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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI9169BQ-T1-E3 | - |  | 5325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, 1--리튬 이온 이온 휴대용 장치 장치 | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9169 | 2.7V ~ 6V | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1 | 1.3V 조정에 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9140DY-T1-E3 | - | | 1223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9140 | 트랜지스터 트랜지스터 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 3V ~ 6.5V | 1 | 책임 | 20kHz ~ 2MHz | 활성화, 제어 주파수 | 긍정적인 | 1 | - | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-475-E3 | - | | 6283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 4.75V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9122ADQ-T1-E3 | - | | 9278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9122 | 트랜지스터 트랜지스터 | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 하프 하프 | 500kHz | 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 92% | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DVP-45-E3 | - | | 4480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 4.5V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32104DB-T1-GE1 | 0.6641 | | 1393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32104 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 7a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC772CD-T1-GE3 | - | | 5037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC772 | Drmos | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 40a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32409DNP-T1-GE4 | 0.6400 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn 노출 패드 | 하중 하중, 방전 속도 제어 | SIP32409 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 4-TDFN (1.2x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 역류 | 높은 높은 | 44mohm | 1.1V ~ 5.5V | 범용 | 3.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP12110DMP-T1-GE4 | 1.0247 | | 9537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | SIP12110 | 15V | 조절할 조절할있는 | 16-mlp (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 400kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.6V | 5.5V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP2802DY-T1-E3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2802 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 8.3V ~ 12V | 외딴 | 아니요 | - | 플라이백 | 12.5 v | 99% | 46kHz | 현재 현재 | 주파수 주파수 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-285-E3 | - | | 7734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC632ACD-T1-GE3 | 2.8000 | | 758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC632 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91871DMP-12-E3 | - | | 9983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91871 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 150 µA | 275 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 1.2V | - | 1 | 0.57V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9185DMP-33-T1-E3 | - | | 3853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-8 | SI9185 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5 MA | 4 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 500ma | 3.3v | - | 1 | 0.4V @ 500ma | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3865DDV-T1-GE3 | 0.5500 | | 73 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3865 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 45mohm | 1.5V ~ 12V | 범용 | 2.8a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC521ACD-T1-GE3 | 1.3416 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP4535-22L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC521 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP4535-22L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 30A | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | 40a | 4.5V ~ 18V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC621CD-T1-GE3 | 4.3000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC621 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60a | 논리, pwm | 촬영, uvlo | 반 반 | 유도 유도, 성 성 | - | - | 4.5V ~ 5.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC531ACD-T1-GE3 | 1.3093 | | 2072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP4535-22L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션 | SIC531 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP4535-22L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 30A | PWM | UVLO | 반 반 | 유도 유도 | - | 35a | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-26-E3 | - | | 1840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 2.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21123DT-T1-E3 | - | | 1650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | SIP211 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC401BCD-T1-GE3 | 1.7700 | | 8294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-powervfqfn | SIC401 | 3V ~ 17V | PowerPak® MLP55-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.6V ~ 5.5V, 15a | 0.75v, 200ma에 조정 | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9182DH-33-T1-E3 | - | | 7757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | SI9182 | 6V | 결정된 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.5 MA | 1.9 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 250ma | 3.3v | - | 1 | 0.4V @ 250ma | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9169DQ-T1-E3 | - | | 7347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, 1--리튬 이온 이온 휴대용 장치 장치 | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9169 | 2.7V ~ 6V | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1 | 1.3V 조정에 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1865DL-T1-GE3 | - | | 1235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI1865 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 180mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 1.2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-12-E3 | - | | 8609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 1.2V | - | 1 | - | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-46-E3 | - | | 4557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 4.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC401ACD-T1-GE3 | 2.1600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-powervfqfn | SIC401 | 3V ~ 17V | PowerPak® MLP55-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 스텝 스텝 (다운) 동기 (1), 선형 (ldo) (1) | 200kHz ~ 1MHz | 0.6V ~ 5.5V, 15a | 0.75v, 200ma에 조정 | - | 아니요 | 아니요 | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPQ32433BDN-T1E3 | 1.6600 | | 9324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-vfdfn 노출 패드 | 2.8V ~ 22V | 10-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | 전자 전자 | 하이 하이 | ± 8% | 3.5a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9706DY-T1-E3 | - | | 1283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI9706 | - | - | 2 : 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 필요하지 필요하지 | - | 1 | - | 높은 높은 | - | 3.3V, 5V | pcmcia 스위치 | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9706DY-E3 | - | | 1045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI9706 | - | - | 2 : 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 필요하지 필요하지 | - | 1 | - | 높은 높은 | - | 3.3V, 5V | pcmcia 스위치 | 2A |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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