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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	sic 프로그램 가능	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 - 채널 / 출력	전압- v (VCC/VDD)	인터페이스	출력 출력	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	채널 채널	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	로드로드	RDS ON (TYP)	전류 - 출력 피크	전압 - 하중	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	전압 - 출력	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
SI4724CY-T1-E3	-	RFQ	4968	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	SI4724	비 비				n 채널		1 : 2		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			-	온/꺼짐	2						UVLO		높은 높은 또는 쪽								24mohm, 30mohm		4.5V ~ 5.5V												범용	5.1A, 6.5A
SI3865CDV-T1-E3	-	RFQ	8160	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	슬리트 슬리트 제어되었습니다	SI3865	-				p 채널		1 : 1		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			-	온/꺼짐	1						-		높은 높은								50mohm		1.8V ~ 12V												범용	2.8a
SI9961ACY-T1-E3	-	RFQ	5958	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 150 ° C (TJ)	미디어 미디어	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		SI9961		bicdmos						4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,500	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한									하프 하프 (2)						1.8a				2V ~ 14V								-	음성 음성 모터	-
SIC651CD-T1-GE3	2.8800	RFQ	3868	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	표면 표면	PowerPak® MLP55-31L	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션	SIC651		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP55-31L	다운로드					귀 99	8542.39.0001	3,000		50a		논리, pwm							전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo		반 반							유도, 성 용량, 저항성	3ohm ls + hs	100A	24V
SI9183DT-AD-T1-E3	-	RFQ	1325	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5		SI9183				6V	조절할 조절할있는				TSOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						900 µA						할 할있게 수	긍정적인						150ma																		1.5V	5V		1	0.22V @ 150mA	60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz)	온도, 회로 단락
SI9912DY-T1-E3	-	RFQ	1095	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		SI9912	비 비					확인되지 확인되지		4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500								동기																하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	1a, 1a	30ns, 20ns	30 v
SI9121DY-3-T1-E3	-	RFQ	4723	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	컨버터, isdn is 공급 장치	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		SI9121			-10V ~ -60V						8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500					1																													3V
SIC780ACD-T1-GE3	-	RFQ	4990	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	동기 동기 컨버터	표면 표면	PowerPak® MLP66-40	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그	SIC780		Drmos						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP66-40	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		50a		PWM							온도, 스루 싹, uvlo		반 반							유도 유도	-	-	4.5V ~ 18V
SIC652ACD-T1-GE3	2.7400	RFQ	2	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	표면 표면	PowerPak® MLP55-31L	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션	SIC652		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP55-31L	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		55A		논리, pwm							전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo		반 반							유도, 성 용량, 저항성	3ohm ls + hs	100A	24V
SIC931BED-Y1-GE3	18.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Microbuck®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	60-powerbfqfn		SIC931				18V	조절할 조절할있는				PowerPak® MLP60-A6C	다운로드		1 (무제한)		742-SIC931BED-Y1-GE3	귀 99	8542.39.0001	210	뿌리 뿌리				1				책임	600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz			긍정적인			예			20A																		0.6V	5.5V	4.5V
SIC652CD-T1-GE3	2.9100	RFQ	36	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	표면 표면	PowerPak® MLP55-31L	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션	SIC652		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP55-31L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		55A		논리, pwm							전류, 온도 초과, 싹 스루, uvlo		반 반							유도, 성 용량, 저항성	3ohm ls + hs	100A	24V
SIC789ACD-T1-GE3	3.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	동기 동기 컨버터	표면 표면	PowerPak® MLP66-40	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그	SIC789		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP66-40	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		60a		PWM							촬영, uvlo		반 반							유도 유도	-	-	4.5V ~ 18V
SI9118DY-T1-E3	-	RFQ	2956	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		SI9118					트랜지스터 트랜지스터				16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	2,500	스텝 스텝/업 다운		10V ~ 16.5V		1				전방 전방	40kHz ~ 1MHz		현재 현재, 제한, 주파수 제어, 소프트 스타트	긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다	1	80%	아니요	아니요	-
SIP12504DMP-T1-E3	-	RFQ	3446	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-		표면 표면	PowerPak® MLP33-6		SIP12504				-	-				PowerPak® MLP33-6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	-				-				-	-			-			-			-																		-	-	-
SIP21107DT-30-E3	-	RFQ	6563	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5		SIP211				6V	결정된				TSOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						85 µA						활성화, 좋습니다 힘이	긍정적인						150ma																		3V	-		1	0.22V @ 150mA	72db ~ 38db (1khz ~ 100khz)	온도, 회로 단락
SIP21106DT-26-E3	-	RFQ	4096	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5		SIP211				6V	결정된				TSOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						85 µA						할 할있게 수	긍정적인						150ma																		2.6v	-		1	0.22V @ 150mA	75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz)	온도, 회로 단락
SI9105DN02-T1-E3	-	RFQ	6053	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-LCC (J-Lead)		SI9105				120V	-				20-PLCC (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	스텝 스텝/업 다운				1				플라이백	40kHz ~ 1MHz			양성 양성 부정적 부정적, 격리 능력			아니요			-																		-	-	10V
SIP2204EMP-T1-GE4	5.2940	RFQ	6948	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	동기 동기 컨버터	표면 표면	32-vfqfn 노출 패드	-	SIP2204		MOSFET						10V ~ 24V	32-QFN (5x5)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		500ma		PWM							-		반 반							유도 유도	350mohm Ls, 550mohm Hs	2A	-
SIP32416DNP-T1-GE4	0.9300	RFQ	3278	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	8-ufdfn 노출 패드	하중 하중, 방전 속도 제어	SIP32416	비 비				n 채널		1 : 1		8-TDFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000			필요하지 필요하지	온/꺼짐	2						역류		높은 높은								62mohm		1.1V ~ 5.5V												범용	2.4a
SI9910DY-E3	-	RFQ	4222	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		SI9910	비 비					확인되지 확인되지		10.8V ~ 16.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500								하나의																하이 하이	1	N- 채널 MOSFET	-	1a, 1a	50ns, 35ns	500 v
SI91872DMP-25-E3	-	RFQ	7582	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	PowerPak® MLP33-5		SI91872				6V	결정된				PowerPak® MLP33-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						170 µA	330 µA					할 할있게 수	긍정적인						300ma																		2.5V	-		1	0.57V @ 300MA	60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz)	온도, 극성 역, 단락
SIC431CED-T1-GE3	3.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	24-powerwfqfn						24V	조절할 조절할있는				PowerPak® MLP44-24	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	뿌리 뿌리				1				책임	300kHz ~ 1MHz			긍정적인			예			24A																		0.6V	21.6V	3V
SIP4280DT-3-T1-E3	-	RFQ	2518	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	하중 하중, 방전 속도 제어	SIP4280	비 비				p 채널		1 : 1		TSOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000			필요하지 필요하지	온/꺼짐	1						UVLO		높은 높은								80mohm		1.8V ~ 5.5V												범용	2.3a
SI9112DY-T1-E3	-	RFQ	9001	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		SI9112					트랜지스터 트랜지스터				14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	2,500	스텝 스텝/업 다운		9V ~ 13.5V		1				cuk, 전방, 플라이백 변환기, 푸시 풀	40kHz ~ 1MHz		활성화, 재설정	긍정적인	1	-	아니요	아니요	-
SIP21106DVP-33-E3	-	RFQ	9880	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	PowerPak® TSC-75-6		SIP211				6V	결정된				PowerPak® TSC75-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						85 µA						할 할있게 수	긍정적인						150ma																		3.3v	-		1	0.22V @ 150mA	75dB ~ 40dB (1kHz ~ 100kHz)	온도, 회로 단락
SIC634CD-T1-GE3	2.8000	RFQ	12	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	동기 동기 컨버터 컨버터, 전압 조정기	표면 표면	PowerPak® MLP55-31L	부트 부트 회로	SIC634		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP55-31L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		50a		PWM							UVLO		반 반							유도 유도	-	55A	4.5V ~ 24V
SIC461ED-T1-GE3	5.6200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Microbuck®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	PowerPak® MLP55-27		SIC461				60V	조절할 조절할있는				PowerPak® MLP55-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	뿌리 뿌리				1				책임	100kHz ~ 2MHz			긍정적인			예			10A																		0.8V	55.2v	4.5V
SIC620CD-T1-GE3	3.4900	RFQ	29	Vishay Siliconix	vrpower®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	동기 동기 컨버터	표면 표면	PowerPak® MLP55-31L	부트 부트 회로 회로, 다이오드 에뮬레이션, 상태 플래그	SIC620		MOSFET						4.5V ~ 5.5V	PowerPak® MLP55-31L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000		60a		PWM							온도, 스루 싹, uvlo		반 반							유도 유도	-	-	4.5V ~ 18V
SI9183DT-28-T1-E3	-	RFQ	5136	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5		SI9183				6V	결정된				TSOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						900 µA						할 할있게 수	긍정적인						150ma																		2.8V	-		1	0.22V @ 150mA	60dB ~ 30dB (1kHz ~ 100kHz)	온도, 회로 단락
SIP11205DLP-T1-E3	-	RFQ	4888	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	PowerPak® MLP44-16		SIP11205					트랜지스터 트랜지스터				PowerPak® MLP44-16	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	스텝 스텝/업 다운		10.5V ~ 13.2V		1				전방 전방	100kHz ~ 500kHz		활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트	긍정적이고 긍정적이고 할 격리 있습니다	1	47%	예	아니요	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

전력 전력 (PMIC) (396)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²