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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI9122ADLP-T1-E3 | - |  | 4431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP65-20 | SI9122 | 트랜지스터 트랜지스터 | PowerPak® MLP65-20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 하프 하프 | 500kHz | 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 92% | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC431DED-T1-GE3 | 3.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | 24V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIC431DED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 24A | 0.6V | 21.6V | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DVP-475-E3 | - | | 3072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 4.75V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DR-30-E3 | - | | 7440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 3V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9121DY-5-E3 | - | | 1399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, isdn is 공급 장치 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9121 | -10V ~ -60V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 1 | 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC451ED-T1-GE3 | 5.8100 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 34-powerwfqfn | SIC451 | 20V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP34-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIC451ED-T1-GE3CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1.5MHz | 긍정적인 | 예 | 25A | 0.3V | 12V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC437DED-T1-GE3 | 2.8800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC437 | 28V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 12a | 0.6V | 20V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9100DJ02-E3 | - | | 6338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | SI9100 | 70V | - | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 스텝 스텝 스텝, 다운 업/스텝 다운 | 1 | 벅, 부스트-벅, 플라이 백, 포워드 컨버터 | 40kHz ~ 1MHz | 양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력 | 아니요 | - | - | - | 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9978DW-E3 | - | | 5514 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | SI9978 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 14.5V ~ 17.5V | 24-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Si9978dwe3 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 300 | 동기 | 하프 하프 | 4 | N- 채널 MOSFET | 1V, 4V | - | 110ns, 50ns | 40 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32458DB-T2-GE1 | 0.9100 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, CSPBGA | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32458 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 6-WLCSP (1.46x0.96) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 20mohm | 1.5V ~ 5.5V | 범용 | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP2801DY-T1-E3 | 1.9200 | | 9614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2801 | 트랜지스터 트랜지스터 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 | 7.4V ~ 12V | 1 | 벅, 벅, 부스트-부스트 | 46kHz | - | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 49% | 아니요 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DVP-12-E3 | - | | 2903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | - | 1 | - | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC477ED-T1-GE3 | 5.3000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC477 | 55V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIC477ED-T1-GE3TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 8a | 0.8V | 24V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91872DMP-12-E3 | - | | 9709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91872 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 170 µA | 330 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.2V | - | 1 | 0.57V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9987DY-E3 | - | | 2286 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9987 | MOSFET | 3.8V ~ 13.2V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 13.2V | 양극성 | 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9986CY-T1-E3 | - | | 3523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9986 | MOSFET | 3.8V ~ 13.2V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 13.2V | 양극성 | 브러시 브러시 dc, 음성 코일 모터 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9121DY-3-E3 | - | | 9099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, isdn is 공급 장치 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9121 | -10V ~ -60V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 1 | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3861BDV-T1-E3 | - | | 8306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3861 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 60mohm | 4.5V ~ 20V | 범용 | 2.3a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DT-26-E3 | - | | 4708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9913DY-T1-E3 | - | | 8044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9913 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | - | 1a, 1a | 30ns, 20ns | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP11206DQP-T1-E3 | - | | 6313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 | SIP11206 | 트랜지스터 트랜지스터 | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 전방 전방 | 200kHz ~ 1MHz | 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 47% | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIPQ3243333ADN-T1E3 | 1.6600 | | 5862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 2.8V ~ 22V | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 전자 전자 | 하이 하이 | ± 8% | 3.5a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9976DY-T1-E3 | - | | 8261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9976 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 16.5V | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 동기 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 1V, 4V | 500ma, 500ma | 110ns, 50ns | 40 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC414CD-T1-GE3 | - | | 8505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 28-wfqfn q 패드 | SIC414 | 3V ~ 28V | 28-mlpq (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.75V ~ 5.5V, 6A | 5V, 200MA | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32454DB-T2-GE1 | 0.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Micro Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, CSPBGA | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP32454 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 28mohm | 0.8V ~ 2.5V | 범용 | 1.2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21108DT-T1-E3 | - | | 3252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 조절할 조절할있는 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | 5.78V | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC642CD-T1-GE3 | 2.1632 | | 1169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC642 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | 논리, pwm | 전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo | 반 반 | 유도, 성 용량, 저항성 | 3ohm ls + hs | 100A | 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC438BED-T1-GE3 | 2.8800 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC438 | 28V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 8a | 0.6V | 20V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC431AED-T1-GE3 | 3.2300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-powerwfqfn | SIC431 | 24V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP44-24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 24A | 0.6V | 20V | 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP2100DY-T1-GE3 | 2.2600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2100 | MOSFET | 3.8V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 1A | 3.8V ~ 5.5V | 양극성 | 브러시 브러시 DC | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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