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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3865DDV-T1-GE3 | 0.5500 |  | 73 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3865 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 45mohm | 1.5V ~ 12V | 범용 | 2.8a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC521ACD-T1-GE3 | 1.3416 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP4535-22L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC521 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP4535-22L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 30A | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | 40a | 4.5V ~ 18V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC621CD-T1-GE3 | 4.3000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC621 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60a | 논리, pwm | 촬영, uvlo | 반 반 | 유도 유도, 성 성 | - | - | 4.5V ~ 5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC531ACD-T1-GE3 | 1.3093 | | 2072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP4535-22L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC531 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP4535-22L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 30A | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | 35a | 4.5V ~ 24V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-26-E3 | - | | 1840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21123DT-T1-E3 | - | | 1650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | SIP211 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC401BCD-T1-GE3 | 1.7700 | | 8294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-powervfqfn | SIC401 | 3V ~ 17V | PowerPak® MLP55-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.6V ~ 5.5V, 15a | 0.75v, 200ma에 조정 | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9706DY-E3 | - | | 1045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI9706 | - | - | 2 : 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 필요하지 필요하지 | - | 1 | - | 높은 높은 | - | 3.3V, 5V | pcmcia 스위치 | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9183DT-18-T1-E3 | - | | 6057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.8V | - | 1 | 0.38V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9182DH-33-T1-E3 | - | | 7757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | SI9182 | 6V | 결정된 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.5 MA | 1.9 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 250ma | 3.3v | - | 1 | 0.4V @ 250ma | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP3245DB-T2-GE1 | 0.8200 | | 1113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Micro Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, CSPBGA | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32455 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 28mohm | 0.8V ~ 2.5V | 범용 | 1.2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9169DQ-T1-E3 | - | | 7347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, 1--리튬 이온 이온 휴대용 장치 장치 | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9169 | 2.7V ~ 6V | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1 | 1.3V 조정에 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9185DMP-18-T1-E3 | - | | 2322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-8 | SI9185 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5 MA | 4 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 500ma | 1.8V | - | 1 | 0.825V @ 500MA | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1865DL-T1-GE3 | - | | 1235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI1865 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 180mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 1.2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-12-E3 | - | | 8609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | - | 1 | - | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC532CD-T1-GE3 | 2.7000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP4535-22L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC532 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP4535-22L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 30A | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | 35a | 4.5V ~ 24V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC437BERBED-T1-GE3 | 3.2300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC437 | 28V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 12a | 0.6V | 20V | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPQ32433BDN-T1E3 | 1.6600 | | 9324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 2.8V ~ 22V | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 전자 전자 | 하이 하이 | ± 8% | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC401ACD-T1-GE3 | 2.1600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-powervfqfn | SIC401 | 3V ~ 17V | PowerPak® MLP55-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.6V ~ 5.5V, 15a | 0.75v, 200ma에 조정 | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1040X-T1-GE3 | 0.8100 | | 1697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI1040 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 500mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 430ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC830AED-T1-GE3 | 4.0796 | | 7090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | SIC830 | - | 742-SIC830AED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC830ED-T1-GE3 | 6.9500 | | 6459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | dc-dc 변환기, 동기 벅 컨버터 | 표면 표면 | 39-powervfqfn | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC830 | MOSFET | 3.3V ~ 5V | PowerPak® MLP39-65 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 80a | 논리, pwm | 전류, 초과의 온도 UVLO | 높은 높은 | 유도 유도 | - | - | 19V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21110DT-T1-E3 | - | | 5424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 조절할 조절할있는 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 250ma | 1.3V | 5V | 1 | 0.39V @ 250mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP43102DQ-T1-E3 | - | | 7107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | - | SIP43102 | 비 비 | 양극성 | 1 : 1 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 2 | 전류 전류 (제한), 온도, uvlo | 높은 높은 또는 쪽 | - | 9V ~ 32V | 범용 | 200ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32413DNP-T1-GE4 | 0.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32413 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 8-TDFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 2 | 역류 | 높은 높은 | 62mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 2.4a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32402ADNP-T1GE4 | 0.6900 | | 97 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP32402 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 62mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 2.4a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP41103DM-T1-E3 | - | | 5198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-10 | SIP41103 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP33-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.5V, 4V | 900ma, 1.1a | 32ns, 36ns | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC641ACD-T1-GE3 | 3.0700 | | 9551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC641 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 55A | 논리, pwm | 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo | 반 반 | 유도, 성 용량, 저항성 | 3ohm ls + hs | 100A | 16V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DR-46-E3 | - | | 3491 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 4.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC424CD-T1-GE3 | - | | 7940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP44-28 | SIC424 | 3V ~ 28V | PowerPak® MLP44-28 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.75V ~ 5.5V, 6A | 5V, 200MA | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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