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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	전류 - 공급	배터리 배터리	전압 - 입력	세포 세포	채널 채널	전압- 최대 (입력)	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	비트 비트	샘플링 샘플링 (속도)	입력 입력	데이터 데이터	구성	비율 -S/H : ADC	a/d 수 변환기	건축학	참조 참조	전압 - 아날로그, 공급	전압 - 디지털, 공급	d/a 수 변환기	정착 정착	차동 차동	INL/DNL (LSB)	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	규약	드라이버/수 수신기	이중	데이터 데이터	인터페이스	시계 시계	해상도 (비트)	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	RDS ON (TYP)	전압 - 하중	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
TPS2062CD	0.7068	RFQ	8926	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		로드로드, 방전 플래그	TPS2062	비 비							n 채널			1 : 2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75																																															필요하지 필요하지							온/꺼짐			2											전류 전류 (제한), 온도, 역류, uvlo		높은 높은							90mohm	4.5V ~ 5.5V	범용	1A
TMS320F2801PZS-60	8.8814	RFQ	5632	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, C2000 ™ C28X 고정점	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp			TMS320													100-LQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	90																																					35	C28X	32 비트 싱글 비트	60MHz	Canbus, I²C, SCI, SPI, UART/USART	POR, PWM, WDT	32KB (16k x 16)	플래시	-	6k x 16	1.71V ~ 1.89V	A/D 16x12b	내부
5962-3870501BPA	-	RFQ	9092	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)																8-CDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-5962-3870501BPA			1
LM358M/NOPB	1.1800	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM358		1MA						-		2			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95														-	40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	32 v
PCI2250PGF	15.1290	RFQ	3443	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인		PCI-to-PCI -p	표면 표면	176-LQFP			PCI2250												3V ~ 3.6V	176-LQFP (24x24)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40																																																						PCI
TPS54336DDAR	-	RFQ	7360	텍사스 텍사스	Swift ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)			TPS543							28V	조절할 조절할있는					8- 파워 패드	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500					뿌리 뿌리																																																				1									책임	340kHz			긍정적인			예			3A					0.8V	25V	4.5V
LM5041AMTC	-	RFQ	1953	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LM5041								트랜지스터 트랜지스터					16-TSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	92					스텝 스텝/업 다운																																										15V ~ 90V										1									하프 하프, 브리지 풀	200kHz, 600kHz		데드 데드 제어 제어, 주파수 제어, 소프트 스타트	긍정적인	1	-	예	예	-
MSP430FR6970IPMR	2.4948	RFQ	8032	텍사스 텍사스	MSP430 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	64-LQFP			MSP430FR6970													64-LQFP (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		5A992C	8542.31.0001	1,000																																					51	MSP430 CPUXV2	16 비트	16MHz	I²C, Irda, Sci, SPI, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, Wdt	32KB (32k x 8)	프램	-	2k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 8x12b	내부
CD74HCT174MT	1.1100	RFQ	425	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HCT174								비 비				4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250		1	6	4MA, 4MA	마스터 마스터																																																		25MHz				긍정적 긍정적 가장자리	40ns @ 4.5v, 50pf	8 µA		10 pf
SN74AHC32QPWRG4Q1	0.6500	RFQ	9813	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74AHC32										4		2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	또는 또는			8ma, 8ma						2 µA														2																																				7.5ns @ 5V, 50pf				0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
DS90LV019TMX/NOPB	3.3300	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	트랜시버		DS90LV019												3V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		5A991B1	8542.39.0001	2,500																																																		LVD	1/1	가득한	100Mbps
dac8165ibpwr	5.1225	RFQ	1969	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			DAC8165								전압 - 버퍼	확인되지 확인되지				16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000																						14			SPI, DSP				DAC	외부, 내부	2.7V ~ 5.5V	2.7V ~ 5.5V	4	10µs	아니요	± 1, ± 1
BQ29716DSET	1.1800	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	6-WFDFN			BQ29716			리튬 리튬/이온		1								6-wson (1.5x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250					배터리 배터리																																																	-														전류, 전압 과도한, 단락
TPS71718DCKRG4	-	RFQ	8872	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			TPS717							6.5V	결정된					SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																																																													80 µA	100 µa							할 할있게 수	긍정적인						150ma					1.8V	-		1	0.3V @ 150ma	70dB ~ 45dB (100Hz ~ 1MHz)	"
AMC1306M05QDWVRQ1	9.3600	RFQ	2322	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	격리 격리 모듈								1						3V ~ 5.5V, 2.7V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	296-AMC1306M05QDWVRQ1TR	귀 99	8542.33.0001	1,000																							78K		-																															16 b		아날로그와 아날로그와
ADS8325IDGKT	16.2100	RFQ	760	텍사스 텍사스	마이크로 마이크로 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	ADS8325	의사-단일, 차이 종료												8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250																						16	100k	1	SPI	S/H-ADC	1 : 1	1	SAR	외부	2.7V ~ 3.6V, 5V	2.7V ~ 3.6V, 5V
ADS1285IRHBT	78.0200	RFQ	220	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	32-vfqfn 노출 패드		-	ADS1285	미분												32-VQFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250																						32	4K	2	3 i sp, SPI	MUX-PGA-ADC	1 : 1	1	시그마 시그마	외부	3V ~ 5.25V	2.7V ~ 3.6V
LM3S8C62-IBZ80-A1T	-	RFQ	3236	텍사스 텍사스	Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 8000	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	108-LFBGA			LM3S8C62													108-bga (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991A2	8542.31.0001	1,500																																					46	ARM® Cortex®-M3	32 비트 싱글 비트	80MHz	Canbus, Ethernet, I²C, Irda, Linbus, Microwire, QEI, SPI, SSI, UART/USART	"	512KB (512k x 8)	플래시	-	64k x 8	3V ~ 3.6V	A/D 16x12b	내부
MSP430F6735IPZR	-	RFQ	4288	텍사스 텍사스	MSP430F6XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp			MSP430F6735													100-LQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	1,000																																					72	MSP430 CPUXV2	16 비트	25MHz	I²C, Irda, Linbus, Sci, SPI, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, Wdt	128KB (128k x 8)	플래시	-	4K X 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 8x10B, 3x24b	내부
SN74LS377DWR	0.6570	RFQ	3125	텍사스 텍사스	74ls	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74LS377								비 비				4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	400µA, 8mA	기준																																																		40MHz				긍정적 긍정적 가장자리	27ns @ 5V, 15pf	28 MA
CD40175BNSRE4	-	RFQ	6477	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		CD40175								보완 보완				3V ~ 18V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	4	6.8ma, 6.8ma	마스터 마스터																																																		14 MHz				긍정적 긍정적 가장자리	120ns @ 15V, 50pf	4 µA		5 pf
TLV9062IDDFR	0.7100	RFQ	2095	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8			TLV9062		538µa (x2 채널)						철도 철도 레일		2			TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000														6.5V/µs	50 MA	CMOS	10MHz	0.5 PA	300 µV	1.8 v	5.5 v
5962R1920601VXC	-	RFQ	9042	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인																					-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962R1920601VXC			1
UCC2837DG4	-	RFQ	6075	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	긍정적 긍정적 가능		UCC2837		1.2MA		2.2V ~ 12V									8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75																																																									1
74Act11244nsre4	-	RFQ	4489	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ATT11244	-							3 국가				4.5V ~ 5.5V	24-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
TPS54312MPWPREP	11.2900	RFQ	30	텍사스 텍사스	Swift ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			TPS54312							6V	결정된					20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000					뿌리 뿌리																																																				1									책임	350kHz, 550kHz			긍정적인			예			3A					1.2V	-	3V
UCC27322PE4	-	RFQ	9182	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인							UCC27322									확인되지 확인되지					다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
SN74AHCT367NSRG4	-	RFQ	7047	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74AHCT367	-							3 국가				4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	2	2, 4 (16 16)	8ma, 8ma
SN74ACT10DBR	0.6700	RFQ	6570	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74ACT10										3		4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			24MA, 24MA						4 µA														3																																				9NS @ 5V, 50pf				0.8V	2V
tlv3502aidcnt	6.0100	RFQ	1330	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-8	범용		TLV3502								cmos, 푸시,, 레일 투 레일, ttl					SOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250		2				2.7V ~ 5.5V, ± 1.35V ~ 2.75V	6.5MV @ 5.5V	10pa @ 5.5v	-	5MA	70dB CMRR, 100dB PSRR	10ns	6MV

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (105199)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²