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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	전류 - 공급	배터리 배터리	전하 전하 - 전류	전압 - 입력	세포 세포	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 - 채널 / 출력	참조 참조	인터페이스	출력 출력	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	채널 채널	내부 내부	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	현재 - 충전	프로그래밍 프로그래밍 기능	배터리 배터리 전압	전압- 최대 (공급)	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	디밍	전압- 최소 (공급)	전압 - 출력	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
LP38502ASDX-ADJ/NOPB	-	RFQ	8166	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드										5.5V	조절할 조절할있는				8-wson (2.5x3)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1						15 µA	4 MA						할 할있게 수					긍정적인		1.5A											0.6V				5V		1	0.37 @ 1.5a	58dB ~ 56dB (120Hz ~ 1kHz)	전류, 이상 온도, 단락
LP2985ITP-5.0	-	RFQ	6755	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	5-UFBGA, DSBGA										16V	결정된				5-DSBGA	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	250						95 µA	2.5 MA						할 할있게 수					긍정적인		150ma											5V				-		1	0.575V @ 150mA	45db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LP3965ESX-3.3	3.0900	RFQ	6	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA										7V	결정된				DDPAK/TO-263-5	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-LP3965ESX-3.3-14			1						9 MA	15 MA						할 할있게 수					긍정적인		1.5A											3.3v				-		1	0.55V @ 1.5A	-	전류, 이상 온도, 단락
LP38859SX-1.2/NOPB	3.0400	RFQ	8	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA										5.5V	결정된				DDPAK/TO-263-5	다운로드					귀 99	8542.39.0001	99						8.5 MA	15 MA						소프트 소프트					긍정적인		3A											1.2V				-		1	0.45V @ 3A	80dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)	"
LM385Z-2.5/T7	-	RFQ	6820	국가 국가	*	대부분	활동적인							LM385														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000
LM3622AM-4.1/NOPB	-	RFQ	5586	국가 국가	-	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM3622				리튬 리튬	-		1						8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	95				-								-		끊임없는	-	4.1V	24V
lm431aimx	0.2100	RFQ	2	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 2%	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM431			-			-			조절할 조절할있는	50ppm/° C 전형			8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	3,000			분로																	100 MA											2.5V	-	-	1 MA	36 v
LP38693MPX-3.3	-	RFQ	8077	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-261-5, TO-261AB		LP38693								10V	결정된				SOT-223-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	2,000						55 µA	100 µa						할 할있게 수					긍정적인		500ma											3.3v				-		1	0.55V @ 500MA	55dB (120Hz)	온도 온도
LP3994TLX-1.8	0.2200	RFQ	15	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-WFBGA										5.5V	결정된				4- 볼프 MicroSMD	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000						35 µA	50 µA						할 할있게 수					긍정적인		50ma											1.8V				-		1	-	70dB ~ 40dB (100Hz ~ 1MHz)	전류, 이상 온도, 단락
LP3971SQ-O509/NOPB	3.1500	RFQ	3	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	프로세서	표면 표면	40-wfqfn q 패드		LP3971			60µA									2.7V ~ 5.5V	40-WQFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
LP3996SD-1525	0.3300	RFQ	1	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	10-wfdfn d 패드		LP3996								6V	결정된				10- 웨슨 (3x3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000						100 µa	170 µA						할 할있게 수					긍정적인		150ma, 300ma											1.5V, 2.5V				-		2	0.22v @ 150ma, 0.55v @ 150ma	58dB ~ 45dB, 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 20kHz)	온도, 회로 단락
LP3987ITLX-2.5/NOPB	0.2400	RFQ	17	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-WFBGA, DSBGA		LP3987								6V	결정된				5-DSBGA (1.41x1.08)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000						120 µA	200 µA						할 할있게 수					긍정적인		150ma											2.5V				-		1	0.1V @ 150ma	50dB ~ 10dB (10kHz)	전류, 이상 온도, 단락
LP38691DTX-1.8/NOPB	0.7700	RFQ	12	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63										10V	결정된				TO-252-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	389						55 µA	100 µa						-					긍정적인		500ma											1.8V				-		1	-	55dB (120Hz)	온도 온도
LP3923TL-VB/NOPB	1.0800	RFQ	6	국가 국가	*	대부분	활동적인							LP3923														다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-LP3923TL-VB/NOPB-14			1
LP3925RMX-A/NOPB	1.5900	RFQ	17	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	모바일 모바일	표면 표면	56-wfqfn 노출 패드		LP3925			3.5µA									3V ~ 4.5V	56-WQFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
LM2574HVM-5.0-NS	-	RFQ	1859	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)										60V	결정된				14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	뿌리 뿌리				1					책임	52kHz							긍정적인	아니요	500ma											5V				-	4V
LM336BM-5.0/NOPB	0.7700	RFQ	11	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 2%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM336			-			-			결정된	-			8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	389			분로																	10 MA											5V	-	-	600 µA
LP3952RLX/NOPB	1.7400	RFQ	107	국가 국가	-	대부분	활동적인		-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	백라이트	표면 표면	36-WFBGA, DSBGA	DC DC 레귤레이터	LP3952		2MHz											36-DSBGA	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		40ma			6				예	스텝 스텝 (업)							5.5V											PWM	3V	5.3v
LM2673SX-12/NOPB	2.8600	RFQ	1	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA		LM2673								40V	결정된				DDPAK/TO-263-7	-					귀 99	8542.39.0001	105	뿌리 뿌리				1					책임	260kHz							긍정적인	아니요	3A											12V				-	8V
LM2675MX-ADJ/NAK2	-	RFQ	8725	국가 국가	*	대부분	활동적인																					-						0000.00.0000	1
LP2980AIM5-2.6	0.1500	RFQ	20	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	SC-74A, SOT-753										16V	결정된				TSOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000						110 µA	850 µA						할 할있게 수					긍정적인		50ma											2.6v				-		1	-	63db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LM385BM-2.5/NOPB	0.7200	RFQ	7	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 1.5%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM385			-			-			결정된	150ppm/° C			8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			분로																	20 MA											2.5V	-	120µvrms	20 µA
LM5031SD	0.7600	RFQ	1	국가 국가	*	대부분	활동적인							LM5031														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1,000
lm3621m	-	RFQ	2394	국가 국가	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM3621				리튬 리튬	-		1						16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1				-								전류를 전류를 전압		일정 - 가능 프로그래밍	전류, 전압, 타이머	4.2V	5.5V
LM2594HVN-12/NOPB	-	RFQ	2822	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)										60V	결정된				8-PDIP	다운로드						0000.00.0000	1	뿌리 뿌리				1					책임	150kHz							긍정적인	아니요	500ma											12V				-	4.5V
LM5100am	2.0000	RFQ	153	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM5100	비 비										확인되지 확인되지	9V ~ 14V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1								독립적인													하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	2.3v, -	3A, 3A	430ns, 260ns	118 v
LM385MX-1.2/NOPB	-	RFQ	6966	국가 국가	-	대부분	활동적인	-2.43%, +2.02%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM385			-			-			결정된	150ppm/° C			8-SOIC	다운로드						0000.00.0000	1			분로																	20 MA											1.235V	-	60µvrms	15 µA
LM2597M-12/NOPB	-	RFQ	5719	국가 국가	*	대부분	활동적인																					-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LM2597M-12/NOPB-14			1
LM2673SD-5.0	2.4800	RFQ	388	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	14-vdfn d 패드										40V	결정된				14-vson (5x6)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	250	뿌리 뿌리				1					책임	260kHz							긍정적인	아니요	3A											5V				-	8V
LM2676SX-3.3/NOPB	-	RFQ	3790	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA										40V	결정된				DDPAK/TO-263-7	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	뿌리 뿌리				1					책임	260kHz							긍정적인	아니요	3A											3.3v				-	8V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

전력 전력 (PMIC) (3214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²