLFOLHAZCZR	20.0400	RFQ	6269	텍사스 텍사스	Sitara ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TJ)		표면 표면	324-LFBGA																				324-NFBGA (15x15)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		5A992C	8542.31.0001	1,000															140	ARM® Cortex®-R5F	32 비트 듀얼 비트	400MHz	Canbus, 이더넷, i²c, mmc/sdio, qspi, spi, uart/usart	AES, DMA, POR, PWM, SHA, TRNG, WDT	256KB (256k x 8)	단단히 단단히 된 결합 (TCM)	-	2m x 8	1.14V ~ 1.26V	A/D 6X12B SAR; d/a 1x12b	내부
TPS54386TPWPRQ1	1.6710	RFQ	4	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			TPS54386								28V	조절할 조절할있는								14-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000					뿌리 뿌리																									2													책임	630kHz							긍정적인	아니요	3A																			0.8V				25.2v	4.5V
TPS2205IDAP	5.6871	RFQ	4561	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	32-powertssop (0.240 ", 6.10mm 너비)		상태 상태	TPS2205	-								-						3 : 4		32-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	46																									필요하지 필요하지			평행한		4															전류 전류 (제한), 온도						높은 높은				103mohm		3.3V, 5V, 12V										pcmcia 스위치	1A
74AVC16722DGGRE4	-	RFQ	5913	텍사스 텍사스	74AVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	64-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74AVC16722									트라이 트라이, 스테이트 반전							1.4V ~ 3.6V	64-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	22	12MA, 12MA	기준																								175 MHz						긍정적 긍정적 가장자리	2.6ns @ 3.3v, 30pf	40 µA		4 pf
LM2650M-ADJ	-	RFQ	7237	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			LM2650								18V	조절할 조절할있는								24-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	30					뿌리 뿌리																									1													책임	90kHz							긍정적인	예	3A																			1.5V				16V	4.5V
DRV8353RFHRGZR	-	RFQ	5723	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	범용	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드					MOSFET														9V ~ 75V	48-VQFN (7x7)	-	Rohs3 준수	2 (1 년)		296-DRV8353RFHRGZR			1					컨트롤러 - 속도																							PWM																							하프 하프 (3)		2A				7V ~ 100V							다상	DC (BLDC)	-
SN74AC244NE4	0.5394	RFQ	9140	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)				-								3 국가							2V ~ 6V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74AC244NE4	귀 99	8542.39.0001	20	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
V62/09609-01XE	-	RFQ	9431	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 100 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			V62/09609								-15V	결정된								8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																					250 µA									할 할있게 수					부정적인		500ma																			-5V				-		1	0.5V @ 500MA	-	짐
SN700474DR	0.3700	RFQ	17	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인								SN700474																		-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
SN74HC253ANSR	0.2300	RFQ	6	텍사스 텍사스	74HC	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	멀티플렉서		74HC253																2V ~ 6V	16- 형의 행위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	2,000				7.8ma, 7.8ma																											단일 단일									2 x 4 : 1	1
drv8770pwr	-	RFQ	8460	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	DC 모터, 모터	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		부트 부트 회로			NMOS														5V ~ 20V	20-tssop	-	Rohs3 준수	2 (1 년)		296-DRV8770PWR			1																												-																							하프 하프 (2)			유도, 성 용량, 저항성	-	1.5A	5V ~ 20V
TPS386040RGPR	1.3665	RFQ	5794	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	20-vfqfn 노출 패드	다중 다중 감독자		TPS386040													열린 열린 또는 배수 수집기				20-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																																활성 활성																																					4	조정 조정/가능 가능	조정 조정/가능 가능
LM9076BMAX-5.0/NOPB	2.7900	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM9076								40V	결정된								8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																					45 µA	4.5 MA								활성화, 재설정					긍정적인		150ma																			5V				-		1	0.25V @ 150mA	60dB (120kHz)	온도 온도
5962-8780701RA	-	RFQ	1744	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인																										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-8780701RA			1
JM38510/30009BDA	22.3400	RFQ	14	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인								JM38510																		다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
1019-513BM	-	RFQ	1453	텍사스 텍사스	-	쟁반	쓸모없는								1019												확인되지 확인되지						-	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
LMS1587CS-ADJ	4.2700	RFQ	4515	텍사스 텍사스	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다		0 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA			LMS1587								13V	조절할 조절할있는								DDPAK/TO-263-3	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	45																																					7 MA	13 MA								-					긍정적인		3A																			1.25V				11.7V		1	1.3V @ 3A	72db (120Hz)	현재, 이상 온도
CD74HC193MT	0.8900	RFQ	5577	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC193										위로, 아래로						2 V ~ 6 v	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	이진 이진	1	4																													비동기	동기	29MHz	긍정적 긍정적 가장자리
5962-9564201VSA	-	RFQ	7814	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인																										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9564201VSA			1
TLC2652C-14D	1.6000	RFQ	10	텍사스 텍사스	Lincmos ™	대부분	활동적인		0 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)						1.5MA						-					1			14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1						2.8V/µs	50 MA	헬기 (드리프트 제로)	1.9 MHz	4 PA	0.6 µV	3.8 v	16 v
SN74HCT273PW	1.2600	RFQ	1	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HCT273									비 비							4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	70		1	8	4MA, 4MA	마스터 마스터																								37 MHz						긍정적 긍정적 가장자리	29ns @ 5.5v, 50pf	8 µA		3 pf
LM336Z-2.5/NOPB	0.8000	RFQ	6682	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	± 4%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			LM336			-			-			결정된		-						To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,800														분로																																							10 MA																			2.49V	-	-	400 µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (105199)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²