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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIP21107DR-285-E3 | - |  | 7116 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI91872DMP-50-E3 | - | | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91872 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 170 µA | 330 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 5V | - | 1 | 0.415V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9140DY-T1-E3 | - | | 1223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9140 | 트랜지스터 트랜지스터 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 3V ~ 6.5V | 1 | 책임 | 20kHz ~ 2MHz | 활성화, 제어 주파수 | 긍정적인 | 1 | - | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC788CD-T1-GE3 | 2.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC788 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 18V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9169BQ-T1-E3 | - | | 5325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C | 컨버터, 1--리튬 이온 이온 휴대용 장치 장치 | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9169 | 2.7V ~ 6V | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1 | 1.3V 조정에 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC473ED-T1-GE3 | 3.4900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC473 | 55V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 20kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 5a | 0.8V | 50.6v | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9111DY-T1-E3 | - | | 2922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9111 | 트랜지스터 트랜지스터 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 9.5V ~ 13.5V | 1 | cuk, 전방, 플라이백 변환기, 푸시 풀 | 40kHz ~ 1MHz | 활성화, 재설정 | 긍정적인 | 1 | - | 아니요 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3865BDV-T1-E3 | - | | 1876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI3865 | - | p 채널 | 1 : 1 | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 45mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 2.9A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32102DB-T5-GE1 | 0.9298 | | 3644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32102 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 7a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP11206DLP-T1-E3 | - | | 8121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® MLP44-16 | SIP11206 | 트랜지스터 트랜지스터 | PowerPak® MLP44-16 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 전방 전방 | 200kHz ~ 1MHz | 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 47% | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9910DY-T1-E3 | - | | 1389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9910 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 10.8V ~ 16.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 하나의 | 하이 하이 | 1 | N- 채널 MOSFET | - | 1a, 1a | 50ns, 35ns | 500 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC639ACD-T1-GE3 | 2.8200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | vrpower® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-31L | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC639 | MOSFET | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP55-31L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 50a | PWM | 촬영, uvlo | 하프 하프 (2) | 유도 유도, 성 성 | - | - | 4.5V ~ 5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9185DMP-12-T1-E3 | - | | 1056 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-8 | SI9185 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.5 MA | 4 MA | 활성화, 켜기 전원 재설정 | 긍정적인 | 500ma | 1.2V | - | 1 | 0.825V @ 500MA | 60dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP2800DY-T1-E3 | 1.0436 | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SIP2800 | 트랜지스터 트랜지스터 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 | 6.9V ~ 12V | 1 | 벅, 벅, 부스트-부스트 | 46kHz | - | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 99% | 아니요 | 아니요 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1867DL-T1-E3 | - | | 9606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | - | SI1867 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 480mohm | 1.8V ~ 8V | 범용 | 600ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1869DH-T1-E3 | 0.5100 | | 2774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SI1869 | - | p 채널 | 1 : 1 | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 132mohm | 1.8V ~ 20V | 범용 | 1.2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DT-285-E3 | - | | 4552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.85V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC462ED-T1-GE3 | 4.8800 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Microbuck® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® MLP55-27 | SIC462 | 60V | 조절할 조절할있는 | PowerPak® MLP55-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 100kHz ~ 2MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.8V | 55.2v | 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-46-E3 | - | | 4557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 4.6v | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9122EDQ-T1-E3 | - | | 5913 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI9122 | 트랜지스터 트랜지스터 | 20-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 3,000 | 스텝 스텝/업 다운 | 10.5V ~ 13.2V | 1 | 하프 하프 | 500kHz | 현재 현재, 제한, 소프트 스타트 | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 1 | 91% | 예 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-18-E3 | - | | 3166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 1.8V | - | 1 | - | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DR-28-E3 | - | | 8784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | 결정된 | SC-70-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 2.8V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91872DMP-26-E3 | - | | 6145 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® MLP33-5 | SI91872 | 6V | 결정된 | PowerPak® MLP33-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 170 µA | 330 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 2.6v | - | 1 | 0.415V @ 300MA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 극성 역, 단락 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DVP-45-E3 | - | | 1416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | PowerPak® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 결정된 | PowerPak® TSC75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85 µA | 활성화, 좋습니다 힘이 | 긍정적인 | 150ma | 4.5V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 72db ~ 38db (1khz ~ 100khz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32101DB-T1-GE1 | 1.4100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32101 | - | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32102DB-T1-GE1 | 1.4100 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | SIP32102 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 12-WCSP (1.71x1.31) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 6.5mohm | 2.3V ~ 5.5V | 범용 | 7a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9104DW-T1-E3 | - | | 4108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | SI9104 | 120V | - | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 1 | 플라이백, 변환기 전방 | 40kHz ~ 1MHz | 긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다 | 아니요 | - | - | - | 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9183DT-30-T1-E3 | - | | 7632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | SI9183 | 6V | 결정된 | TSOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 150ma | 3V | - | 1 | 0.22V @ 150mA | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz) | 온도, 회로 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC772CD-T1-GE3 | - | | 5037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 동기 동기 컨버터 | 표면 표면 | PowerPak® MLP66-40 | 부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그 | SIC772 | Drmos | 4.5V ~ 5.5V | PowerPak® MLP66-40 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 40a | PWM | 온도, 스루 싹, uvlo | 반 반 | 유도 유도 | - | - | 4.5V ~ 24V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP12110DMP-T1-GE4 | 1.0247 | | 9537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | SIP12110 | 15V | 조절할 조절할있는 | 16-mlp (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 400kHz ~ 1MHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.6V | 5.5V | 4.5V |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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